| 講演名 | 2016-03-04 強誘電性Y:HfO2薄膜におけるナノスケールドメイン反転 陳 舟(東北大), 平永 良臣(東北大), 清水 荘雄(東工大), 片山 きりは(東工大), 三村 和仙(東工大), 舟窪 浩(東工大), 長 康雄(東北大), |
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| 抄録(和) | 近年，Y:HfO2薄膜など，酸化ハフニウム薄膜の強誘電性が相続き証明された．しかしながら，これまでの研究では，直接的に強誘電体の分極反転をナノスケールで観察する実験はほとんどいなかった．本研究では，強誘電体の分極反転をナノスケールで観察できる走査型非線形誘電率顕微鏡(SNDM)を用いて，膜厚11nmのエピタキシャル配向Y:HfO2薄膜の観察とドメイン反転実験を行った．SNDMによってY:HfO2強誘電体薄膜の観察が可能であることを証明した．さらに，先端が非常に細い探針を用いて，Y:HfO2薄膜表面にパルス電圧を印加した，直径26nm近くのドットを書き込んだ．Y:HfO2を強誘電体記録媒体として使う可能性があることが示された． |
| 抄録(英) | In recent years, ferroelectricity in hafnium oxide thin film such as Y:HfO2 thin film has been demonstrated. But until now, there is few researches in which the polarization inversion of ferroelectric thin film at nanoscale has been observed directly. In this research, we used scanning nonlinear dielectric microscopy (SNDM) to observe an epitaxial orientation Y:HfO2 thin film with a thickness of 11nm and performed a domain inversion experiment on it. So that we confirmed that ferroelectricity of Y:HfO2 thin film can be observed by SDNM. And then we applied pulse voltage to the thin film surface by using a very fine probe tip. As a result, dots with diameter of about 26nm were formed. This shows the capability of Y:HfO2 to be used as media of ferroelectric data storage. |
| キーワード(和) | 酸化ハフニウム薄膜 / 走査型非線形誘電率顕微鏡 / 強誘電体記録 |
| キーワード(英) | Hafnium Oxide Thin Film / Scanning Nonlinear Dielectric Microscopy / Ferroelectric Data Storage |
| 資料番号 | MR2015-34 |
| 発行日 | 2016-02-26 (MR) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | MR / ITE-MMS / IEE-MAG |
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| 開催期間 | 2016/3/4(から1日開催) |
| 開催地（和） | 名古屋大学 |
| 開催地（英） | Nagoya Univ. |
| テーマ（和） | 光記録，一般 |
| テーマ（英） | Optical recording, etc. |
| 委員長氏名（和） | 五十嵐 万壽和(*) / 宮下 英一(NHK) / 山口 正洋(東北大) |
| 委員長氏名（英） | Masukazu Igarashi(*) / Eiichi Miyashita(NHK) / Masahiro Yamaguchi(Tohoku Univ.) |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | 神邊 哲也(昭和電工) / 白鳥 聡志(東芝) / 川前 治(日立マクセル) / 桜田 新哉(東芝) / 小原 学(明治大) |
| 幹事氏名（英） | Tetsuya Kanbe(Syowa Denko) / Satoshi Shirotori(Toshiba) / Osamu Kawamae(Hitachi Maxell) / Shinya Sakurada(Toshiba Co.) / Gaku Obara(Meji Univ.) |
| 幹事補佐氏名（和） | 赤城 文子(工学院大) / 島 隆之(産総研) / / 山田 啓壽(東芝) |
| 幹事補佐氏名（英） | Fumiko Akagi(Kogakuin Univ.) / Takayuki Shima(AIST) / / Keiju Yamada(Toshiba Co.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Magnetic Recording / Technical Group on Multi-media Storage / Technical Meeting on Magnetics |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 強誘電性Y:HfO2薄膜におけるナノスケールドメイン反転 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Nanoscale domain inversion in ferroelectric Y:HfO2 thin film |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 酸化ハフニウム薄膜 / Hafnium Oxide Thin Film |
| キーワード(2)（和/英） | 走査型非線形誘電率顕微鏡 / Scanning Nonlinear Dielectric Microscopy |
| キーワード(3)（和/英） | 強誘電体記録 / Ferroelectric Data Storage |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 陳 舟 / Zhou Chen |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東北大学(略称：東北大) Tohoku University(略称：Tohoku Univ.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 平永 良臣 / Yoshiomi Hiranaga |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東北大学(略称：東北大) Tohoku University(略称：Tohoku Univ.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 清水 荘雄 / Takao Shimizu |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京工業大学(略称：東工大) Tokyo Institute of Technology(略称：Tokyo Tech) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 片山 きりは / Kiriha Katayama |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東京工業大学(略称：東工大) Tokyo Institute of Technology(略称：Tokyo Tech) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 三村 和仙 / Takanori Mimura |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 東京工業大学(略称：東工大) Tokyo Institute of Technology(略称：Tokyo Tech) |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 舟窪 浩 / Hiroshi Funakubo |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 東京工業大学(略称：東工大) Tokyo Institute of Technology(略称：Tokyo Tech) |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 長 康雄 / Yasuo Cho |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 東北大学(略称：東北大) Tohoku University(略称：Tohoku Univ.) |
| 発表年月日 | 2016-03-04 |
| 資料番号 | MR2015-34 |
| 巻番号（vol） | vol.115 |
| 号番号（no） | MR-490 |
| ページ範囲 | pp.29-32(MR), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2016-02-26 (MR) |