講演名 2016-01-28
プラズマ処理による低抵抗IGZO領域の形成とセルフアライン型TFTへの応用
曲 勇作(高知工科大), 戸田 達也(高知工科大), 牧野 久雄(高知工科大), 古田 守(高知工科大),
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抄録(和)
抄録(英)
キーワード(和)
キーワード(英)
資料番号 EID2015-31
発行日 2016-01-21 (EID)

研究会情報
研究会 EID / ITE-IDY / IEE-EDD / SID-JC / IEIJ-SSL
開催期間 2016/1/28(から2日開催)
開催地(和) 富山大学
開催地(英) Toyama Univ.
テーマ(和) 発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会
テーマ(英) Joint Meeting of Emissive / Non-Emissive Displays
委員長氏名(和) 志賀 智一(電通大) / 別井 圭一(日立)
委員長氏名(英) Tomokazu Shiga(Univ. of Electro-Comm.) / Keiichi Betsui(Hitachi)
副委員長氏名(和) 木村 睦(龍谷大) / 小南 裕子(静岡大)
副委員長氏名(英) Mutsumi Kimura(Ryukoku Univ.) / Yuko Kominami(Shizuoka Univ.)
幹事氏名(和) 伊達 宗和(NTT) / 山口 雅浩(東工大) / 中村 篤志(静岡大)
幹事氏名(英) Munekazu Date(NTT) / Masahiro Yamaguchi(Tokyo Inst. of Tech.) / Atsushi Nakamura(Shizuoka Univ.)
幹事補佐氏名(和) 山口 留美子(秋田大) / 新田 博幸(ジャパンディスプレイ) / 中田 充(NHK) / 小尻 尚志(日本ゼオン) / 野中 亮助(東芝) / 奥野 武志(Samsung R&D Inst. Japan)
幹事補佐氏名(英) Rumiko Yamaguchi(Akita Univ.) / Hiroyuki Nitta(Japan Display) / Mitsuru Nakata(NHK) / Takashi Kojiri(ZEON) / Ryosuke Nonaka(Toshiba) / Takeshi Okuno(Samsung)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Technical Committee on Electronic Information Displays / Technical Group on Information Display / Technical Group on Electron Devices / Society for Information Display Japan Chapter / *
本文の言語 JPN
タイトル(和) プラズマ処理による低抵抗IGZO領域の形成とセルフアライン型TFTへの応用
サブタイトル(和) プラズマ処理時の基板バイアスの効果
タイトル(英) Plasma treatment for source/drain regions of self-aligned InGaZnO thin-film transistors
サブタイトル(和) Effects of substrate bias during the plasma treatment of IGZO.
キーワード(1)(和/英)
第 1 著者 氏名(和/英) 曲 勇作 / Yusaku Magari
第 1 著者 所属(和/英) 高知工科大学(略称:高知工科大)
Kochi University of Technology(略称:Kochi Univ. of Technol.)
第 2 著者 氏名(和/英) 戸田 達也 / Tatsuya Toda
第 2 著者 所属(和/英) 高知工科大学(略称:高知工科大)
Kochi University of Technology(略称:Kochi Univ. of Technol.)
第 3 著者 氏名(和/英) 牧野 久雄 / Hisao Makino
第 3 著者 所属(和/英) 高知工科大学(略称:高知工科大)
Kochi University of Technology(略称:Kochi Univ. of Technol.)
第 4 著者 氏名(和/英) 古田 守 / Mamoru Furuta
第 4 著者 所属(和/英) 高知工科大学(略称:高知工科大)
Kochi University of Technology(略称:Kochi Univ. of Technol.)
発表年月日 2016-01-28
資料番号 EID2015-31
巻番号(vol) vol.115
号番号(no) EID-439
ページ範囲 pp.41-44(EID),
ページ数 4
発行日 2016-01-21 (EID)