| 講演名 | 2016-03-03 ナノワイヤサーモパイル型赤外線センサのための均一SiGe混晶の成長と熱電特性 池田 浩也(静岡大), ムスサミ オンプラカシュ(静岡大), 早川 泰弘(静岡大), |
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| 抄録(和) | 我々は,サーモパイル型赤外線センサの感度向上のために,SiGe ナノワイヤの導入に注目している.本研 究では,実際に SiGe ナノワイヤでサーモパイルを作製するのに必要となる SiGe 混晶について,独自に開発した温度 傾斜溶質輸送結晶成長法を用いて,均一組成の Si1－xGex 混晶を得ることに成功した.その結晶成長機構を解明する ために,X 線透過法によるその場観察を行い,溶質対流による Si 原子の輸送や結晶化の開始点などを明らかにした. さら Ga および Sb をドープすることにより p 型および n 型 Si1－xGex 混晶を作製し,熱電特性について調べた. |
| 抄録(英) | With the aim of realizing high-sensitivity thermopile infrared-photodetectors, we have investigated the enhancement of the thermoelectric performance by introducing SiGe nanowires. In the present study, we successfully produced compositionally homogeneous Si1－xGex polycrystals, which is required for fabrication of SiGe nanowires, using a temperature gradient growth method established by ourselves. In-situ x-ray penetration method was used for clarifying the detail growth mechanism, and Si transport due to solutal convection and crystalization position were made clear. In addition, we formed p- and n-type Si1－xGex by doping Ga and Sb, respectively. Their thermoelectric characteristics were also evaluated. |
| キーワード(和) | 赤外線センサ / 熱電変換 / SiGe混晶 / ゼーベック係数 / 性能指数 |
| キーワード(英) | IR photodetector / thermoelectrics / SiGe / Seebeck coefficient / figure of merit |
| 資料番号 | ED2015-124,SDM2015-131 |
| 発行日 | 2016-02-25 (ED, SDM) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED / SDM |
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| 開催期間 | 2016/3/3(から2日開催) |
| 開催地（和） | 北海道大学百年記念会館 |
| 開催地（英） | Centennial Hall, Hokkaido Univ. |
| テーマ（和） | 機能ナノデバイスおよび関連技術 |
| テーマ（英） | Functional Nanodevices and Related Technologies |
| 委員長氏名（和） | 前澤 宏一(富山大) / 大野 裕三(筑波大) |
| 委員長氏名（英） | Koichi Maezawa(Univ. of Toyama) / Yuzou Oono(Univ. of Tsukuba) |
| 副委員長氏名（和） | 津田 邦男(東芝) / 国清 辰也(ルネサス エレクトロニクス) |
| 副委員長氏名（英） | Kunio Tsuda(Toshiba) / Tatsuya Kunikiyo(Renesas) |
| 幹事氏名（和） | 松永 高治(NEC) / 鈴木 寿一(北陸先端大) / 黒田 理人(東北大) |
| 幹事氏名（英） | Koji Matsunaga(NEC) / Toshikazu Suzuki(JAIST) / Rihito Kuroda(Tohoku Univ.) |
| 幹事補佐氏名（和） | 新井 学(新日本無線) / 東脇 正高(NICT) / 山口 直(ルネサス エレクトロニクス) |
| 幹事補佐氏名（英） | Manabu Arai(New JRC) / Masataka Higashiwaki(NICT) / Tadashi Yamaguchi(Renesas) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Electron Device / Technical Committee on Silicon Device and Materials |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ナノワイヤサーモパイル型赤外線センサのための均一SiGe混晶の成長と熱電特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Growth and thermoelectric properties of compositionally homogeneous SiGe for nanowire thermopile infrared photodetector |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 赤外線センサ / IR photodetector |
| キーワード(2)（和/英） | 熱電変換 / thermoelectrics |
| キーワード(3)（和/英） | SiGe混晶 / SiGe |
| キーワード(4)（和/英） | ゼーベック係数 / Seebeck coefficient |
| キーワード(5)（和/英） | 性能指数 / figure of merit |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 池田 浩也 / Hiroya Ikeda |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 静岡大学(略称：静岡大) Shizuoka University(略称：Shizuoka Univ.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | ムスサミ オンプラカシュ / Muthusamy Omprakash |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 静岡大学(略称：静岡大) Shizuoka University(略称：Shizuoka Univ.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 早川 泰弘 / Yasuhiro Hayakawa |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 静岡大学(略称：静岡大) Shizuoka University(略称：Shizuoka Univ.) |
| 発表年月日 | 2016-03-03 |
| 資料番号 | ED2015-124,SDM2015-131 |
| 巻番号（vol） | vol.115 |
| 号番号（no） | ED-469,SDM-470 |
| ページ範囲 | pp.19-22(ED), pp.19-22(SDM), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2016-02-25 (ED, SDM) |