| 講演名 | 2015-12-17 ［ポスター講演］NAND型フラッシュメモリにおけるエラー傾向の解析 中村 芳王(中大), Tomoko Ogura Iwasaki(中大), 竹内 健(中大), |
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| 抄録(和) | NAND型フラッシュメモリのエラーとして、書き込みディスターブエラーとデータ保持エラーが存在する。書き込みディスターブエラーは電子が誤って浮遊ゲートに注入され、しきい値電圧が増加することで生じる。一方、データ保持エラーは時間の経過とともに電子が浮遊ゲートから抜け落ち、しきい値電圧が減少することで生じる。これらのエラーは、チャネルと浮遊ゲート間に存在する酸化膜の状態に大きく依存する。製造時のばらつきによって酸化膜の状態が変化するため、メモリセルごとにエラーの傾向が変化する。本論文では、NAND型フラッシュメモリの高信頼化に向けて、書き込みディスターブエラーとデータ保持エラーの傾向を解析した。 |
| 抄録(英) | Program-disturb and data-retention degrade the reliability of NAND flash memory. During program-disturb, VTH of the memory cell is increased by electron injection into floating gate incorrectly. On the other hand, during data-retention, VTH of the memory cell is decreased by electron ejection from floating gate. These errors depend on the condition of tunnel oxide between floating gate and channel. Since the condition of tunnel oxide is changed by variation on manufacture, each memory cell has different error tendency. In this paper, tendency of program-disturb and data-retention errors are evaluated for enhancement of reliability in NAND flash memory. |
| キーワード(和) | ソリッド・ステート・ドライブ / NANDフラッシュメモリ / 信頼性 |
| キーワード(英) | solid-state-drive / NAND flash memory / reliability |
| 資料番号 | ICD2015-76,CPSY2015-89 |
| 発行日 | 2015-12-10 (ICD, CPSY) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD / CPSY |
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| 開催期間 | 2015/12/17(から2日開催) |
| 開催地（和） | 京都工芸繊維大学 |
| 開催地（英） | Kyoto Institute of Technology |
| テーマ（和） | 学生・若手研究会 |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | 藤島 実(広島大) / 中島 康彦(奈良先端大) |
| 委員長氏名（英） | Minoru Fujishima(Hiroshima Univ.) / Yasuhiko Nakashima(NAIST) |
| 副委員長氏名（和） | 日高 秀人(ルネサス エレクトロニクス) / 中野 浩嗣(広島大) / 入江 英嗣(東大) |
| 副委員長氏名（英） | Hideto Hidaka(Renesas) / Koji Nakano(Hiroshima Univ.) / Hidetsugu Irie(Univ. of Tokyo) |
| 幹事氏名（和） | 吉田 毅(広島大) / 三吉 貴史(富士通研) / 鯉渕 道紘(NII) |
| 幹事氏名（英） | Takeshi Yoshida(Hiroshima Univ.) / Takashi Miyoshi(Fujitsu Labs.) / Michihiro Koibuchi(NII) |
| 幹事補佐氏名（和） | 高宮 真(東大) / 岩崎 裕江(NTT) / 橋本 隆(パナソニック) / 伊藤 浩之(東工大) / 範 公可(電通大) / 高前田 伸也(奈良先端大) / 大川 猛(宇都宮大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Makoto Takamiya(Univ. of Tokyo) / Hiroe Iwasaki(NTT) / Takashi Hashimoto(Panasonic) / Hiroyuki Ito(Tokyo Inst. of Tech.) / Pham Konkuha(Univ. of Electro-Comm.) / Shinya Takameda(NAIST) / Takeshi Ohkawa(Utsunomiya Univ.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Integrated Circuits and Devices / Technical Committee on Computer Systems |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ［ポスター講演］NAND型フラッシュメモリにおけるエラー傾向の解析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | [Poster Presentation] Error Tendency Analysis in NAND Flash Memory |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ソリッド・ステート・ドライブ / solid-state-drive |
| キーワード(2)（和/英） | NANDフラッシュメモリ / NAND flash memory |
| キーワード(3)（和/英） | 信頼性 / reliability |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 中村 芳王 / Yoshio Nakamura |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 中央大学(略称：中大) Chuo University(略称：Chuo Univ.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | Tomoko Ogura Iwasaki / Tomoko Ogura Iwasaki |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 中央大学(略称：中大) Chuo University(略称：Chuo Univ.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 竹内 健 / Ken Takeuchi |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 中央大学(略称：中大) Chuo University(略称：Chuo Univ.) |
| 発表年月日 | 2015-12-17 |
| 資料番号 | ICD2015-76,CPSY2015-89 |
| 巻番号（vol） | vol.115 |
| 号番号（no） | ICD-373,CPSY-374 |
| ページ範囲 | pp.51-51(ICD), pp.51-51(CPSY), |
| ページ数 | 1 |
| 発行日 | 2015-12-10 (ICD, CPSY) |