| 講演名 | 2015-12-21 高抵抗化による高効率THz波発生を目指した不純物添加GaSe結晶の液相成長 鈴木 康平(東北大), 佐藤 陽平(東北大), 前田 健作(東北大), 小山 裕(東北大), |
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| 抄録(和) | 我々は蒸気圧制御温度差液相成長法により差周波混合THz波発生に向けた層状半導体GaSe結晶の成長を行っている。GaSeは、広い透過波長領域(λ = 0.6-20 μm)と大きな非線形光学定数(d22 = 54 pm/V @10.6 μm)により、高効率、広帯域なTHz波発生が期待できる。また、大きな複屈折性(no=2.9082, ne=2.5676 @1.06 μm)により同軸位相整合による発生が可能であり光学系の簡略化が期待できる。今回、THz波低周波数域の自由キャリア吸収の抑制を目的として、遷移金属または両性不純物元素を添加した結晶を成長した。添加する元素には、遷移金属元素としてFe・Ni・Cu、両性不純物元素としてSi・Ge・Sbを選択した。成長した結晶は、ホール係数測定について故意には不純物を添加していない液相成長の結晶と比較を行った。 |
| 抄録(英) | We grow layered semiconductor GaSe crystals by liquid phase epitaxy TDM-CVP for the difference frequency generation of THz wave. GaSe crystals have the wide transparency (λ = 0.6~20 μm), the large nonlinear optical coefficient (d22 = 54 pm/V @10.6 μm), and the high birefringence (no=2.9082, ne=2.5676 @1.06μm). For these superior properties, these crystals can generate high efficiency THz wave via difference frequency generation under collinear phase matching. In this study, Transition metal-doped or amphoteric impurity-doped GaSe crystals for the purpose of preventing free carrier absorption were grown by the same growth method. These crystals were evaluated by in comparison with the not-intentionally-doped GaSe crystals. |
| キーワード(和) | GaSe / 不純物添加 / 非線形光学効果 |
| キーワード(英) | GaSe / Impurity doping / Nonlinear optical effect |
| 資料番号 | ED2015-98 |
| 発行日 | 2015-12-14 (ED) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2015/12/21(から2日開催) |
| 開催地（和） | 東北大通研ナノ・スピン棟 |
| 開催地（英） | RIEC, Tohoku Univ |
| テーマ（和） | ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム |
| テーマ（英） | Millimeter-wave, terahertz-wave devices and systems |
| 委員長氏名（和） | 前澤 宏一(富山大) |
| 委員長氏名（英） | Koichi Maezawa(Univ. of Toyama) |
| 副委員長氏名（和） | 津田 邦男(東芝) |
| 副委員長氏名（英） | Kunio Tsuda(Toshiba) |
| 幹事氏名（和） | 松永 高治(NEC) / 鈴木 寿一(北陸先端大) |
| 幹事氏名（英） | Koji Matsunaga(NEC) / Toshikazu Suzuki(JAIST) |
| 幹事補佐氏名（和） | 新井 学(新日本無線) / 東脇 正高(NICT) |
| 幹事補佐氏名（英） | Manabu Arai(New JRC) / Masataka Higashiwaki(NICT) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Electron Device |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 高抵抗化による高効率THz波発生を目指した不純物添加GaSe結晶の液相成長 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Liquid phase growth of impurity-doped GaSe crystals for the high efficiency THz wave generation by high resistivity |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaSe / GaSe |
| キーワード(2)（和/英） | 不純物添加 / Impurity doping |
| キーワード(3)（和/英） | 非線形光学効果 / Nonlinear optical effect |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 鈴木 康平 / Kouhei Suzuki |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東北大学(略称：東北大) Tohoku University(略称：Tohoku Univ.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 佐藤 陽平 / Yohei Sato |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東北大学(略称：東北大) Tohoku University(略称：Tohoku Univ.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 前田 健作 / Kensaku Maeda |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東北大学(略称：東北大) Tohoku University(略称：Tohoku Univ.) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 小山 裕 / Yutaka Oyama |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東北大学(略称：東北大) Tohoku University(略称：Tohoku Univ.) |
| 発表年月日 | 2015-12-21 |
| 資料番号 | ED2015-98 |
| 巻番号（vol） | vol.115 |
| 号番号（no） | ED-387 |
| ページ範囲 | pp.41-46(ED), |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2015-12-14 (ED) |