| 講演名 | 2016-04-08 ［招待講演］Sn系IV族半導体混晶薄膜の成長と物性評価 志村 洋介(静岡大), 竹内 和歌奈(名大), 坂下 満男(名大), 黒澤 昌志(名大), 中塚 理(名大), 財満 鎭明(名大), |
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| 抄録(和) | Si基板上への電子デバイスおよび光学デバイス集積に、Siプロセスへの親和性が高く、歪およびエネルギーバンドギャップの制御が可能なSn系IV族半導体混晶が注目されている。我々は非平衡成長により固溶限を超えるSn原子の導入を達成し、その安定化に歪が大きく関与していることを見出した。また、様々なIV族半導体元素からなる多元系混晶の高品質薄膜成長に成功し、それらの物性評価を行った。特にエネルギーバンド構造の実験的評価により、Sn系IV族半導体混晶の光学デバイス応用への展望が大きく開けた。 |
| 抄録(英) | Strain and energy band structure can be designed in Sn-containing group-IV semiconductor alloys. Moreover, as these new semiconductor materials are compatible with a conventional Si process, they are fascinating materials to be implemented into both electronic and optoelectronic devices to realize an integration of them on a Si substrate. We have achieved to grow those epitaxial layers with stabilized high amount of Sn by non-equilibrium growth and controlling strain. Characterization of binary and ternary Sn-containing group-IV alloys, especially the experimentally confirmed their energy band structure, represents a prospect of monolithic integration of everything on a chip. |
| キーワード(和) | シリコンフォトニクス / Sn / 歪 / エネルギーバンド構造 |
| キーワード(英) | Si-photonics / Sn / strain / energy band structure |
| 資料番号 | SDM2016-5,OME2016-5 |
| 発行日 | 2016-04-01 (SDM, OME) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM / OME |
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| 開催期間 | 2016/4/8(から2日開催) |
| 開催地（和） | 沖縄県立博物館・美術館 博物館講座室 |
| 開催地（英） | Okinawa Prefectural Museum & Art Museum |
| テーマ（和） | 薄膜（Si,化合物,有機,フレキシブル）機能デバイス・バイオテクノロジー・材料・評価技術および一般 |
| テーマ（英） | Thin film devices, etc |
| 委員長氏名（和） | 大野 裕三(筑波大) / 松田 直樹(産総研) |
| 委員長氏名（英） | Yuzou Oono(Univ. of Tsukuba) / Naoki Matsuda(AIST) |
| 副委員長氏名（和） | 国清 辰也(ルネサス エレクトロニクス) / 森 竜雄(愛知工大) |
| 副委員長氏名（英） | Tatsuya Kunikiyo(Renesas) / Tatsuo Mori(Aichi Inst. of Tech.) |
| 幹事氏名（和） | 黒田 理人(東北大) / 鴻野 晃洋(NTT) / 染谷 隆夫(東大) |
| 幹事氏名（英） | Rihito Kuroda(Tohoku Univ.) / Akihiro Kohno(NTT) / Takao Someya(Univ. of Tokyo) |
| 幹事補佐氏名（和） | 山口 直(ルネサス エレクトロニクス) / 梶井 博武(阪大) / 田口 大(東工大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Tadashi Yamaguchi(Renesas) / Hirotake Kajii(Osaka Univ.) / Dai Taguchi(Tokyo Inst. of Tech.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Silicon Device and Materials / Technical Committee on Organic Molecular Electronics |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ［招待講演］Sn系IV族半導体混晶薄膜の成長と物性評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | [Invited Talk] Growth and characterization of Sn-containing group-IV semiconductor thin film |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | シリコンフォトニクス / Si-photonics |
| キーワード(2)（和/英） | Sn / Sn |
| キーワード(3)（和/英） | 歪 / strain |
| キーワード(4)（和/英） | エネルギーバンド構造 / energy band structure |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 志村 洋介 / Yosuke Shimura |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 静岡大学(略称：静岡大) Sizuoka University(略称：Sizuoka Univ.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 竹内 和歌奈 / Wakana Takeuchi |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋大学(略称：名大) Nagoya University(略称：Nagoya Univ.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 坂下 満男 / Mitsuo Sakashita |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋大学(略称：名大) Nagoya University(略称：Nagoya Univ.) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 黒澤 昌志 / Masashi Kurosawa |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名古屋大学(略称：名大) Nagoya University(略称：Nagoya Univ.) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 中塚 理 / Osamu Nakatsuka |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 名古屋大学(略称：名大) Nagoya University(略称：Nagoya Univ.) |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 財満 鎭明 / Shigeaki Zaima |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 名古屋大学(略称：名大) Nagoya University(略称：Nagoya Univ.) |
| 発表年月日 | 2016-04-08 |
| 資料番号 | SDM2016-5,OME2016-5 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | SDM-1,OME-2 |
| ページ範囲 | pp.23-26(SDM), pp.23-26(OME), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2016-04-01 (SDM, OME) |