講演名 | 2016-04-08 金属誘起横方向成長法によるSnドープGe/絶縁基板の低温形成 酒井 崇嗣(九大), 松村 亮(九大), 佐道 泰造(九大), 宮尾 正信(九大), |
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資料番号 | SDM2016-7,OME2016-7 |
発行日 | 2016-04-01 (SDM, OME) |
研究会情報 | |
研究会 | SDM / OME |
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開催期間 | 2016/4/8(から2日開催) |
開催地(和) | 沖縄県立博物館・美術館 博物館講座室 |
開催地(英) | Okinawa Prefectural Museum & Art Museum |
テーマ(和) | 薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・バイオテクノロジー・材料・評価技術および一般 |
テーマ(英) | Thin film devices, etc |
委員長氏名(和) | 大野 裕三(筑波大) / 松田 直樹(産総研) |
委員長氏名(英) | Yuzou Oono(Univ. of Tsukuba) / Naoki Matsuda(AIST) |
副委員長氏名(和) | 国清 辰也(ルネサス エレクトロニクス) / 森 竜雄(愛知工大) |
副委員長氏名(英) | Tatsuya Kunikiyo(Renesas) / Tatsuo Mori(Aichi Inst. of Tech.) |
幹事氏名(和) | 黒田 理人(東北大) / 鴻野 晃洋(NTT) / 染谷 隆夫(東大) |
幹事氏名(英) | Rihito Kuroda(Tohoku Univ.) / Akihiro Kohno(NTT) / Takao Someya(Univ. of Tokyo) |
幹事補佐氏名(和) | 山口 直(ルネサス エレクトロニクス) / 梶井 博武(阪大) / 田口 大(東工大) |
幹事補佐氏名(英) | Tadashi Yamaguchi(Renesas) / Hirotake Kajii(Osaka Univ.) / Dai Taguchi(Tokyo Inst. of Tech.) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Technical Committee on Silicon Device and Materials / Technical Committee on Organic Molecular Electronics |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | 金属誘起横方向成長法によるSnドープGe/絶縁基板の低温形成 |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | Low-temperature formation of Sn-doped Ge on insulating substrate by metal-induced lateral crystallization |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | |
第 1 著者 氏名(和/英) | 酒井 崇嗣 / Takatsugu Sakai |
第 1 著者 所属(和/英) | 九州大学(略称:九大) Kyushu University(略称:Kyushu Univ.) |
第 2 著者 氏名(和/英) | 松村 亮 / Ryo Matsumura |
第 2 著者 所属(和/英) | 九州大学(略称:九大) Kyushu University(略称:Kyushu Univ.) |
第 3 著者 氏名(和/英) | 佐道 泰造 / Taizoh Sadoh |
第 3 著者 所属(和/英) | 九州大学(略称:九大) Kyushu University(略称:Kyushu Univ.) |
第 4 著者 氏名(和/英) | 宮尾 正信 / Masanobu Miyao |
第 4 著者 所属(和/英) | 九州大学(略称:九大) Kyushu University(略称:Kyushu Univ.) |
発表年月日 | 2016-04-08 |
資料番号 | SDM2016-7,OME2016-7 |
巻番号(vol) | vol.116 |
号番号(no) | SDM-1,OME-2 |
ページ範囲 | pp.29-30(SDM), pp.29-30(OME), |
ページ数 | 2 |
発行日 | 2016-04-01 (SDM, OME) |