| 講演名 | 2016-01-28 埋め込みヘテロ構造を用いた1.3-μm帯npn-AlGaInAs/InPトランジスタレーザの特性評価 只野 翔太郎(東工大), 金子 貴晃(東工大), 山中 健太郎(東工大), 西山 伸彦(東工大), 荒井 滋久(東工大), |
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| 抄録(和) | 長波長帯トランジスタレーザ（TL）は、従来のLDと異なり3電気端子を有する構造ため、端子の組み合わせにより複数の動作モードの設定が可能である。今回、TLの3端子静特性として、ベース接地においてコレクタ/ベース電圧VCBの印加により光出力が制御可能であることを確認した。また、エミッタ接地、ベース接地共に発振しきい値後の誘導放出に伴うコレクタ電流の増加量の抑制を観測することに成功した。そして、p-GaInAsPベース層の薄膜化によりベース層内での不要な再結合を抑制し、電流利得βの向上に成功した。 |
| 抄録(英) | Since a long-wavelength transistor lasers（TL）has 3 electrical terminals, which are different from the conventional LDs, it allows to operate with several terminal configurations. In this paper, we observed output power control by the collector-base voltage VCB with common base configuration and suppression of the collector current increasing due to stimulated emission after the threshold current. We also obtained current gain β improvement by thinning the p-GaInAsP base layer thanks to suppression of carrier recombination in the p-GaInAsP base layer. |
| キーワード(和) | 半導体レーザ / 高速変調 / 埋め込みヘテロ構造 / トランジスタレーザ |
| キーワード(英) | semiconductor laser / high speed / buried heterostructure / transistor laser |
| 資料番号 | PN2015-38,EMT2015-89,OPE2015-151,LQE2015-138,EST2015-95,MWP2015-64 |
| 発行日 | 2016-01-21 (PN, EMT, OPE, LQE, EST, MWP) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE / EST / OPE / EMT / PN / MWP / IEE-EMT |
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| 開催期間 | 2016/1/28(から2日開催) |
| 開催地（和） | 神戸市産業振興センター |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | フォトニックNW・デバイス、フォトニック結晶、ファイバーとその応用、光集積回路、光導波路素子、光スイッチング、導波路解析、マイクロ波・ミリ波フォトニクス、及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | 小路 元(住友電工) / 柏 達也(北見工大) / 植之原 裕行(東工大) / 佐藤 源之(東北大) / 大木 英司(電通大) / 門 勇一(京都工繊大) / 田中 雅宏(岐阜大) |
| 委員長氏名（英） | Hajime Shoji(Sumitomo Electric Industries) / Tatsuya Kashiwa(Kitami Inst. of Tech.) / Hiroyuki Uenohara(Tokyo Inst. of Tech.) / Motoyuki Sato(Tohoku Univ.) / Eiji Oki(Univ. of Electro-Comm.) / Yuichi Kado(Kyoto Inst. of Tech.) / Masahiro Tanaka(Gifu Univ.) |
| 副委員長氏名（和） | 野田 進(京大) / 木村 秀明(NTT) / 平田 晃正(名工大) / 大貫 進一郎(日大) / 小川 憲介(フジクラ) / 廣瀬 明(東大) / 長谷川 浩(名大) / 釣谷 剛宏(KDDI研) / 大越 春喜(古河電工) / 川西 哲也(NICT) / 戸田 裕之(同志社大) |
| 副委員長氏名（英） | Susumu Noda(Kyoto Univ.) / Hideaki Kimura(NTT) / Akimasa Hirata(Nagoya Inst. of Tech.) / Shinichiro Ohnuki(Nihon Univ.) / Kensuke Ogawa(Fujikura) / Akira Hirose(Univ. of Tokyo) / Hiroshi Hasegawa(Nagoya Univ.) / Takehiro Tsuritani(KDDI Labs.) / Haruki Ogoshi(Furukawa Electric) / Tetsuya Kawanishi(NICT) / Hiroyuki Toda(Doshisha Univ.) |
| 幹事氏名（和） | 梅沢 俊匡(NICT) / 藤原 直樹(NTT) / 平野 拓一(東工大) / 辻 寧英(室蘭工大) / 中川 剛二(富士通研) / 鈴木 賢哉(NTT) / 佐藤 亮一(新潟大) / 西岡 泰弘(三菱電機) / 古川 英昭(NICT) / 廣田 悠介(阪大) / 米本 成人(電子航法研) / 枚田 明彦(NTT) / 後藤 啓次(防衛大) / 出口 博之(同志社大) |
