| 講演名 | 2016-04-15 ［招待講演］車載向け高温Tj=175℃書換え1億回以上、エネルギー0.07mJ/8kBの90nm 1T-MONOS eFlashの開発 中西 悟(ルネサス エレクトロニクス), 三谷 秀徳(ルネサス エレクトロニクス), 松原 謙(ルネサス エレクトロニクス), 吉田 浩(ルネサス エレクトロニクス), 河野 隆司(ルネサス エレクトロニクス), 帯刀 恭彦(ルネサス エレクトロニクス), 伊藤 孝(ルネサス エレクトロニクス), 倉藤 崇(ルネサス エレクトロニクス), 野口 健二(ルネサス エレクトロニクス), 日高 秀人(ルネサス エレクトロニクス), 山内 忠明(ルネサス エレクトロニクス), |
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| 抄録(和) | 車載用途のフラッシュメモリを混載したマイコン向けに、90nmプロセスの1T-MONOS構造を採用した混載用フラッシュマクロを開発し、リードディスターブフリーなメモリアレイ構造により、車載品質への対応を可能とした。リードディスターブだけでなく、スロープパルスの適応制御によりTj=175℃で1億回以上の書換え耐性と書換え時の消費エネルギー0.07mJ/8kBを実現した。また、1T-MONOSベースの低消費MCUシステムにより従来システムに比べエンジン停止時の消費電力を99%削減可能とした。 |
| 抄録(英) | A first-ever 90nm embedded 1T-MONOS Flash macro is presented to realize automotive reliability and simple process integration. Read Disturb Free Array Architecture fully solves conventional read disturb issue in 1T-MONOS for automotive use. Adaptable Slope Pulse Control (ASPC) technique can achieve endurance over 100M cycles at Tj = 175°C and P/E current of only 98uA. Idling P/E Management Unit (IPEMU) scheme can reduce power consumption in Automotive Analog system by 99%. |
| キーワード(和) | 車載用途 / 混載用フラッシュメモリ / 高書換え耐性 / 低消費電力 / 1T-MONOS |
| キーワード(英) | for Automotive / embedded Flash memory / high P/E endurance / low power consumption / 1T-MONOS |
| 資料番号 | ICD2016-15 |
| 発行日 | 2016-04-07 (ICD) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 2016/4/14(から2日開催) |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | メモリ技術と一般 |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | 藤島 実(広島大) |
| 委員長氏名（英） | Minoru Fujishima(Hiroshima Univ.) |
| 副委員長氏名（和） | 日高 秀人(ルネサス エレクトロニクス) |
| 副委員長氏名（英） | Hideto Hidaka(Renesas) |
| 幹事氏名（和） | 吉田 毅(広島大) |
| 幹事氏名（英） | Takeshi Yoshida(Hiroshima Univ.) |
| 幹事補佐氏名（和） | 高宮 真(東大) / 岩崎 裕江(NTT) / 橋本 隆(パナソニック) / 伊藤 浩之(東工大) / 範 公可(電通大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Makoto Takamiya(Univ. of Tokyo) / Hiroe Iwasaki(NTT) / Takashi Hashimoto(Panasonic) / Hiroyuki Ito(Tokyo Inst. of Tech.) / Pham Konkuha(Univ. of Electro-Comm.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Integrated Circuits and Devices |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ［招待講演］車載向け高温Tj=175℃書換え1億回以上、エネルギー0.07mJ/8kBの90nm 1T-MONOS eFlashの開発 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | [Invited Talk] A 90nm Embedded 1T-MONOS Flash Macro for Automotive Applications with 0.07mJ/8kB Rewrite Energy and Endurance Over 100M Cycles Under Tj of 175°C |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 車載用途 / for Automotive |
| キーワード(2)（和/英） | 混載用フラッシュメモリ / embedded Flash memory |
| キーワード(3)（和/英） | 高書換え耐性 / high P/E endurance |
| キーワード(4)（和/英） | 低消費電力 / low power consumption |
| キーワード(5)（和/英） | 1T-MONOS / 1T-MONOS |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 中西 悟 / Satoru Nakanishi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス株式会社(略称：ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics(略称：Renesas) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 三谷 秀徳 / Hidenori Mitani |
| 第 2 著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス株式会社(略称：ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics(略称：Renesas) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 松原 謙 / Ken Matsubara |
| 第 3 著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス株式会社(略称：ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics(略称：Renesas) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 吉田 浩 / Hiroshi Yoshida |
| 第 4 著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス株式会社(略称：ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics(略称：Renesas) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 河野 隆司 / Takashi Kono |
| 第 5 著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス株式会社(略称：ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics(略称：Renesas) |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 帯刀 恭彦 / Yasuhiko Taito |
| 第 6 著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス株式会社(略称：ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics(略称：Renesas) |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 伊藤 孝 / Takashi Ito |
| 第 7 著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス株式会社(略称：ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics(略称：Renesas) |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 倉藤 崇 / Takashi Kurafuji |
| 第 8 著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス株式会社(略称：ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics(略称：Renesas) |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 野口 健二 / Kenji Noguchi |
| 第 9 著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス株式会社(略称：ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics(略称：Renesas) |
| 第 10 著者 氏名（和/英） | 日高 秀人 / Hideto Hidaka |
| 第 10 著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス株式会社(略称：ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics(略称：Renesas) |
| 第 11 著者 氏名（和/英） | 山内 忠明 / Tadaaki Yamauchi |
| 第 11 著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス株式会社(略称：ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics(略称：Renesas) |
| 発表年月日 | 2016-04-15 |
| 資料番号 | ICD2016-15 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | ICD-3 |
| ページ範囲 | pp.77-81(ICD), |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2016-04-07 (ICD) |