| 講演名 | 2016-03-03 シリコン酸化膜界面欠陥の低温チャージポンピング 渡辺 時暢(富山大), 堀 匡寛(富山大), 小野 行徳(富山大), |
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| 抄録(和) | SOI基板上に作製したゲート付PINダイオードのチャージポンピング電流を7-300Kの温度範囲で測定し，100K以下の温度では，チャージポンピング電流がバックゲート電圧の極性に強く依存することを見いだした．また，チャージポンピングに用いるパルスの立ち上がり，立下り時間依存性も，バックゲート電圧の極性により異なることを見出した．これらの結果は，SOIデバイスを用いた低温チャージポンピングにより，伝導帯近傍と価電子帯近傍の界面欠陥状態密度を分離して計測できることを示唆している． |
| 抄録(英) | The charge pumping (CP) currents are measured at 7 – 300 K with a SOI PIN diode. The CP current is found to exhibit a strong polarity dependence of the backgate bias. The dependence of the CP current on the rising/falling time has also a strong polarity dependence of the backgate bias. These results suggest that the low-temperature CP on the SOI devices enables us to obtain the density of state profile near the conduction and valence-band edges separately. |
| キーワード(和) | チャージポンピング / 界面欠陥 / SOI / 低温 |
| キーワード(英) | charge pumping / interface defects / SOI / low-temperature |
| 資料番号 | ED2015-125,SDM2015-132 |
| 発行日 | 2016-02-25 (ED, SDM) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED / SDM |
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| 開催期間 | 2016/3/3(から2日開催) |
| 開催地（和） | 北海道大学百年記念会館 |
| 開催地（英） | Centennial Hall, Hokkaido Univ. |
| テーマ（和） | 機能ナノデバイスおよび関連技術 |
| テーマ（英） | Functional Nanodevices and Related Technologies |
| 委員長氏名（和） | 前澤 宏一(富山大) / 大野 裕三(筑波大) |
| 委員長氏名（英） | Koichi Maezawa(Univ. of Toyama) / Yuzou Oono(Univ. of Tsukuba) |
| 副委員長氏名（和） | 津田 邦男(東芝) / 国清 辰也(ルネサス エレクトロニクス) |
| 副委員長氏名（英） | Kunio Tsuda(Toshiba) / Tatsuya Kunikiyo(Renesas) |
| 幹事氏名（和） | 松永 高治(NEC) / 鈴木 寿一(北陸先端大) / 黒田 理人(東北大) |
| 幹事氏名（英） | Koji Matsunaga(NEC) / Toshikazu Suzuki(JAIST) / Rihito Kuroda(Tohoku Univ.) |
| 幹事補佐氏名（和） | 新井 学(新日本無線) / 東脇 正高(NICT) / 山口 直(ルネサス エレクトロニクス) |
| 幹事補佐氏名（英） | Manabu Arai(New JRC) / Masataka Higashiwaki(NICT) / Tadashi Yamaguchi(Renesas) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Electron Device / Technical Committee on Silicon Device and Materials |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | シリコン酸化膜界面欠陥の低温チャージポンピング |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Low-temperature charge pumping for SiO2/Si interface states |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | チャージポンピング / charge pumping |
| キーワード(2)（和/英） | 界面欠陥 / interface defects |
| キーワード(3)（和/英） | SOI / SOI |
| キーワード(4)（和/英） | 低温 / low-temperature |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 渡辺 時暢 / Tokinobu Watanabe |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 富山大学(略称：富山大) University of Toyama(略称：Univ. of Toyama) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 堀 匡寛 / Masahiro Hori |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 富山大学(略称：富山大) University of Toyama(略称：Univ. of Toyama) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 小野 行徳 / Yukinori Ono |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 富山大学(略称：富山大) University of Toyama(略称：Univ. of Toyama) |
| 発表年月日 | 2016-03-03 |
| 資料番号 | ED2015-125,SDM2015-132 |
| 巻番号（vol） | vol.115 |
| 号番号（no） | ED-469,SDM-470 |
| ページ範囲 | pp.23-26(ED), pp.23-26(SDM), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2016-02-25 (ED, SDM) |