| 講演名 | 2016-01-21 冗長符号化を用いたマルチレベルセル不揮発性メモリ書き込み量削減 多和田 雅師(早大), 木村 晋二(早大), 柳澤 政生(早大), 戸川 望(早大), |
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| 抄録(和) | ノイマン型コンピュータにおいて重要なメインメモリに不揮発性メモリを使用する動きがある．不揮発性メモリは書き込みエネルギーが大きい問題や書き込み耐久性が低い問題があるが，情報を符号化することで書き込み量を削減することができる．近年はマルチレベルセル不揮発性メモリの実用化要求が高まり，従来のシングルレベルセルでの符号化技術では問題のモデル化に食い違いが生じてしまう．マルチレベルセル不揮発性メモリを対象とした書き込み量を削減する手法を考える．誤り訂正符号に基づいて情報の分散化を行いビットレベルで書き込み量を削減する手法をマルチレベルセル不揮発性メモリに適用させる．提案した書き込み削減符号は冗長符号化されていないメモリに比べて平均67%書き込み削減した． |
| 抄録(英) | There is a movement to use the non-volatile memory to the important main memory in von Neumann computer. Non-volatile memory is a low endurance and costs high writing energy. They are solved to reduce the bit-write amount by encoding. Recently, the practical application requests MLC non-volatile memory increases, the coding technique in the conventional single-level cell occurs discrepancy modeling problems. We propose write-reduction using encoding data on MLC for non-volatile memories. |
| キーワード(和) | 不揮発性メモリ / 書き込み削減 / 符号化 / マルチレベルセル |
| キーワード(英) | Non-volatile memory / bit write reduction / Encoding/decoding / MLC |
| 資料番号 | VLD2015-107,CPSY2015-139,RECONF2015-89 |
| 発行日 | 2016-01-12 (VLD, CPSY, RECONF) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | VLD / CPSY / RECONF / IPSJ-SLDM / IPSJ-ARC |
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| 開催期間 | 2016/1/19(から3日開催) |
| 開催地（和） | 慶應義塾大学 日吉キャンパス |
| 開催地（英） | Hiyoshi Campus, Keio University |
| テーマ（和） | FPGA応用および一般 |
| テーマ（英） | FPGA Applications, etc |
| 委員長氏名（和） | 松永 裕介(九大) / 中島 康彦(奈良先端大) / 渡邊 実(静岡大) / 福井 正博(立命館大) / 五島 正裕(国情研) |
| 委員長氏名（英） | Yusuke Matsunaga(Kyushu Univ.) / Yasuhiko Nakashima(NAIST) / Minoru Watanabe(Shizuoka Univ.) / Masahiro Fukui(Ritsumeikan Univ.) / Masahiro Goshima(国情研) |
| 副委員長氏名（和） | 竹中 崇(NEC) / 中野 浩嗣(広島大) / 入江 英嗣(東大) / 本村 真人(北大) / 柴田 裕一郎(長崎大) |
| 副委員長氏名（英） | Takashi Takenana(NEC) / Koji Nakano(Hiroshima Univ.) / Hidetsugu Irie(Univ. of Tokyo) / Masato Motomura(Hokkaido Univ.) / Yuichiro Shibata(Nagasaki Univ.) |
| 幹事氏名（和） | 冨山 宏之(立命館大) / 福田 大輔(富士通研) / 三吉 貴史(富士通研) / 鯉渕 道紘(NII) / 山田 裕(東芝) / 山口 佳樹(筑波大) / 横山 昌生(シャープ) / 高島 康裕(北九州市大) / 西出 岳央(東芝) / 小野 貴継(九大) / 津邑 公暁(名工大) / 三輪 忍(電通大) / 山下 浩一郎(富士通研) |
| 幹事氏名（英） | Hiroyuki Tomiyama(Ritsumeikan Univ.) / Daisuke Fukuda(Fujitsu Labs.) / Takashi Miyoshi(Fujitsu Labs.) / Michihiro Koibuchi(NII) / Yutaka Yamada(Toshiba) / Yoshiki Yamaguchi(Univ. of Tsukuba) / Masao Yokoyama(Sharp) / Yasuhiro Takashima(Kitakyushu City Univ.) / Takeo Nishide(Toshiba) / Takatsugu Ono(九大) / Tomoaki Tsumura(名工大) / Shinobu Miwa(電通大) / Koichiro Yamashita(富士通研) |
| 幹事補佐氏名（和） | 谷口 一徹(立命館大) / 高前田 伸也(奈良先端大) / 大川 猛(宇都宮大) / 谷川 一哉(広島市大) / 三好 健文(イーツリーズ・ジャパン) |
| 幹事補佐氏名（英） | Ittetsu Taniguchi(Ritsumeikan Univ.) / Shinya Takameda(NAIST) / Takeshi Ohkawa(Utsunomiya Univ.) / Kazuya Tanikagawa(Hiroshima City Univ.) / Takefumi Miyoshi(e-trees.Japan) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on VLSI Design Technologies / Technical Committee on Computer Systems / Technical Committee on Reconfigurable Systems / Special Interest Group on System and LSI Design Methodology / Special Interest Group on System Architecture |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 冗長符号化を用いたマルチレベルセル不揮発性メモリ書き込み量削減 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Write-Reduction using Encoding data on MLC for Non-Volatile Memories |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 不揮発性メモリ / Non-volatile memory |
| キーワード(2)（和/英） | 書き込み削減 / bit write reduction |
| キーワード(3)（和/英） | 符号化 / Encoding/decoding |
| キーワード(4)（和/英） | マルチレベルセル / MLC |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 多和田 雅師 / Masashi Tawada |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 早稲田大学(略称：早大) Waseda University(略称：Waseda Univ.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 木村 晋二 / Shinji Kimura |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 早稲田大学(略称：早大) Waseda University(略称：Waseda Univ.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 柳澤 政生 / Masao Yanagisawa |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 早稲田大学(略称：早大) Waseda University(略称：Waseda Univ.) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 戸川 望 / Nozomu Togawa |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 早稲田大学(略称：早大) Waseda University(略称：Waseda Univ.) |
| 発表年月日 | 2016-01-21 |
| 資料番号 | VLD2015-107,CPSY2015-139,RECONF2015-89 |
| 巻番号（vol） | vol.115 |
| 号番号（no） | VLD-398,CPSY-399,RECONF-400 |
| ページ範囲 | pp.221-225(VLD), pp.221-225(CPSY), pp.221-225(RECONF), |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2016-01-12 (VLD, CPSY, RECONF) |