| 講演名 | 2016-04-09 High-kゲート絶縁膜を有する自己整合四端子メタルダブルゲートNi-SPC LT poly-Si TFT 仁部 翔太(東北学院大), 大澤 弘樹(東北学院大), 原 明人(東北学院大), |
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| 抄録(和) | 低温で安価な結晶化プロセスとしてニッケル(Ni)を利用した金属誘起固相成長（Ni-SPC）に注目し、 更にデバイス高性能化のため、ゲート絶縁膜として high-k 膜である HfO2を利用した自己整合 4 端子メタルダブル ゲート(MeDG) Ni-SPC 低温(LT) 多結晶シリコン(poly-Si)薄膜トランジスタ(TFT)を形成した。この TFT は、トップ ゲート絶縁膜のみ HfO2を利用し、ボトムゲート絶縁膜は SiO2であるが、小さい S値と高いオン電流値を実現して いる。 |
| 抄録(英) | Self-aligned four-terminal (4T) metal double-gate (MeDG) low-temperature (LT) polycrystalline-silicon (poly-Si) thin film transistors (TFTs) were fabricated using nickel-induced solid-phase crystallization (Ni-SPC), an inexpensive crystallization process, at low temperature. In this experiment, we used high-k HfO2 gate stacks to enhance the performance of the TFTs and achieved a low subthreshold swing value (s-value) and high on-current. |
| キーワード(和) | 金属誘起固相成長 / Ni-SPC / TFT / poly-Si / ４端子 / ダブルゲート |
| キーワード(英) | Metal Induced Crystallization / Ni-SPC / TFT / Poly-Si / Four-Terminal / Double-Gate |
| 資料番号 | SDM2016-15,OME2016-15 |
| 発行日 | 2016-04-01 (SDM, OME) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM / OME |
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| 開催期間 | 2016/4/8(から2日開催) |
| 開催地（和） | 沖縄県立博物館・美術館 博物館講座室 |
| 開催地（英） | Okinawa Prefectural Museum & Art Museum |
| テーマ（和） | 薄膜（Si,化合物,有機,フレキシブル）機能デバイス・バイオテクノロジー・材料・評価技術および一般 |
| テーマ（英） | Thin film devices, etc |
| 委員長氏名（和） | 大野 裕三(筑波大) / 松田 直樹(産総研) |
| 委員長氏名（英） | Yuzou Oono(Univ. of Tsukuba) / Naoki Matsuda(AIST) |
| 副委員長氏名（和） | 国清 辰也(ルネサス エレクトロニクス) / 森 竜雄(愛知工大) |
| 副委員長氏名（英） | Tatsuya Kunikiyo(Renesas) / Tatsuo Mori(Aichi Inst. of Tech.) |
| 幹事氏名（和） | 黒田 理人(東北大) / 鴻野 晃洋(NTT) / 染谷 隆夫(東大) |
| 幹事氏名（英） | Rihito Kuroda(Tohoku Univ.) / Akihiro Kohno(NTT) / Takao Someya(Univ. of Tokyo) |
| 幹事補佐氏名（和） | 山口 直(ルネサス エレクトロニクス) / 梶井 博武(阪大) / 田口 大(東工大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Tadashi Yamaguchi(Renesas) / Hirotake Kajii(Osaka Univ.) / Dai Taguchi(Tokyo Inst. of Tech.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Silicon Device and Materials / Technical Committee on Organic Molecular Electronics |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | High-kゲート絶縁膜を有する自己整合四端子メタルダブルゲートNi-SPC LT poly-Si TFT |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Self-Aligned Four-Terminal Metal Double-Gate LT Ni-SPC Poly-Si TFT with High-k Gate Stack |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 金属誘起固相成長 / Metal Induced Crystallization |
| キーワード(2)（和/英） | Ni-SPC / Ni-SPC |
| キーワード(3)（和/英） | TFT / TFT |
| キーワード(4)（和/英） | poly-Si / Poly-Si |
| キーワード(5)（和/英） | ４端子 / Four-Terminal |
| キーワード(6)（和/英） | ダブルゲート / Double-Gate |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 仁部 翔太 / Syota Nibe |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東北学院大学(略称：東北学院大) Tohoku Gakuin University(略称：Tohoku Gakuin Univ.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 大澤 弘樹 / Hiroki Ohsawa |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東北学院大学(略称：東北学院大) Tohoku Gakuin University(略称：Tohoku Gakuin Univ.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 原 明人 / Akito Hara |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東北学院大学(略称：東北学院大) Tohoku Gakuin University(略称：Tohoku Gakuin Univ.) |
| 発表年月日 | 2016-04-09 |
| 資料番号 | SDM2016-15,OME2016-15 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | SDM-1,OME-2 |
| ページ範囲 | pp.61-65(SDM), pp.61-65(OME), |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2016-04-01 (SDM, OME) |