| 講演名 | 2016-03-22 Si MOSFET上に作製したCu-MoOx-Al抵抗変化型メモリを用いたSTDP制御回路とその評価 富崎 和正(九工大), 森江 隆(九工大), 安藤 秀幸(九工大), 福地 厚(北大), 有田 正志(北大), 高橋 庸夫(北大), |
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| 抄録(和) | ニューラルネットワークでの深層学習の実用化の進展に伴い，高速・低電力で学習を実行するニューラルハードウェア（集積回路）が開発されている．そのようなハードウェアは，ディジタル方式とアナログ方式に大別され，ディジタル方式の開発が先行しているが，より高い性能が期待されるアナログ方式の開発も活発化している．アナログ方式で最も重要な課題がアナログメモリ素子の開発である．近年，そのための有望な候補として抵抗変化型メモリ素子の研究が進み，その素子を用いて学習機能を内蔵した集積回路の報告もなされている．学習則としては主にスパイクタイミングシナプス可塑性（STDP）の実装が試みられている．本稿では，酸化モリブデンを主材料とする抵抗変化型メモリ素子のアナログメモリ特性を評価し，STDP制御回路を設計して，非対称STDP特性を実現した結果を報告する． |
| 抄録(英) | With the progress of practical implementation of deep learning in neural networks, high-speed and low-power neural hardware (very-large-scale integrated circuits) that performs learning operation is being developed. The circuit architecture of such hardware is classified into digital and analog. Several digital neural integrated circuits have already been developed, and analog neural integrated circuits, which are expected to achieve higher performance, are also being developed. The most crucial issue for analog neural circuits is development of analog memory devices. Recently, as promising such devices, resistance change memory devices are actively studied, and some analog neural circuits with learning mechanisms using such devices have been reported. Spike-timing dependent plasticity (STDP) is often tried to implement as a learning rule. In this paper, we report evaluation results of analog memory characteristics of resistance change memory devices including Molybdenum oxide, design of memory control circuits implementing STDP, and experimental results of memory operation with asymmetric STDP characteristics. |
| キーワード(和) | 抵抗変化型メモリ / ニューラルネットワークハードウェア / STDP制御回路 / SET/RESET動作 |
| キーワード(英) | resistance change memory / neural network hardware / STDP control circuit / SET/RESET operation |
| 資料番号 | NC2015-70 |
| 発行日 | 2016-03-15 (NC) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | MBE / NC |
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| 開催期間 | 2016/3/22(から2日開催) |
| 開催地（和） | 玉川大学 |
| 開催地（英） | Tamagawa University |
| テーマ（和） | ME, 一般 |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | 小林 哲生(京大) / 斎藤 利通(法政大) |
| 委員長氏名（英） | Tetsuo Kobayashi(Kyoto Univ.) / Toshimichi Saito(Hosei Univ.) |
| 副委員長氏名（和） | 福岡 豊(工学院大) / 佐藤 茂雄(東北大) |
| 副委員長氏名（英） | Yutaka Fukuoka(Kogakuin Univ.) / Shigeo Sato(Tohoku Univ.) |
| 幹事氏名（和） | 中村 和浩(秋田脳研) / 田中 久弥(工学院大) / 堀尾 恵一(九工大) / 田中 宏喜(京都産大) |
| 幹事氏名（英） | Kazuhiro Nakamura(akita noken) / Hisaya Tanaka(Kogakuin Univ.) / Keiichi Horio(Kyushu Inst. of Tech.) / Hiroki Tanaka(Kyoto Sangyo Univ.) |
| 幹事補佐氏名（和） | 笈田 武範(京大) / 堀江 亮太(芝浦工大) / 神原 裕行(東工大) / 秋間 学尚(東北大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Takenori Oida(Kyoto Univ.) / Ryota Horie(Shibaura Inst. of Tech.) / Hiroyuki Kanbara(Tokyo Inst. of Tech.) / Hisanao Akima(Tohoku Univ.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on ME and Bio Cybernetics / Technical Committee on Neurocomputing |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Si MOSFET上に作製したCu-MoOx-Al抵抗変化型メモリを用いたSTDP制御回路とその評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | An STDP control circuit and its evaluation using a Cu-MoOx-Al resistance change memory fabricated on a Si MOSFET |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 抵抗変化型メモリ / resistance change memory |
| キーワード(2)（和/英） | ニューラルネットワークハードウェア / neural network hardware |
| キーワード(3)（和/英） | STDP制御回路 / STDP control circuit |
| キーワード(4)（和/英） | SET/RESET動作 / SET/RESET operation |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 富崎 和正 / Kazumasa Tomizaki |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 九州工業大学(略称：九工大) Kyushu Institute of Technology(略称：Kyushu Inst. Tech.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 森江 隆 / Takashi Morie |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 九州工業大学(略称：九工大) Kyushu Institute of Technology(略称：Kyushu Inst. Tech.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 安藤 秀幸 / Hideyuki Ando |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 九州工業大学(略称：九工大) Kyushu Institute of Technology(略称：Kyushu Inst. Tech.) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 福地 厚 / Atsushi Fukuchi |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 北海道大学(略称：北大) Hokkaido University(略称：Hokkaido Univ.) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 有田 正志 / Masashi Arita |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 北海道大学(略称：北大) Hokkaido University(略称：Hokkaido Univ.) |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 高橋 庸夫 / Yasuo Takahashi |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 北海道大学(略称：北大) Hokkaido University(略称：Hokkaido Univ.) |
| 発表年月日 | 2016-03-22 |
| 資料番号 | NC2015-70 |
| 巻番号（vol） | vol.115 |
| 号番号（no） | NC-514 |
| ページ範囲 | pp.7-12(NC), |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2016-03-15 (NC) |