講演名 | 2016-05-19 絶縁ゲート型トランジスタに向けた絶縁体/窒化物半導体界面形成プロセスの検討 近藤 佑隆(豊橋技科大), 篠原 正俊(豊橋技科大), 彦坂 朋輝(豊橋技科大), 馬場 真人(豊橋技科大), 岡田 浩(豊橋技科大), 関口 寛人(豊橋技科大), 山根 啓輔(豊橋技科大), 若原 昭浩(豊橋技科大), |
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資料番号 | ED2016-17,CPM2016-5,SDM2016-22 |
発行日 | 2016-05-12 (ED, CPM, SDM) |
研究会情報 | |
研究会 | CPM / ED / SDM |
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開催期間 | 2016/5/19(から2日開催) |
開催地(和) | 静岡大学 工学部 (浜松キャンパス・総合研究棟) |
開催地(英) | Shizuoka University, Hamamatsu campus (Joint Research Lab.) |
テーマ(和) | 結晶成長、評価及びデバイス(化合物、Si、SiGe、電子・光材料)およびその他 |
テーマ(英) | crystal growth、devices characterization , etc. |
委員長氏名(和) | 野毛 悟(沼津高専) / 前澤 宏一(富山大) / 大野 裕三(筑波大) |
委員長氏名(英) | Satoru Noge(Numazu National College of Tech.) / Koichi Maezawa(Univ. of Toyama) / Yuzou Oono(Univ. of Tsukuba) |
副委員長氏名(和) | 廣瀬 文彦(山形大) / 津田 邦男(東芝) / 国清 辰也(ルネサス エレクトロニクス) |
副委員長氏名(英) | Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.) / Kunio Tsuda(Toshiba) / Tatsuya Kunikiyo(Renesas) |
幹事氏名(和) | 小舘 淳一(NTT) / 岩田 展幸(日大) / 松永 高治(NEC) / 鈴木 寿一(北陸先端大) / 黒田 理人(東北大) |
幹事氏名(英) | Junichi Kodate(NTT) / Nobuyuki Iwata(Nihon Univ.) / Koji Matsunaga(NEC) / Toshikazu Suzuki(JAIST) / Rihito Kuroda(Tohoku Univ.) |
幹事補佐氏名(和) | 坂本 尊(NTT) / 中村 雄一(豊橋技科大) / 新井 学(新日本無線) / 東脇 正高(NICT) / 山口 直(ルネサス エレクトロニクス) |
幹事補佐氏名(英) | Takashi Sakamoto(NTT) / Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.) / Manabu Arai(New JRC) / Masataka Higashiwaki(NICT) / Tadashi Yamaguchi(Renesas) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Technical Committee on Component Parts and Materials / Technical Committee on Electron Device / Technical Committee on Silicon Device and Materials |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | 絶縁ゲート型トランジスタに向けた絶縁体/窒化物半導体界面形成プロセスの検討 |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | Investigation of interface formation process between insulator and nitride-semiconductor for insulated gate transistors |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | |
第 1 著者 氏名(和/英) | 近藤 佑隆 / Yutaka Kondo |
第 1 著者 所属(和/英) | 豊橋技術科学大学(略称:豊橋技科大) Toyohashi University of Technology(略称:Toyohashi Univ. Technol.) |
第 2 著者 氏名(和/英) | 篠原 正俊 / Masatoshi Shinohara |
第 2 著者 所属(和/英) | 豊橋技術科学大学(略称:豊橋技科大) Toyohashi University of Technology(略称:Toyohashi Univ. Technol.) |
第 3 著者 氏名(和/英) | 彦坂 朋輝 / Tomoki Hikosaka |
第 3 著者 所属(和/英) | 豊橋技術科学大学(略称:豊橋技科大) Toyohashi University of Technology(略称:Toyohashi Univ. Technol.) |
第 4 著者 氏名(和/英) | 馬場 真人 / Makoto Baba |
第 4 著者 所属(和/英) | 豊橋技術科学大学(略称:豊橋技科大) Toyohashi University of Technology(略称:Toyohashi Univ. Technol.) |
第 5 著者 氏名(和/英) | 岡田 浩 / Hiroshi Okada |
第 5 著者 所属(和/英) | 豊橋技術科学大学 エレクトロニクス先端融合研究所(略称:豊橋技科大) Electronics-Inspired Interdisciplinary Research Institute, Toyohashi University of Technology(略称:EIIRIS, Toyohashi Univ. Technol.) |
第 6 著者 氏名(和/英) | 関口 寛人 / Hiroto Sekiguchi |
第 6 著者 所属(和/英) | 豊橋技術科学大学(略称:豊橋技科大) Toyohashi University of Technology(略称:Toyohashi Univ. Technol.) |
第 7 著者 氏名(和/英) | 山根 啓輔 / Keisuke Yamane |
第 7 著者 所属(和/英) | 豊橋技術科学大学(略称:豊橋技科大) Toyohashi University of Technology(略称:Toyohashi Univ. Technol.) |
第 8 著者 氏名(和/英) | 若原 昭浩 / Akihiro Wakahara |
第 8 著者 所属(和/英) | 豊橋技術科学大学(略称:豊橋技科大) Toyohashi University of Technology(略称:Toyohashi Univ. Technol.) |
発表年月日 | 2016-05-19 |
資料番号 | ED2016-17,CPM2016-5,SDM2016-22 |
巻番号(vol) | vol.116 |
号番号(no) | ED-48,CPM-49,SDM-50 |
ページ範囲 | pp.19-23(ED), pp.19-23(CPM), pp.19-23(SDM), |
ページ数 | 5 |
発行日 | 2016-05-12 (ED, CPM, SDM) |