講演名 2016-01-28
[招待講演]ファンデルワールス接合の作製と量子輸送現象
町田 友樹(東大), 守谷 頼(東大), 佐田 洋太(東大), 山口 健洋(東大), 荒井 美穂(東大), 矢吹 直人(東大), 森川 生(東大), 増渕 覚(東大), 上野 啓司(埼玉大),
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抄録(和) グラフェンや二次元層状物質をファンデルワールス力で積層した、ファンデルワールス接合を用いた新機能素子実現の試みについて述べる。(1) グラフェン/MoS2接合を利用した縦型電界効果トランジスタの実現。(2) Fe0.25TaS2/Fe0.25TaS2磁気トンネル接合におけるトンネル磁気抵抗効果の観測。(3) NbSe2/NbSe2接合におけるジョセフソン効果の観測。
抄録(英) Recent advances in transfer techniques of atomic layers have enabled one to fabricate van der Waals junctions of two-dimensional (2D) crystals such as graphene, hexagonal boron nitride (h-BN), and transition-metal dichalcogenides (TMDs). Here, we present our recent experiments in graphene/2D crystal van der Waals junctions: (i) large current modulation in metal/TMD/graphene vertical FET, (ii) tunneling magnetoresistance in Fe0.25TaS2/ Fe0.25TaS2 junctions, (iii) Josephson effect in NbSe2/NbSe2 junctions.
キーワード(和) ファンデルワールス接合 / 縦型電界効果トランジスタ / 磁気トンネル接合 / ジョセフソン接合
キーワード(英) van der Waals Junctions / Vertical Field-Effect Transistor / Magnetic tunnel junction / Josephson junction
資料番号 SDM2015-123
発行日 2016-01-21 (SDM)

研究会情報
研究会 SDM
開催期間 2016/1/28(から1日開催)
開催地(和) 機械振興会館
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg.
テーマ(和) 先端CMOSデバイス・ プロセス技術(IEDM特集)
テーマ(英)
委員長氏名(和) 大野 裕三(筑波大)
委員長氏名(英) Yuzou Oono(Univ. of Tsukuba)
副委員長氏名(和) 国清 辰也(ルネサス エレクトロニクス)
副委員長氏名(英) Tatsuya Kunikiyo(Renesas)
幹事氏名(和) 黒田 理人(東北大)
幹事氏名(英) Rihito Kuroda(Tohoku Univ.)
幹事補佐氏名(和) 山口 直(ルネサス エレクトロニクス)
幹事補佐氏名(英) Tadashi Yamaguchi(Renesas)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Technical Committee on Silicon Device and Materials
本文の言語 JPN
タイトル(和) [招待講演]ファンデルワールス接合の作製と量子輸送現象
サブタイトル(和)
タイトル(英) [Invited Talk] Van der Waals Junctions of Layered 2D Materials for Functional Devices
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) ファンデルワールス接合 / van der Waals Junctions
キーワード(2)(和/英) 縦型電界効果トランジスタ / Vertical Field-Effect Transistor
キーワード(3)(和/英) 磁気トンネル接合 / Magnetic tunnel junction
キーワード(4)(和/英) ジョセフソン接合 / Josephson junction
第 1 著者 氏名(和/英) 町田 友樹 / Tomoki Machida
第 1 著者 所属(和/英) 東京大学(略称:東大)
University of Tokyo(略称:Univ. of Tokyo)
第 2 著者 氏名(和/英) 守谷 頼 / Rai Moritani
第 2 著者 所属(和/英) 東京大学(略称:東大)
University of Tokyo(略称:Univ. of Tokyo)
第 3 著者 氏名(和/英) 佐田 洋太 / Yohta Sata
第 3 著者 所属(和/英) 東京大学(略称:東大)
University of Tokyo(略称:Univ. of Tokyo)
第 4 著者 氏名(和/英) 山口 健洋 / Takehiro Yamaguchi
第 4 著者 所属(和/英) 東京大学(略称:東大)
University of Tokyo(略称:Univ. of Tokyo)
第 5 著者 氏名(和/英) 荒井 美穂 / Miho Arai
第 5 著者 所属(和/英) 東京大学(略称:東大)
University of Tokyo(略称:Univ. of Tokyo)
第 6 著者 氏名(和/英) 矢吹 直人 / Naoto Yabuki
第 6 著者 所属(和/英) 東京大学(略称:東大)
University of Tokyo(略称:Univ. of Tokyo)
第 7 著者 氏名(和/英) 森川 生 / Sei Morikawa
第 7 著者 所属(和/英) 東京大学(略称:東大)
University of Tokyo(略称:Univ. of Tokyo)
第 8 著者 氏名(和/英) 増渕 覚 / Satoru Masubuchi
第 8 著者 所属(和/英) 東京大学(略称:東大)
University of Tokyo(略称:Univ. of Tokyo)
第 9 著者 氏名(和/英) 上野 啓司 / Keiji Ueno
第 9 著者 所属(和/英) 埼玉大学(略称:埼玉大)
Saitama University(略称:Saitama Univ.)
発表年月日 2016-01-28
資料番号 SDM2015-123
巻番号(vol) vol.115
号番号(no) SDM-440
ページ範囲 pp.13-16(SDM),
ページ数 4
発行日 2016-01-21 (SDM)