| 講演名 | 2016-02-19 Si上Ge層を用いた近赤外受光器の高性能化 石川 靖彦(東大), 宮坂 祐司(東大), 伊藤 和貴(東大), 永友 翔(東大), 和田 一実(東大), |
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| 抄録(和) | 超高真空化学気相堆積法によりSi上へエピタキシャル成長したGe層を用い、シリコンフォトニクス 用近赤外受光器を作製した。電流–電圧特性および受光スペクトル特性を報告するとともに、高性能化のための結晶 成長プロセスを議論する。 |
| 抄録(英) | Near-infrared photodiodes for Si photonics are fabricated using Ge epitaxial layers on Si grown byultrahigh-vacuum chemical vapor deposition. Current-voltage characteristics and spectral responsivity are reported. Growth processes are discussed to realize higher-performance photodiodes. |
| キーワード(和) | シリコンフォトニクス / ゲルマニウム / エピタキシャル成長 / 近赤外受光器 |
| キーワード(英) | Si Photonics / Germanium / Epitaxial Growth / Near-infrared Photodetectors |
| 資料番号 | OCS2015-107,OFT2015-62,OPE2015-227 |
| 発行日 | 2016-02-11 (OCS, OFT, OPE) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OFT / OCS / OPE |
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| 開催期間 | 2016/2/18(から2日開催) |
| 開催地（和） | 沖縄大学 |
| 開催地（英） | Okinawa Univ. |
| テーマ（和） | 光波センシング、光波制御・検出、光計測、ニューロ、光ファイバ（ホーリーファイバ、マルチコアファイバ等含む）伝送とファイバ光増幅・接続技術、 光ファイバ計測応用、通信用光ファイバ、光ファイバコード・ケーブル、機能性光ファイバ、空間分割多重（SDM）光ファイバ技術、光接続・コネクタ・配線技術、光インターコネクション、光線路保守監視・試験技術、光ファイバ測定技術、一般 |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | 成瀬 央(三重大) / 福知 清(NEC) / 植之原 裕行(東工大) |
| 委員長氏名（英） | Hiroshi Naruse(Mie Univ.) / Kiyoshi Fukuchi(NEC) / Hiroyuki Uenohara(Tokyo Inst. of Tech.) |
| 副委員長氏名（和） | / 平野 章(NTT) / 小川 憲介(フジクラ) |
| 副委員長氏名（英） | / Akira Hirano(NTT) / Kensuke Ogawa(Fujikura) |
| 幹事氏名（和） | 山本 文彦(NTT) / 村田 暁(フジクラ) / 市井 健太郎(フジクラ) / 小林 孝行(NTT) / 中川 剛二(富士通研) / 鈴木 賢哉(NTT) |
| 幹事氏名（英） | Fumihiko Yamamoto(NTT) / Akira Murata(Fujikura) / Kentaro Ichii(Fujikura) / Takayuki Kobayashi(NTT) / Goji Nakagawa(Fujitsu Labs.) / Kenya Suzuki(NTT) |
| 幹事補佐氏名（和） | 小林 照武(フジクラ) / 廣田 栄伸(NTT) / / 石榑 崇明(慶大) / 柳生 栄治(三菱電機) |
| 幹事補佐氏名（英） | Terutake Kobayashi(Fujikura) / Hidenobu Hirota(NTT) / / Takaaki Ishigure(Keio Univ.) / Eiji Yagyu(Mitsubishi Electric) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Optical Fiber Technology / Technical Committee on Optical Communication Systems / Technical Committee on Optoelectronics |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Si上Ge層を用いた近赤外受光器の高性能化 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | High-performance Ge-on-Si Near-infrared Photodiodes |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | シリコンフォトニクス / Si Photonics |
| キーワード(2)（和/英） | ゲルマニウム / Germanium |
| キーワード(3)（和/英） | エピタキシャル成長 / Epitaxial Growth |
| キーワード(4)（和/英） | 近赤外受光器 / Near-infrared Photodetectors |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 石川 靖彦 / Yasuhiko Ishikawa |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京大学(略称：東大) The University of Tokyo(略称：Univ. Tokyo) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 宮坂 祐司 / Yuji Miyasaka |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京大学(略称：東大) The University of Tokyo(略称：Univ. Tokyo) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 伊藤 和貴 / Kazuki Ito |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京大学(略称：東大) The University of Tokyo(略称：Univ. Tokyo) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 永友 翔 / Sho Nagatomo |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東京大学(略称：東大) The University of Tokyo(略称：Univ. Tokyo) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 和田 一実 / Kazumi Wada |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 東京大学(略称：東大) The University of Tokyo(略称：Univ. Tokyo) |
| 発表年月日 | 2016-02-19 |
| 資料番号 | OCS2015-107,OFT2015-62,OPE2015-227 |
| 巻番号（vol） | vol.115 |
| 号番号（no） | OCS-451,OFT-452,OPE-453 |
| ページ範囲 | pp.39-42(OCS), pp.39-42(OFT), pp.65-68(OPE), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2016-02-11 (OCS, OFT, OPE) |