| 講演名 | 2016-04-14 ［依頼講演］A Triple-Protection Structured COB FRAM with 1.2-V Operation and 1E17-Cycle Endurance 齋藤 仁(FSL), 中村 亘(FSL), 小澤 聡一郎(FSL), 佐次田 直也(FSL), 三原 智(FSL), 彦坂 幸信(FSL), 王 文生(FSL), 堀 智之(FSL), 高井 一章(FSL), 中澤 光晴(FSL), 小杉 騰(FSL), 濱田 誠(FSL), 川嶋 将一郎(FSL), 恵下 隆(FSL), 松宮 正人(FSL), |
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| 抄録(和) | 我々は低電圧1.2 V動作, 書き換え回数1E17 サイクルの強誘電体RAM(FRAM)を開発した。我々が新たに開発したトリプル・プロテクション構造のセル・アレイは, 追加マスク工程不要で, 水素や湿度による劣化から0.4 μm^2の強誘電体キャパシタを効果的に保護する。我々はCOB(Capacitor over bit-line)構造で0.5 μm^2の小セル・サイズを実現した。 |
| 抄録(英) | We have developed a ferroelectric RAM (FRAM) with a low operation voltage of 1.2 V and a high switching endurance up to 1E17 cycles. Our newly developed triple- protection structured cell array, has constructed without an additional mask step, effectively protects 0.4-μm^2 ferroelectric capacitors from hydrogen and moisture degradation. We have designed our capacitor-over-bit-line (COB) structure to have a small cell size of 0.5-μm^2. |
| キーワード(和) | FRAM / PZT / COB / 低電圧動作 / 書き換え回数 / トリプル・プロテクション構造 |
| キーワード(英) | FRAM / PZT / COB / low voltage operation / high switching endurance / triple-protection structure |
| 資料番号 | ICD2016-9 |
| 発行日 | 2016-04-07 (ICD) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 2016/4/14(から2日開催) |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | メモリ技術と一般 |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | 藤島 実(広島大) |
| 委員長氏名（英） | Minoru Fujishima(Hiroshima Univ.) |
| 副委員長氏名（和） | 日高 秀人(ルネサス エレクトロニクス) |
| 副委員長氏名（英） | Hideto Hidaka(Renesas) |
| 幹事氏名（和） | 吉田 毅(広島大) |
| 幹事氏名（英） | Takeshi Yoshida(Hiroshima Univ.) |
| 幹事補佐氏名（和） | 高宮 真(東大) / 岩崎 裕江(NTT) / 橋本 隆(パナソニック) / 伊藤 浩之(東工大) / 範 公可(電通大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Makoto Takamiya(Univ. of Tokyo) / Hiroe Iwasaki(NTT) / Takashi Hashimoto(Panasonic) / Hiroyuki Ito(Tokyo Inst. of Tech.) / Pham Konkuha(Univ. of Electro-Comm.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Integrated Circuits and Devices |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ［依頼講演］A Triple-Protection Structured COB FRAM with 1.2-V Operation and 1E17-Cycle Endurance |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | [Invited Lecture] A Triple-Protection Structured COB FRAM with 1.2-V Operation and 1E17-Cycle Endurance |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | FRAM / FRAM |
| キーワード(2)（和/英） | PZT / PZT |
| キーワード(3)（和/英） | COB / COB |
| キーワード(4)（和/英） | 低電圧動作 / low voltage operation |
| キーワード(5)（和/英） | 書き換え回数 / high switching endurance |
| キーワード(6)（和/英） | トリプル・プロテクション構造 / triple-protection structure |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 齋藤 仁 / Hitoshi Saito |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 富士通セミコンダクター株式会社(略称：FSL) FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED(略称：FSL) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 中村 亘 / Ko Nakamura |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 富士通セミコンダクター株式会社(略称：FSL) FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED(略称：FSL) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 小澤 聡一郎 / Soichiro Ozawa |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 富士通セミコンダクター株式会社(略称：FSL) FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED(略称：FSL) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 佐次田 直也 / Naoya Sashida |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 富士通セミコンダクター株式会社(略称：FSL) FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED(略称：FSL) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 三原 智 / Satoru Mihara |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 富士通セミコンダクター株式会社(略称：FSL) FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED(略称：FSL) |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 彦坂 幸信 / Yukinobu Hikosaka |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 富士通セミコンダクター株式会社(略称：FSL) FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED(略称：FSL) |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 王 文生 / Wensheng Wang |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 富士通セミコンダクター株式会社(略称：FSL) FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED(略称：FSL) |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 堀 智之 / Tomoyuki Hori |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 富士通セミコンダクター株式会社(略称：FSL) FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED(略称：FSL) |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 高井 一章 / Kazuaki Takai |
| 第 9 著者 所属（和/英） | 富士通セミコンダクター株式会社(略称：FSL) FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED(略称：FSL) |
| 第 10 著者 氏名（和/英） | 中澤 光晴 / Mitsuharu Nakazawa |
| 第 10 著者 所属（和/英） | 富士通セミコンダクター株式会社(略称：FSL) FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED(略称：FSL) |
| 第 11 著者 氏名（和/英） | 小杉 騰 / Noboru Kosugi |
| 第 11 著者 所属（和/英） | 富士通セミコンダクター株式会社(略称：FSL) FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED(略称：FSL) |
| 第 12 著者 氏名（和/英） | 濱田 誠 / Makoto Hamada |
| 第 12 著者 所属（和/英） | 富士通セミコンダクター株式会社(略称：FSL) FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED(略称：FSL) |
| 第 13 著者 氏名（和/英） | 川嶋 将一郎 / Shoichiro Kawashima |
| 第 13 著者 所属（和/英） | 富士通セミコンダクター株式会社(略称：FSL) FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED(略称：FSL) |
| 第 14 著者 氏名（和/英） | 恵下 隆 / Takashi Eshita |
| 第 14 著者 所属（和/英） | 富士通セミコンダクター株式会社(略称：FSL) FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED(略称：FSL) |
| 第 15 著者 氏名（和/英） | 松宮 正人 / Masato Matsumiya |
| 第 15 著者 所属（和/英） | 富士通セミコンダクター株式会社(略称：FSL) FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED(略称：FSL) |
| 発表年月日 | 2016-04-14 |
| 資料番号 | ICD2016-9 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | ICD-3 |
| ページ範囲 | pp.45-49(ICD), |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2016-04-07 (ICD) |