講演名 2016-01-28
InSbグレーティングによるテラヘルツフィルタのFDTD解析
柴山 純(法政大), 梅澤 涼(法政大), 山内 潤治(法政大), 中野 久松(法政大),
PDFダウンロードページ PDFダウンロードページへ
抄録(和) InSbグレーティングによる局在表面プラズモン共鳴を利用したTHzフィルタの透過特性を検討する.まず,先行研究で用いられている基板厚$500~mu$mのFR4を使用し,新たにFR4の損失を考慮に入れる.FR4固有の大きな損失により,透過率が極めて低くなることを示す.また,基板厚を$100~mu$mまで薄くしても特性の改善が見込めないことを指摘する.そこで,基板として,THz帯で損失をほぼ無視できるシリコンを使用する.ノッチフィルタ状の透過特性が得られるが,全周波数帯域においてファブリ・ペロー(FP) 共振が発生する.FP共振を低減させるために,無反射層(ARC) を付加したフィルタを検討する.2層のARCを付加することにより,共振周波数付近のFP共振を低減できることを示す.最後に,基板にモスアイ構造を有するフィルタを評価する. 2層ARCに比べ,広帯域に渡ってFP共振を抑制できることを明示する.
抄録(英) We investigate the transmission characteristics of THz filters with the localized surface plasmon resonance excited around indium antimonide gratings. First, we use an FR4 substrate with a thickness of $500~mu$m, paying attention to the effect of the loss of FR4. It is revealed that the transmittance becomes quite small due to the inherent loss of FR4. In addition, a high transmissivity cannot be obtained for the filter, even when the thickness of FR4 is reduced to 100$~mu$m. Therefore, we use a silicon substrate, the loss of which can almost be ignored in the THz band. The transmission characteristics are found to be significantly improved, working as a notch filter. However, the Fabry-Perot (FP) resonance is seen in the entire frequency range. To reduce the FP resonance, an anti-reflection coating (ARC) is introduced into the filter. It is shown that the use of the double-layer ARC reduces the FP resonance in the vicinity of the resonance frequency. Finally, we investigate the filters with a moth-eye structure. It is found that the FP resonance is reduced over a wide frequency range, compared with the filter with the double-layer ARC.
キーワード(和) InSbグレーティング / テラヘルツフィルタ / 無反射構造 / モスアイ構造 / 局在表面プラズモン共鳴 / 有限差分時間領域法
キーワード(英) InSb grating / THz filter / Anti-reflection structure / Moth-eye structure / Localized surface plasmon resonance / Finite-difference time-domain (FDTD) method
資料番号 PN2015-61,EMT2015-112,OPE2015-174,LQE2015-161,EST2015-118,MWP2015-87
発行日 2016-01-21 (PN, EMT, OPE, LQE, EST, MWP)

研究会情報
研究会 LQE / EST / OPE / EMT / PN / MWP / IEE-EMT
開催期間 2016/1/28(から2日開催)
開催地(和) 神戸市産業振興センター
開催地(英)
テーマ(和) フォトニックNW・デバイス、フォトニック結晶、ファイバーとその応用、光集積回路、光導波路素子、光スイッチング、導波路解析、マイクロ波・ミリ波フォトニクス、及び一般
テーマ(英)
委員長氏名(和) 小路 元(住友電工) / 柏 達也(北見工大) / 植之原 裕行(東工大) / 佐藤 源之(東北大) / 大木 英司(電通大) / 門 勇一(京都工繊大) / 田中 雅宏(岐阜大)
委員長氏名(英) Hajime Shoji(Sumitomo Electric Industries) / Tatsuya Kashiwa(Kitami Inst. of Tech.) / Hiroyuki Uenohara(Tokyo Inst. of Tech.) / Motoyuki Sato(Tohoku Univ.) / Eiji Oki(Univ. of Electro-Comm.) / Yuichi Kado(Kyoto Inst. of Tech.) / Masahiro Tanaka(Gifu Univ.)
副委員長氏名(和) 野田 進(京大) / 木村 秀明(NTT) / 平田 晃正(名工大) / 大貫 進一郎(日大) / 小川 憲介(フジクラ) / 廣瀬 明(東大) / 長谷川 浩(名大) / 釣谷 剛宏(KDDI研) / 大越 春喜(古河電工) / 川西 哲也(NICT) / 戸田 裕之(同志社大)
副委員長氏名(英) Susumu Noda(Kyoto Univ.) / Hideaki Kimura(NTT) / Akimasa Hirata(Nagoya Inst. of Tech.) / Shinichiro Ohnuki(Nihon Univ.) / Kensuke Ogawa(Fujikura) / Akira Hirose(Univ. of Tokyo) / Hiroshi Hasegawa(Nagoya Univ.) / Takehiro Tsuritani(KDDI Labs.) / Haruki Ogoshi(Furukawa Electric) / Tetsuya Kawanishi(NICT) / Hiroyuki Toda(Doshisha Univ.)