| 幹事氏名（英） | Toshimasa Umezawa(NICT) / Naoki Fujiwara(NTT) / Takuichi Hirano(Tokyo Inst. of Tech.) / Yasuhide Tsuji(Muroran Inst. of Tech.) / Goji Nakagawa(Fujitsu Labs.) / Kenya Suzuki(NTT) / Ryoichi Sato(Niigata Univ.) / Yasuhiro Nishioka(Mitsubishi Electric) / Hideaki Furukawa(NICT) / Yusuke Hirota(Osaka Univ.) / Naruto Yonemoto(ENRI) / Akihiko Hirata(NTT) / Keiji Goto(NDA) / Hiroyuki Deguchi(Doshisha Univ.) |
| 幹事補佐氏名（和） | / 毛塚 敦(電子航法研) / 田口 健治(北見工大) / 石榑 崇明(慶大) / 柳生 栄治(三菱電機) / 高橋 一徳(東北大) / 中川 雅弘(NTT) / 池田 研介(電中研) / 菅野 敦史(NICT) / 中 良弘(九州保健福祉大) |
| 幹事補佐氏名（英） | / Atsushi Kezuka(ENRI) / Kenji Taguchi(Kitami Inst. of Tech.) / Takaaki Ishigure(Keio Univ.) / Eiji Yagyu(Mitsubishi Electric) / Kazunori Takahashi(Tohoku Univ.) / Masahiro Nakagawa(NTT) / Kensuke Ikeda(CRIEPI) / Atsushi Kanno(NICT) / Yoshihiro Naka(KUHW) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Lasers and Quantum Electronics / Technical Committee on Electronics Simulation Technology / Technical Committee on Optoelectronics / Technical Committee on Electromagnetic Theory / Technical Committee on Photonic Network / Technical Committee on Microwave and Millimeter-wave Photonics / Technical Meeting on Electromagnetic Theory |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 埋め込みヘテロ構造を用いた1.3-μm帯npn-AlGaInAs/InPトランジスタレーザの特性評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Characterization of 1.3-μm npn-AlGaInAs/InP Transistor Laser with Buried Heterostructure |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 半導体レーザ / semiconductor laser |
| キーワード(2)（和/英） | 高速変調 / high speed |
| キーワード(3)（和/英） | 埋め込みヘテロ構造 / buried heterostructure |
| キーワード(4)（和/英） | トランジスタレーザ / transistor laser |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 只野 翔太郎 / Shotaro Tadano |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京工業大学(略称：東工大) Tokyo Institute of Technology(略称：Tokyo Tech) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 金子 貴晃 / Takaaki Kaneko |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京工業大学(略称：東工大) Tokyo Institute of Technology(略称：Tokyo Tech) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 山中 健太郎 / Kentaro Yamanaka |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京工業大学(略称：東工大) Tokyo Institute of Technology(略称：Tokyo Tech) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 西山 伸彦 / Nobuhiko Nishiyama |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東京工業大学(略称：東工大) Tokyo Institute of Technology(略称：Tokyo Tech) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 荒井 滋久 / Shigehisa Arai |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 東京工業大学 量子ナノエレクトロニクス研究センター(略称：東工大) QNERC, Tokyo Institute of Technology(略称：Tokyo Tech) |
| 発表年月日 | 2016-01-28 |
| 資料番号 | PN2015-38,EMT2015-89,OPE2015-151,LQE2015-138,EST2015-95,MWP2015-64 |
| 巻番号（vol） | vol.115 |
| 号番号（no） | PN-430,EMT-431,OPE-432,LQE-433,EST-434,MWP-435 |
| ページ範囲 | pp.21-26(PN), pp.21-26(EMT), pp.21-26(OPE), pp.21-26(LQE), pp.21-26(EST), pp.21-26(MWP), |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2016-01-21 (PN, EMT, OPE, LQE, EST, MWP) |