| 講演名 | 2015-12-17 ［ポスター講演］TLC NAND型フラッシュメモリにおけるビットエラーの解析 出口 慶明(中大), 徳冨 司(中大), 小林 惇朗(中大), 竹内 健(中大), |
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| 抄録(和) | NAND型フラッシュメモリは1つのメモリセルに記録するビット数を増やすことで大容量化を実現している。中でも1つのメモリセルに対して3ビットのデータを記録するTLC NAND型フラッシュメモリは大容量である一方、読み出しマージンの減少に伴って信頼性が著しく低下する。また、NAND型フラッシュメモリは浮遊ゲートに電子を蓄えることによってデータを保存する。しかし、データの書き込みや消去を繰り返すと酸化膜内に電子を捕獲するトラップが生じ、浮遊ゲートからトラップを介して電子が抜け落ちやすくなる。本論文では書き換え回数の増加に伴って生じる、TLC NAND型フラッシュメモリにおけるビットエラーの解析を行った。 |
| 抄録(英) | The capacity of NAND flash memory can be expanded by increasing the bit density. In particular, 3-bit/cell triple-level cell (TLC) NAND flash has extremely high capacity, whereas the reliability is degraded drastically due to the narrower read margins. NAND flash memory can store the data by injecting electrons into the floating-gate. However, traps, which may capture electrons, are generated in the tunneling oxide as the write/erase cycle increases. As a result, electrons are ejected from the floating-gate via traps in tunneling oxide. This paper analyzes bit-errors of TLC NAND flash memory when write/erase cycle is increased. |
| キーワード(和) | ソリッド・ステート・ドライブ / NANDフラッシュメモリ / 信頼性 |
| キーワード(英) | solid-state-drive / NAND flash memory / Reliability |
| 資料番号 | ICD2015-75,CPSY2015-88 |
| 発行日 | 2015-12-10 (ICD, CPSY) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD / CPSY |
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| 開催期間 | 2015/12/17(から2日開催) |
| 開催地（和） | 京都工芸繊維大学 |
| 開催地（英） | Kyoto Institute of Technology |
| テーマ（和） | 学生・若手研究会 |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | 藤島 実(広島大) / 中島 康彦(奈良先端大) |
| 委員長氏名（英） | Minoru Fujishima(Hiroshima Univ.) / Yasuhiko Nakashima(NAIST) |
| 副委員長氏名（和） | 日高 秀人(ルネサス エレクトロニクス) / 中野 浩嗣(広島大) / 入江 英嗣(東大) |
| 副委員長氏名（英） | Hideto Hidaka(Renesas) / Koji Nakano(Hiroshima Univ.) / Hidetsugu Irie(Univ. of Tokyo) |
| 幹事氏名（和） | 吉田 毅(広島大) / 三吉 貴史(富士通研) / 鯉渕 道紘(NII) |
| 幹事氏名（英） | Takeshi Yoshida(Hiroshima Univ.) / Takashi Miyoshi(Fujitsu Labs.) / Michihiro Koibuchi(NII) |
| 幹事補佐氏名（和） | 高宮 真(東大) / 岩崎 裕江(NTT) / 橋本 隆(パナソニック) / 伊藤 浩之(東工大) / 範 公可(電通大) / 高前田 伸也(奈良先端大) / 大川 猛(宇都宮大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Makoto Takamiya(Univ. of Tokyo) / Hiroe Iwasaki(NTT) / Takashi Hashimoto(Panasonic) / Hiroyuki Ito(Tokyo Inst. of Tech.) / Pham Konkuha(Univ. of Electro-Comm.) / Shinya Takameda(NAIST) / Takeshi Ohkawa(Utsunomiya Univ.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Integrated Circuits and Devices / Technical Committee on Computer Systems |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ［ポスター講演］TLC NAND型フラッシュメモリにおけるビットエラーの解析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | [Poster Presentation] Bit-Error Analysis in TLC NAND flash memories. |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ソリッド・ステート・ドライブ / solid-state-drive |
| キーワード(2)（和/英） | NANDフラッシュメモリ / NAND flash memory |
| キーワード(3)（和/英） | 信頼性 / Reliability |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 出口 慶明 / Yoshiaki Deguchi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 中央大学(略称：中大) Chuo University(略称：Chuo Univ.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 徳冨 司 / Tsukasa Tokutomi |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 中央大学(略称：中大) Chuo University(略称：Chuo Univ.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 小林 惇朗 / Atsuro Kobayashi |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 中央大学(略称：中大) Chuo University(略称：Chuo Univ.) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 竹内 健 / Ken Takeuchi |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 中央大学(略称：中大) Chuo University(略称：Chuo Univ.) |
| 発表年月日 | 2015-12-17 |
| 資料番号 | ICD2015-75,CPSY2015-88 |
| 巻番号（vol） | vol.115 |
| 号番号（no） | ICD-373,CPSY-374 |
| ページ範囲 | pp.49-49(ICD), pp.49-49(CPSY), |
| ページ数 | 1 |
| 発行日 | 2015-12-10 (ICD, CPSY) |