| 講演名 | 2016-04-08 大気圧マイクロ熱プラズマジェット結晶化ゲルマニウム膜の電気特性評価及び高性能薄膜トランジスタの作製 中谷 太一(広島大), 原田 大夢(広島大), 東 清一郎(広島大), |
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| 抄録(和) | 大気圧マイクロ熱プラズマジェット(μ-TPJ)を石英基板上のアモルファスゲルマニウム(a-Ge)膜へ照射し形成した結晶(c-)Geを用いて薄膜トランジスタ(TFT)を作製し電気特性を評価した。高速横方向結晶化(HSLC)によって結晶化したc-Ge細線は結晶欠陥の抑制により~1.5 x 10^16 cm^-3の低いキャリア密度と~950 cm^2/Vsの高いホール移動度(μH)を示した。HSLC-Geとゲート絶縁膜としてSiO2を用いて作製したP型薄膜トランジスタ(TFT)はON/OFF比(RON/OFF) = 1.4 x 10^4及び、電界効果移動度(μFE) = 197 cm^2/Vsを達成した。 |
| 抄録(英) | We investigated the electrical properties of the crystalline germanium films crystallized by μ-TPJ irradiation. High speed lateral crystallization (HSLC-) Ge shows low hole concentration (1.5 x 10^16 cm^-3) and high hall mobility (1070 cm^2/Vs). P-type thin film transistors (TFT) using HSLC-Ge and SiO2 film as the gate dielectric achieved field effect mobility (μFE) of 196 cm^2/Vs and ON/OFF ratio (RON/OFF) of 1.4 x 10^4. |
| キーワード(和) | マイクロ熱プラズマジェット / ゲルマニウム / 薄膜トランジスタ |
| キーワード(英) | Micro-Thermal-Plasma-Jet / Germanium / Thin Film Transistor |
| 資料番号 | SDM2016-9,OME2016-9 |
| 発行日 | 2016-04-01 (SDM, OME) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM / OME |
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| 開催期間 | 2016/4/8(から2日開催) |
| 開催地（和） | 沖縄県立博物館・美術館 博物館講座室 |
| 開催地（英） | Okinawa Prefectural Museum & Art Museum |
| テーマ（和） | 薄膜（Si,化合物,有機,フレキシブル）機能デバイス・バイオテクノロジー・材料・評価技術および一般 |
| テーマ（英） | Thin film devices, etc |
| 委員長氏名（和） | 大野 裕三(筑波大) / 松田 直樹(産総研) |
| 委員長氏名（英） | Yuzou Oono(Univ. of Tsukuba) / Naoki Matsuda(AIST) |
| 副委員長氏名（和） | 国清 辰也(ルネサス エレクトロニクス) / 森 竜雄(愛知工大) |
| 副委員長氏名（英） | Tatsuya Kunikiyo(Renesas) / Tatsuo Mori(Aichi Inst. of Tech.) |
| 幹事氏名（和） | 黒田 理人(東北大) / 鴻野 晃洋(NTT) / 染谷 隆夫(東大) |
| 幹事氏名（英） | Rihito Kuroda(Tohoku Univ.) / Akihiro Kohno(NTT) / Takao Someya(Univ. of Tokyo) |
| 幹事補佐氏名（和） | 山口 直(ルネサス エレクトロニクス) / 梶井 博武(阪大) / 田口 大(東工大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Tadashi Yamaguchi(Renesas) / Hirotake Kajii(Osaka Univ.) / Dai Taguchi(Tokyo Inst. of Tech.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Silicon Device and Materials / Technical Committee on Organic Molecular Electronics |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 大気圧マイクロ熱プラズマジェット結晶化ゲルマニウム膜の電気特性評価及び高性能薄膜トランジスタの作製 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Electrical Characterization of Germanium films Crystallized by Atmospheric Pressure Micro-Thermal-Plasma-Jet Irradiation and Fabrication of High-Performance Thin Film Transistors. |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | マイクロ熱プラズマジェット / Micro-Thermal-Plasma-Jet |
| キーワード(2)（和/英） | ゲルマニウム / Germanium |
| キーワード(3)（和/英） | 薄膜トランジスタ / Thin Film Transistor |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 中谷 太一 / Taichi Nakatani |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 広島大学(略称：広島大) Hiroshima University(略称：Hiroshima Univ.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 原田 大夢 / Hiromu Harada |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 広島大学(略称：広島大) Hiroshima University(略称：Hiroshima Univ.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 東 清一郎 / Seiichiro Higashi |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 広島大学(略称：広島大) Hiroshima University(略称：Hiroshima Univ.) |
| 発表年月日 | 2016-04-08 |
| 資料番号 | SDM2016-9,OME2016-9 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | SDM-1,OME-2 |
| ページ範囲 | pp.35-38(SDM), pp.35-38(OME), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2016-04-01 (SDM, OME) |