| 講演名 | 2016-04-09 ［招待講演］酸化物半導体を用いた不揮発性メモリ薄膜トランジスタの作製 尹 聖民(慶熙大), 金 昭淨(慶熙大), 朴 珉智(慶熙大), 尹 多貞(慶熙大), |
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| 抄録(和) | 可視光に対する透明性及び機械的な柔軟性を持ち備えた不揮発性メモリ素子は多様な興味深い応用に用いることができる。本稿では電荷注入型不揮発性薄膜トランジスタの作製及び作製した素子の電気特性について記述する。このメモリ素子のゲートスタックは酸化物薄膜を用いたブロックキング、電荷注入、トンネルリング、活性層の順で構成される。作製したメモリ薄膜トランジスタは透明かつ柔軟な特徴を持った上で優れたメモリ特性を示していることが確認できた。 |
| 抄録(英) | The embeddable nonvolatile memory devices with such characteristics as mechanical flexibility and/or transparency to the visible light can provide us very interesting applications. In this presentation, charge-trap type nonvolatile memory thin-film transistors (TFTs) and their device characteristics will be introduced, in which all-oxide gate-stack is composed of blocking, charge-trap, tunneling, and active oxide layers. Prototype transparent memory TFTs were fabricated and characterized and promising memory behaviors were successfully obtained. Finally, future perspectives for the nonvolatile memory applications using the oxide TFTs will be summarized. |
| キーワード(和) | 不揮発性メモリ / 薄膜トランジスタ / 酸化物半導体 / 電荷注入 |
| キーワード(英) | Nonvolatile Memory / Thin-Film Transistor / Oxide Semiconductor / Charge-Trap |
| 資料番号 | SDM2016-12,OME2016-12 |
| 発行日 | 2016-04-01 (SDM, OME) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM / OME |
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| 開催期間 | 2016/4/8(から2日開催) |
| 開催地（和） | 沖縄県立博物館・美術館 博物館講座室 |
| 開催地（英） | Okinawa Prefectural Museum & Art Museum |
| テーマ（和） | 薄膜（Si,化合物,有機,フレキシブル）機能デバイス・バイオテクノロジー・材料・評価技術および一般 |
| テーマ（英） | Thin film devices, etc |
| 委員長氏名（和） | 大野 裕三(筑波大) / 松田 直樹(産総研) |
| 委員長氏名（英） | Yuzou Oono(Univ. of Tsukuba) / Naoki Matsuda(AIST) |
| 副委員長氏名（和） | 国清 辰也(ルネサス エレクトロニクス) / 森 竜雄(愛知工大) |
| 副委員長氏名（英） | Tatsuya Kunikiyo(Renesas) / Tatsuo Mori(Aichi Inst. of Tech.) |
| 幹事氏名（和） | 黒田 理人(東北大) / 鴻野 晃洋(NTT) / 染谷 隆夫(東大) |
| 幹事氏名（英） | Rihito Kuroda(Tohoku Univ.) / Akihiro Kohno(NTT) / Takao Someya(Univ. of Tokyo) |
| 幹事補佐氏名（和） | 山口 直(ルネサス エレクトロニクス) / 梶井 博武(阪大) / 田口 大(東工大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Tadashi Yamaguchi(Renesas) / Hirotake Kajii(Osaka Univ.) / Dai Taguchi(Tokyo Inst. of Tech.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Silicon Device and Materials / Technical Committee on Organic Molecular Electronics |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ［招待講演］酸化物半導体を用いた不揮発性メモリ薄膜トランジスタの作製 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | [Invited Talk] Nonvolatile Memory Applications Using Oxide Thin-Film Transistors |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 不揮発性メモリ / Nonvolatile Memory |
| キーワード(2)（和/英） | 薄膜トランジスタ / Thin-Film Transistor |
| キーワード(3)（和/英） | 酸化物半導体 / Oxide Semiconductor |
| キーワード(4)（和/英） | 電荷注入 / Charge-Trap |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 尹 聖民 / Sung-Min Yoon |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 慶熙大学(略称：慶熙大) Kyung Hee University(略称：Kyung Hee Univ.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 金 昭淨 / So-Jung Kim |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 慶熙大学(略称：慶熙大) Kyung Hee University(略称：Kyung Hee Univ.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 朴 珉智 / Min-Ji Park |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 慶熙大学(略称：慶熙大) Kyung Hee University(略称：Kyung Hee Univ.) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 尹 多貞 / Da-Jeong Yun |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 慶熙大学(略称：慶熙大) Kyung Hee University(略称：Kyung Hee Univ.) |
| 発表年月日 | 2016-04-09 |
| 資料番号 | SDM2016-12,OME2016-12 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | SDM-1,OME-2 |
| ページ範囲 | pp.49-52(SDM), pp.49-52(OME), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2016-04-01 (SDM, OME) |