| 講演名 | 2016-04-08 非熱的エネルギーを用いた非晶質Ge/SiO2の低温固相成長 草野 欽太(熊本高専), 工藤 和樹(熊本高専), 塘内 功大(熊本高専), 坂口 大成(熊本高専), 茂籐 健太(熊本高専), 本山 慎一(サムコ), 楠田 豊(サムコ), 古田 真浩(サムコ), 中 庸行(堀場製作所), 沼田 朋子(堀場製作所), 高倉 健一郎(熊本高専), 角田 功(熊本高専), |
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| 抄録(和) | シートコンピュータ等への応用を目指し，絶縁膜上における非晶質Ge薄膜の低温固相成長法を検討した．非晶質Ge薄膜の熱的固相成長では核発生エネルギーが大きく，450℃もの高温熱処理が必要である．そこで熱的固相成長に電子線を併用することで，核発生エネルギーが低減でき，核発生時間を約1 / 50倍にまで低減できることを明らかにした．さらに，応力を重畳した触媒金属固相成長に展開すると，熱的固相成長に比べて約1000倍もの促進を実現し，並びにプラスティック軟化温度（120℃）以下の低温結晶成長を達成できた． |
| 抄録(英) | We have investigated the low-temperature SPC of amorphous Ge on insulating substrate. High temperature and long time annealing are necessary to obtain the crystalline Ge on insulating substrate by conventional SPC method. In order to enhance the crystal nucleation, the initial amorphicity modulation induced by electron irradiation was carried out. The incubation time for crystal nucleation was decreased to 1/50 of that without electron irradiation. Furthermore, the compressive stress stimulated MIC of amorphous Ge on insulating substrate has examined. As a result, the solid phase crystallization of amorphous Ge was significantly enhanced (~ 1000 times). In addition, the crystallization temperature can be decreased to 120 oC. In this way, low temperature crystallization below the softening temperature of low cost plastic substrate (150 oC) becomes possible. |
| キーワード(和) | ゲルマニウム / 固相成長 / 触媒金属誘起固相成長 / 電子線照射 / 応力印加 |
| キーワード(英) | Germanium / Solid phase crystallization / Metal induced crystallization / Electron beam irradiation / Compressive stress stimulation |
| 資料番号 | SDM2016-8,OME2016-8 |
| 発行日 | 2016-04-01 (SDM, OME) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM / OME |
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| 開催期間 | 2016/4/8(から2日開催) |
| 開催地（和） | 沖縄県立博物館・美術館 博物館講座室 |
| 開催地（英） | Okinawa Prefectural Museum & Art Museum |
| テーマ（和） | 薄膜（Si,化合物,有機,フレキシブル）機能デバイス・バイオテクノロジー・材料・評価技術および一般 |
| テーマ（英） | Thin film devices, etc |
| 委員長氏名（和） | 大野 裕三(筑波大) / 松田 直樹(産総研) |
| 委員長氏名（英） | Yuzou Oono(Univ. of Tsukuba) / Naoki Matsuda(AIST) |
| 副委員長氏名（和） | 国清 辰也(ルネサス エレクトロニクス) / 森 竜雄(愛知工大) |
| 副委員長氏名（英） | Tatsuya Kunikiyo(Renesas) / Tatsuo Mori(Aichi Inst. of Tech.) |
| 幹事氏名（和） | 黒田 理人(東北大) / 鴻野 晃洋(NTT) / 染谷 隆夫(東大) |
| 幹事氏名（英） | Rihito Kuroda(Tohoku Univ.) / Akihiro Kohno(NTT) / Takao Someya(Univ. of Tokyo) |
| 幹事補佐氏名（和） | 山口 直(ルネサス エレクトロニクス) / 梶井 博武(阪大) / 田口 大(東工大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Tadashi Yamaguchi(Renesas) / Hirotake Kajii(Osaka Univ.) / Dai Taguchi(Tokyo Inst. of Tech.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Silicon Device and Materials / Technical Committee on Organic Molecular Electronics |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 非熱的エネルギーを用いた非晶質Ge/SiO2の低温固相成長 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Non-thermal energy utilized low temperature solid phase crystallization of amorphous Ge on SiO2 substrate |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ゲルマニウム / Germanium |
| キーワード(2)（和/英） | 固相成長 / Solid phase crystallization |
| キーワード(3)（和/英） | 触媒金属誘起固相成長 / Metal induced crystallization |
| キーワード(4)（和/英） | 電子線照射 / Electron beam irradiation |
| キーワード(5)（和/英） | 応力印加 / Compressive stress stimulation |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 草野 欽太 / Kinta Kusano |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 熊本高等専門学校(略称：熊本高専) National Institute of Technology, Kumamoto College(略称：NIT, Kumamoto) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 工藤 和樹 / Kazuki Kudo |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 熊本高等専門学校(略称：熊本高専) National Institute of Technology, Kumamoto College(略称：NIT, Kumamoto) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 塘内 功大 / Kodai Tomouchi |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 熊本高等専門学校(略称：熊本高専) National Institute of Technology, Kumamoto College(略称：NIT, Kumamoto) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 坂口 大成 / Taisei Sakaguchi |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 熊本高等専門学校(略称：熊本高専) National Institute of Technology, Kumamoto College(略称：NIT, Kumamoto) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 茂籐 健太 / Kenta Moto |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 熊本高等専門学校(略称：熊本高専) National Institute of Technology, Kumamoto College(略称：NIT, Kumamoto) |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 本山 慎一 / Shinichi Motoyama |
| 第 6 著者 所属（和/英） | サムコ株式会社(略称：サムコ) SAMCO(略称：SAMCO) |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 楠田 豊 / Yutaka Kusuda |
| 第 7 著者 所属（和/英） | サムコ株式会社(略称：サムコ) SAMCO(略称：SAMCO) |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 古田 真浩 / Masahiro Furuta |
| 第 8 著者 所属（和/英） | サムコ株式会社(略称：サムコ) SAMCO(略称：SAMCO) |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 中 庸行 / Nobuyuki Naka |
| 第 9 著者 所属（和/英） | 株式会社堀場製作所(略称：堀場製作所) HORIBA(略称：HORIBA) |
| 第 10 著者 氏名（和/英） | 沼田 朋子 / Tomoko Numata |
| 第 10 著者 所属（和/英） | 株式会社堀場製作所(略称：堀場製作所) HORIBA(略称：HORIBA) |
| 第 11 著者 氏名（和/英） | 高倉 健一郎 / Kenichiro Takakura |
| 第 11 著者 所属（和/英） | 熊本高等専門学校(略称：熊本高専) National Institute of Technology, Kumamoto College(略称：NIT, Kumamoto) |
| 第 12 著者 氏名（和/英） | 角田 功 / Isao Tsunoda |
| 第 12 著者 所属（和/英） | 熊本高等専門学校(略称：熊本高専) National Institute of Technology, Kumamoto College(略称：NIT, Kumamoto) |
| 発表年月日 | 2016-04-08 |
| 資料番号 | SDM2016-8,OME2016-8 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | SDM-1,OME-2 |
| ページ範囲 | pp.31-34(SDM), pp.31-34(OME), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2016-04-01 (SDM, OME) |