| 講演名 | 2015-12-17 ［ポスター講演］長期保存向けNAND型フラッシュメモリのエラーパターンの解析 高橋 知紀(中大), 山﨑 泉樹(中大), 竹内 健(中大), |
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| 抄録(和) | NAND型フラッシュメモリはハードディスクや光ディスクといったストレージデバイスに比べ、アクセス速度やデータ密度の点で優れる。また、機械的な読み出し装置がなく耐久性に優れているため長期保存を実現するストレージとして期待されている。しかし、NAND型フラッシュメモリには、データ保持時間と書き変え回数の間にトレードオフの関係が存在する。そのため、アーカイブといった長期間のデータ保持が必要とされるアプリケーションでは、書き換え回数は少なく制限される。本論文では、1つのセルに3ビットの情報を記憶することができるTLC NAND型フラッシュメモリへの書き換え回数を少数回とした場合のエラーパターンの解析を行った。 |
| 抄録(英) | NAND flash memory has advantages of fast access speed and high density compared with other storage devices such as hard disk drive and optical disk. It is also highly durable because it does not include mechanical reader. Therefore, it is expected as a long-term data storage device. However, in NAND flash memory, reliability trade-off exists between data-retention (DR) time and write/erase (W/E) cycle. Thus, W/E is restricted in the long-term storage applications such as archive. This paper analyzes the error pattern when we apply low W/E cycles to Triple-level cell (TLC, 3bit /cell) NAND flash memory . |
| キーワード(和) | NAND型フラッシュメモリ / アーカイブ |
| キーワード(英) | NAND flash memory / archive |
| 資料番号 | ICD2015-77,CPSY2015-90 |
| 発行日 | 2015-12-10 (ICD, CPSY) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD / CPSY |
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| 開催期間 | 2015/12/17(から2日開催) |
| 開催地（和） | 京都工芸繊維大学 |
| 開催地（英） | Kyoto Institute of Technology |
| テーマ（和） | 学生・若手研究会 |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | 藤島 実(広島大) / 中島 康彦(奈良先端大) |
| 委員長氏名（英） | Minoru Fujishima(Hiroshima Univ.) / Yasuhiko Nakashima(NAIST) |
| 副委員長氏名（和） | 日高 秀人(ルネサス エレクトロニクス) / 中野 浩嗣(広島大) / 入江 英嗣(東大) |
| 副委員長氏名（英） | Hideto Hidaka(Renesas) / Koji Nakano(Hiroshima Univ.) / Hidetsugu Irie(Univ. of Tokyo) |
| 幹事氏名（和） | 吉田 毅(広島大) / 三吉 貴史(富士通研) / 鯉渕 道紘(NII) |
| 幹事氏名（英） | Takeshi Yoshida(Hiroshima Univ.) / Takashi Miyoshi(Fujitsu Labs.) / Michihiro Koibuchi(NII) |
| 幹事補佐氏名（和） | 高宮 真(東大) / 岩崎 裕江(NTT) / 橋本 隆(パナソニック) / 伊藤 浩之(東工大) / 範 公可(電通大) / 高前田 伸也(奈良先端大) / 大川 猛(宇都宮大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Makoto Takamiya(Univ. of Tokyo) / Hiroe Iwasaki(NTT) / Takashi Hashimoto(Panasonic) / Hiroyuki Ito(Tokyo Inst. of Tech.) / Pham Konkuha(Univ. of Electro-Comm.) / Shinya Takameda(NAIST) / Takeshi Ohkawa(Utsunomiya Univ.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Integrated Circuits and Devices / Technical Committee on Computer Systems |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ［ポスター講演］長期保存向けNAND型フラッシュメモリのエラーパターンの解析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | [Poster Presentation] Error Pattern Analysis of Long-Term Storage with NAND Flash Memory |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | NAND型フラッシュメモリ / NAND flash memory |
| キーワード(2)（和/英） | アーカイブ / archive |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 高橋 知紀 / Tomonori Takahashi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 中央大学(略称：中大) Chuo University(略称：Chuo Univ.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 山﨑 泉樹 / Senju Yamazaki |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 中央大学(略称：中大) Chuo University(略称：Chuo Univ.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 竹内 健 / Ken Takeuchi |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 中央大学(略称：中大) Chuo University(略称：Chuo Univ.) |
| 発表年月日 | 2015-12-17 |
| 資料番号 | ICD2015-77,CPSY2015-90 |
| 巻番号（vol） | vol.115 |
| 号番号（no） | ICD-373,CPSY-374 |
| ページ範囲 | pp.53-53(ICD), pp.53-53(CPSY), |
| ページ数 | 1 |
| 発行日 | 2015-12-10 (ICD, CPSY) |