幹事氏名(和) 梅沢 俊匡(NICT) / 藤原 直樹(NTT) / 平野 拓一(東工大) / 辻 寧英(室蘭工大) / 中川 剛二(富士通研) / 鈴木 賢哉(NTT) / 佐藤 亮一(新潟大) / 西岡 泰弘(三菱電機) / 古川 英昭(NICT) / 廣田 悠介(阪大) / 米本 成人(電子航法研) / 枚田 明彦(NTT) / 後藤 啓次(防衛大) / 出口 博之(同志社大)
幹事氏名(英) Toshimasa Umezawa(NICT) / Naoki Fujiwara(NTT) / Takuichi Hirano(Tokyo Inst. of Tech.) / Yasuhide Tsuji(Muroran Inst. of Tech.) / Goji Nakagawa(Fujitsu Labs.) / Kenya Suzuki(NTT) / Ryoichi Sato(Niigata Univ.) / Yasuhiro Nishioka(Mitsubishi Electric) / Hideaki Furukawa(NICT) / Yusuke Hirota(Osaka Univ.) / Naruto Yonemoto(ENRI) / Akihiko Hirata(NTT) / Keiji Goto(NDA) / Hiroyuki Deguchi(Doshisha Univ.)
幹事補佐氏名(和) / 毛塚 敦(電子航法研) / 田口 健治(北見工大) / 石榑 崇明(慶大) / 柳生 栄治(三菱電機) / 高橋 一徳(東北大) / 中川 雅弘(NTT) / 池田 研介(電中研) / 菅野 敦史(NICT) / 中 良弘(九州保健福祉大)
幹事補佐氏名(英) / Atsushi Kezuka(ENRI) / Kenji Taguchi(Kitami Inst. of Tech.) / Takaaki Ishigure(Keio Univ.) / Eiji Yagyu(Mitsubishi Electric) / Kazunori Takahashi(Tohoku Univ.) / Masahiro Nakagawa(NTT) / Kensuke Ikeda(CRIEPI) / Atsushi Kanno(NICT) / Yoshihiro Naka(KUHW)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Technical Committee on Lasers and Quantum Electronics / Technical Committee on Electronics Simulation Technology / Technical Committee on Optoelectronics / Technical Committee on Electromagnetic Theory / Technical Committee on Photonic Network / Technical Committee on Microwave and Millimeter-wave Photonics / Technical Meeting on Electromagnetic Theory
本文の言語 JPN
タイトル(和) InSbグレーティングによるテラヘルツフィルタのFDTD解析
サブタイトル(和)
タイトル(英) FDTD analysis of terahertz filters with InSb gratings
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) InSbグレーティング / InSb grating
キーワード(2)(和/英) テラヘルツフィルタ / THz filter
キーワード(3)(和/英) 無反射構造 / Anti-reflection structure
キーワード(4)(和/英) モスアイ構造 / Moth-eye structure
キーワード(5)(和/英) 局在表面プラズモン共鳴 / Localized surface plasmon resonance
キーワード(6)(和/英) 有限差分時間領域法 / Finite-difference time-domain (FDTD) method
第 1 著者 氏名(和/英) 柴山 純 / Jun Shibayama
第 1 著者 所属(和/英) 法政大学(略称:法政大)
Hosei University(略称:Hosei Univ.)
第 2 著者 氏名(和/英) 梅澤 涼 / Ryo Umezawa
第 2 著者 所属(和/英) 法政大学(略称:法政大)
Hosei University(略称:Hosei Univ.)
第 3 著者 氏名(和/英) 山内 潤治 / Junji Yamauchi
第 3 著者 所属(和/英) 法政大学(略称:法政大)
Hosei University(略称:Hosei Univ.)
第 4 著者 氏名(和/英) 中野 久松 / Hisamatsu Nakano
第 4 著者 所属(和/英) 法政大学(略称:法政大)
Hosei University(略称:Hosei Univ.)
発表年月日 2016-01-28
資料番号 PN2015-61,EMT2015-112,OPE2015-174,LQE2015-161,EST2015-118,MWP2015-87
巻番号(vol) vol.115
号番号(no) PN-430,EMT-431,OPE-432,LQE-433,EST-434,MWP-435
ページ範囲 pp.169-174(PN), pp.169-174(EMT), pp.169-174(OPE), pp.169-174(LQE), pp.169-174(EST), pp.169-174(MWP),
ページ数 6
発行日 2016-01-21 (PN, EMT, OPE, LQE, EST, MWP)