| 講演名 | 2016-03-03 ［招待講演］酸化物半導体を用いた薄膜デバイス応用の新展開 前元 利彦(阪工大), 孫 屹(阪工大), 松田 宗平(阪工大), 佐々木 翔太(阪工大), 芦田 浩平(阪工大), カルトシュタイン オリバー(阪工大), 小山 政俊(阪工大), 小池 一歩(阪工大), 矢野 満明(阪工大), 佐々 誠彦(阪工大), |
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| 抄録(和) | 酸化物半導体のデバイス応用として，フレキシブル酸化亜鉛（Zinc oxide; ZnO）薄膜トランジスタの開発と高性能化、プラスチック基板上ZnO薄膜トランジスタの曲げ耐性評価、ZnOトランジスタの完全透明化，ZnOセルフスイッチングナノダイオードの開発を行った．本稿では，それらの研究において得られた成果と知見について報告する． |
| 抄録(英) | We report on the fabrication and characterization of flexible thin-film-transistors using a transparent zinc oxide (ZnO) semiconductor. Characterizations in bending experiments of flexible ZnO-TFTs and DC characteristics for fully transparent ZnO-TFTs were reported. The self-switching nano-diodes (SSD) were fabricated by using electron beam lithography and wet chemical etching at room temperature. ZnO-SSDs on glass substrate and a fully transparent ZnO-SSD were also characterized for transparent device applications. |
| キーワード(和) | 酸化亜鉛 / 透明 / フレキシブル / 薄膜トランジスタ / セルフスイッチング型ナノダイオード |
| キーワード(英) | Zinc oxide / Transparent / Flexible / Thin-film transistor / Self-switching nano-diode |
| 資料番号 | ED2015-121,SDM2015-128 |
| 発行日 | 2016-02-25 (ED, SDM) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED / SDM |
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| 開催期間 | 2016/3/3(から2日開催) |
| 開催地（和） | 北海道大学百年記念会館 |
| 開催地（英） | Centennial Hall, Hokkaido Univ. |
| テーマ（和） | 機能ナノデバイスおよび関連技術 |
| テーマ（英） | Functional Nanodevices and Related Technologies |
| 委員長氏名（和） | 前澤 宏一(富山大) / 大野 裕三(筑波大) |
| 委員長氏名（英） | Koichi Maezawa(Univ. of Toyama) / Yuzou Oono(Univ. of Tsukuba) |
| 副委員長氏名（和） | 津田 邦男(東芝) / 国清 辰也(ルネサス エレクトロニクス) |
| 副委員長氏名（英） | Kunio Tsuda(Toshiba) / Tatsuya Kunikiyo(Renesas) |
| 幹事氏名（和） | 松永 高治(NEC) / 鈴木 寿一(北陸先端大) / 黒田 理人(東北大) |
| 幹事氏名（英） | Koji Matsunaga(NEC) / Toshikazu Suzuki(JAIST) / Rihito Kuroda(Tohoku Univ.) |
| 幹事補佐氏名（和） | 新井 学(新日本無線) / 東脇 正高(NICT) / 山口 直(ルネサス エレクトロニクス) |
| 幹事補佐氏名（英） | Manabu Arai(New JRC) / Masataka Higashiwaki(NICT) / Tadashi Yamaguchi(Renesas) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Electron Device / Technical Committee on Silicon Device and Materials |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ［招待講演］酸化物半導体を用いた薄膜デバイス応用の新展開 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | [Invited Talk] A Recent Development in Thin-Film Device Applications using Oxide Semiconductors |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 酸化亜鉛 / Zinc oxide |
| キーワード(2)（和/英） | 透明 / Transparent |
| キーワード(3)（和/英） | フレキシブル / Flexible |
| キーワード(4)（和/英） | 薄膜トランジスタ / Thin-film transistor |
| キーワード(5)（和/英） | セルフスイッチング型ナノダイオード / Self-switching nano-diode |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 前元 利彦 / Toshihiko Maemoto |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 大阪工業大学(略称：阪工大) Osaka Institute of Technology(略称：Osaka Inst. Tech.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 孫 屹 / Yi Sun |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 大阪工業大学(略称：阪工大) Osaka Institute of Technology(略称：Osaka Inst. Tech.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 松田 宗平 / Souhei Matsuda |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 大阪工業大学(略称：阪工大) Osaka Institute of Technology(略称：Osaka Inst. Tech.) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 佐々木 翔太 / Shota Sasaki |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 大阪工業大学(略称：阪工大) Osaka Institute of Technology(略称：Osaka Inst. Tech.) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 芦田 浩平 / Kouhei Ashida |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 大阪工業大学(略称：阪工大) Osaka Institute of Technology(略称：Osaka Inst. Tech.) |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | カルトシュタイン オリバー / Oliver Kaltstein |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 大阪工業大学(略称：阪工大) Osaka Institute of Technology(略称：Osaka Inst. Tech.) |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 小山 政俊 / Masatoshi Koyama |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 大阪工業大学(略称：阪工大) Osaka Institute of Technology(略称：Osaka Inst. Tech.) |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 小池 一歩 / Kazuto Koike |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 大阪工業大学(略称：阪工大) Osaka Institute of Technology(略称：Osaka Inst. Tech.) |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 矢野 満明 / Mitsuaki Yano |
| 第 9 著者 所属（和/英） | 大阪工業大学(略称：阪工大) Osaka Institute of Technology(略称：Osaka Inst. Tech.) |
| 第 10 著者 氏名（和/英） | 佐々 誠彦 / Shigehiko Sasa |
| 第 10 著者 所属（和/英） | 大阪工業大学(略称：阪工大) Osaka Institute of Technology(略称：Osaka Inst. Tech.) |
| 発表年月日 | 2016-03-03 |
| 資料番号 | ED2015-121,SDM2015-128 |
| 巻番号（vol） | vol.115 |
| 号番号（no） | ED-469,SDM-470 |
| ページ範囲 | pp.1-6(ED), pp.1-6(SDM), |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2016-02-25 (ED, SDM) |