| 講演名 | 2016-04-14 ［依頼講演］IoT向け端末に組み込まれるコンパレータ回路のバイアス電流を最適化した0.6V動作ReRAM書き込み電圧生成回路 田中 誠大(中大), 石井 智也(中大), 蜂谷 尚悟(中大), 寧 渉洋(中大), 竹内 健(中大), |
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| 抄録(和) | バッテリーレスなIoT向け端末に組み込まれるデータストレージとして，低電圧・低電力書き込み可能な抵抗変化型メモリ(ReRAM)が注目されている．本論文では，0.6V動作ReRAM向け書き込み電圧生成回路を制御するコンパレータ回路のバイアス電流の最適化手法を提案する．提案手法により，コンパレータ回路のバイアス電流を2mAで固定とした場合と比較して書き込み電圧のリップルが26%減少し，コンパレータ回路のバイアス電流を8mAで固定とした場合と比較して効率が8.9%増加した． |
| 抄録(英) | Resistive RAM (ReRAM) is considered as candidates for batteryless IoT local device because of the low voltage and low power program operation compared with the conventional NAND flash memory. In this paper, 0.6V operation ReRAM program voltage generator with the 2µA to 8µA adaptive comparator current (ICMP) is proposed to achieve low ReRAM program voltage ripple (VRIPPLE) and high energy efficiency, simultaneously. In detail, for one ReRAM cell program, the proposed program voltage generator reduces VRIPPLE by 26% compared with the conventional program voltage generator with fixed 2µA small ICMP. For 16 ReRAM cells program, the proposed program voltage generator improves 8.9% energy efficiency compared with the conventional program voltage generator with fixed 8µA large ICMP. |
| キーワード(和) | Internet of things (IoT) / 組み込みメモリ / ブーストコンバータ / 抵抗変化型メモリ(ReRAM) |
| キーワード(英) | Internet of things (IoT) / Embedded memory / Boost converter / Resistive RAM (ReRAM) |
| 資料番号 | ICD2016-6 |
| 発行日 | 2016-04-07 (ICD) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 2016/4/14(から2日開催) |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | メモリ技術と一般 |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | 藤島 実(広島大) |
| 委員長氏名（英） | Minoru Fujishima(Hiroshima Univ.) |
| 副委員長氏名（和） | 日高 秀人(ルネサス エレクトロニクス) |
| 副委員長氏名（英） | Hideto Hidaka(Renesas) |
| 幹事氏名（和） | 吉田 毅(広島大) |
| 幹事氏名（英） | Takeshi Yoshida(Hiroshima Univ.) |
| 幹事補佐氏名（和） | 高宮 真(東大) / 岩崎 裕江(NTT) / 橋本 隆(パナソニック) / 伊藤 浩之(東工大) / 範 公可(電通大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Makoto Takamiya(Univ. of Tokyo) / Hiroe Iwasaki(NTT) / Takashi Hashimoto(Panasonic) / Hiroyuki Ito(Tokyo Inst. of Tech.) / Pham Konkuha(Univ. of Electro-Comm.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Integrated Circuits and Devices |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ［依頼講演］IoT向け端末に組み込まれるコンパレータ回路のバイアス電流を最適化した0.6V動作ReRAM書き込み電圧生成回路 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | [Invited Lecture] A 0.6V Operation ReRAM Program Voltage Generator with Adaptively Optimized Comparator Bias-Current for Batteryless IoT Local Device |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | Internet of things (IoT) / Internet of things (IoT) |
| キーワード(2)（和/英） | 組み込みメモリ / Embedded memory |
| キーワード(3)（和/英） | ブーストコンバータ / Boost converter |
| キーワード(4)（和/英） | 抵抗変化型メモリ(ReRAM) / Resistive RAM (ReRAM) |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 田中 誠大 / Masahiro Tanaka |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 中央大学(略称：中大) Chuo University(略称：Chuo Univ.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 石井 智也 / Tomoya Ishii |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 中央大学(略称：中大) Chuo University(略称：Chuo Univ.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 蜂谷 尚悟 / Shogo Hachiya |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 中央大学(略称：中大) Chuo University(略称：Chuo Univ.) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 寧 渉洋 / Sheyang Ning |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 中央大学(略称：中大) Chuo University(略称：Chuo Univ.) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 竹内 健 / Ken Takeuchi |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 中央大学(略称：中大) Chuo University(略称：Chuo Univ.) |
| 発表年月日 | 2016-04-14 |
| 資料番号 | ICD2016-6 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | ICD-3 |
| ページ範囲 | pp.27-32(ICD), |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2016-04-07 (ICD) |