講演名 | 2016-01-29 MOSFETの寄生容量を考慮したE級増幅器の解析および設計 魏 秀欽(長崎大), |
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資料番号 | EE2015-19 |
発行日 | 2016-01-21 (EE) |
研究会情報 | |
研究会 | EE |
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開催期間 | 2016/1/28(から2日開催) |
開催地(和) | 久留米ホテル エスプリ |
開催地(英) | KURUME HOTEL ESPRIT |
テーマ(和) | 回路技術及び高効率エネルギー変換技術関連,一般 |
テーマ(英) | |
委員長氏名(和) | 大津 智(NTTファシリティーズ総研) |
委員長氏名(英) | Satoshi Ohtsu(NTT Facilities Research Inst.) |
副委員長氏名(和) | 中原 正俊(崇城大) |
副委員長氏名(英) | Masatoshi Nakahara(Sojo Univ.) |
幹事氏名(和) | 末次 正(福岡大) |
幹事氏名(英) | Tadashi Suetsugu(Fukuoka Univ.) |
幹事補佐氏名(和) | 山下 暢彦(NTT) |
幹事補佐氏名(英) | Nobuhiko Yamashita(NTT) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Technical Committee on Energy Engineering in Electronics and Communications |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | MOSFETの寄生容量を考慮したE級増幅器の解析および設計 |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | Design and Analysis of Class-E Amplifier with MOSFET Nonlinear Parasitic Capacitances |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | |
第 1 著者 氏名(和/英) | 魏 秀欽 / Xiuqin Wei |
第 1 著者 所属(和/英) | 長崎大学(略称:長崎大) Nagasaki University(略称:Nagasaki Univ.) |
発表年月日 | 2016-01-29 |
資料番号 | EE2015-19 |
巻番号(vol) | vol.115 |
号番号(no) | EE-429 |
ページ範囲 | pp.61-66(EE), |
ページ数 | 6 |
発行日 | 2016-01-21 (EE) |