講演名 2016-05-19
絶縁ゲート型トランジスタに向けた絶縁体/窒化物半導体界面形成プロセスの検討
近藤 佑隆(豊橋技科大), 篠原 正俊(豊橋技科大), 彦坂 朋輝(豊橋技科大), 馬場 真人(豊橋技科大), 岡田 浩(豊橋技科大), 関口 寛人(豊橋技科大), 山根 啓輔(豊橋技科大), 若原 昭浩(豊橋技科大),
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抄録(和)
抄録(英)
キーワード(和)
キーワード(英)
資料番号 ED2016-17,CPM2016-5,SDM2016-22
発行日 2016-05-12 (ED, CPM, SDM)

研究会情報
研究会 CPM / ED / SDM
開催期間 2016/5/19(から2日開催)
開催地(和) 静岡大学 工学部 (浜松キャンパス・総合研究棟)
開催地(英) Shizuoka University, Hamamatsu campus (Joint Research Lab.)
テーマ(和) 結晶成長、評価及びデバイス(化合物、Si、SiGe、電子・光材料)およびその他
テーマ(英) crystal growth、devices characterization , etc.
委員長氏名(和) 野毛 悟(沼津高専) / 前澤 宏一(富山大) / 大野 裕三(筑波大)
委員長氏名(英) Satoru Noge(Numazu National College of Tech.) / Koichi Maezawa(Univ. of Toyama) / Yuzou Oono(Univ. of Tsukuba)
副委員長氏名(和) 廣瀬 文彦(山形大) / 津田 邦男(東芝) / 国清 辰也(ルネサス エレクトロニクス)
副委員長氏名(英) Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.) / Kunio Tsuda(Toshiba) / Tatsuya Kunikiyo(Renesas)
幹事氏名(和) 小舘 淳一(NTT) / 岩田 展幸(日大) / 松永 高治(NEC) / 鈴木 寿一(北陸先端大) / 黒田 理人(東北大)
幹事氏名(英) Junichi Kodate(NTT) / Nobuyuki Iwata(Nihon Univ.) / Koji Matsunaga(NEC) / Toshikazu Suzuki(JAIST) / Rihito Kuroda(Tohoku Univ.)
幹事補佐氏名(和) 坂本 尊(NTT) / 中村 雄一(豊橋技科大) / 新井 学(新日本無線) / 東脇 正高(NICT) / 山口 直(ルネサス エレクトロニクス)
幹事補佐氏名(英) Takashi Sakamoto(NTT) / Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.) / Manabu Arai(New JRC) / Masataka Higashiwaki(NICT) / Tadashi Yamaguchi(Renesas)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Technical Committee on Component Parts and Materials / Technical Committee on Electron Device / Technical Committee on Silicon Device and Materials
本文の言語 JPN
タイトル(和) 絶縁ゲート型トランジスタに向けた絶縁体/窒化物半導体界面形成プロセスの検討
サブタイトル(和)
タイトル(英) Investigation of interface formation process between insulator and nitride-semiconductor for insulated gate transistors
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英)
第 1 著者 氏名(和/英) 近藤 佑隆 / Yutaka Kondo
第 1 著者 所属(和/英) 豊橋技術科学大学(略称:豊橋技科大)
Toyohashi University of Technology(略称:Toyohashi Univ. Technol.)
第 2 著者 氏名(和/英) 篠原 正俊 / Masatoshi Shinohara
第 2 著者 所属(和/英) 豊橋技術科学大学(略称:豊橋技科大)
Toyohashi University of Technology(略称:Toyohashi Univ. Technol.)
第 3 著者 氏名(和/英) 彦坂 朋輝 / Tomoki Hikosaka
第 3 著者 所属(和/英) 豊橋技術科学大学(略称:豊橋技科大)
Toyohashi University of Technology(略称:Toyohashi Univ. Technol.)
第 4 著者 氏名(和/英) 馬場 真人 / Makoto Baba
第 4 著者 所属(和/英) 豊橋技術科学大学(略称:豊橋技科大)
Toyohashi University of Technology(略称:Toyohashi Univ. Technol.)
第 5 著者 氏名(和/英) 岡田 浩 / Hiroshi Okada
第 5 著者 所属(和/英) 豊橋技術科学大学 エレクトロニクス先端融合研究所(略称:豊橋技科大)
Electronics-Inspired Interdisciplinary Research Institute, Toyohashi University of Technology(略称:EIIRIS, Toyohashi Univ. Technol.)
第 6 著者 氏名(和/英) 関口 寛人 / Hiroto Sekiguchi
第 6 著者 所属(和/英) 豊橋技術科学大学(略称:豊橋技科大)
Toyohashi University of Technology(略称:Toyohashi Univ. Technol.)
第 7 著者 氏名(和/英) 山根 啓輔 / Keisuke Yamane
第 7 著者 所属(和/英) 豊橋技術科学大学(略称:豊橋技科大)
Toyohashi University of Technology(略称:Toyohashi Univ. Technol.)
第 8 著者 氏名(和/英) 若原 昭浩 / Akihiro Wakahara
第 8 著者 所属(和/英) 豊橋技術科学大学(略称:豊橋技科大)
Toyohashi University of Technology(略称:Toyohashi Univ. Technol.)
発表年月日 2016-05-19
資料番号 ED2016-17,CPM2016-5,SDM2016-22
巻番号(vol) vol.116
号番号(no) ED-48,CPM-49,SDM-50
ページ範囲 pp.19-23(ED), pp.19-23(CPM), pp.19-23(SDM),
ページ数 5
発行日 2016-05-12 (ED, CPM, SDM)