講演名 2015-12-21
GaAsSbバックワードダイオードの非平衡量子輸送モデルによる理論解析
藤田 尚成(首都大東京), 小野 孝介(首都大東京), 須原 理彦(首都大東京), 高橋 剛(富士通研),
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抄録(和) GaAsSb系バックワードダイオードの直流I-V特性とSパラメータの周波数特性を表現する理論モデルの構築を行った。トンネル現象の非平衡量子輸送モデルより導出されるダイオードの等価回路モデルの各素子値はアノード及びカソードにおけるエネルギー緩和,障壁層におけるトンネル,空乏層における走行の輸送時間パラメータで記述しており,このモデルが実測データを説明できることを示した。実測データの解析から,試作したデバイスでは2種類のトンネル輸送機構が寄与していることを示唆した。
抄録(英) We construct a theoretical model to explain DC I-V characteristics and frequency-dependent S-parameters of GaAsSb-based backward diodes. Each element of the equivalent circuit model of backward diodes are derived by a non-equilibrium quantum transport model and these are described by using energy relaxation time in the anode and cathode, tunneling time in the barrier layer, depletion layer transit time. Measured data are expressed by the model, considering two kinds of tunneling transport mechanism.
キーワード(和) バックワードダイオード / 非平衡量子輸送モデル / 緩和時間
キーワード(英) Backward Diodes / a non-equilibrium quantum transport model / relaxation time
資料番号 ED2015-93
発行日 2015-12-14 (ED)

研究会情報
研究会 ED
開催期間 2015/12/21(から2日開催)
開催地(和) 東北大通研ナノ・スピン棟
開催地(英) RIEC, Tohoku Univ
テーマ(和) ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム
テーマ(英) Millimeter-wave, terahertz-wave devices and systems
委員長氏名(和) 前澤 宏一(富山大)
委員長氏名(英) Koichi Maezawa(Univ. of Toyama)
副委員長氏名(和) 津田 邦男(東芝)
副委員長氏名(英) Kunio Tsuda(Toshiba)
幹事氏名(和) 松永 高治(NEC) / 鈴木 寿一(北陸先端大)
幹事氏名(英) Koji Matsunaga(NEC) / Toshikazu Suzuki(JAIST)
幹事補佐氏名(和) 新井 学(新日本無線) / 東脇 正高(NICT)
幹事補佐氏名(英) Manabu Arai(New JRC) / Masataka Higashiwaki(NICT)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Technical Committee on Electron Device
本文の言語 JPN
タイトル(和) GaAsSbバックワードダイオードの非平衡量子輸送モデルによる理論解析
サブタイトル(和)
タイトル(英) Theoretical Analysis of GaAsSb-based Backward Diodes on the basis of a non-equilibrium quantum transport model
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) バックワードダイオード / Backward Diodes
キーワード(2)(和/英) 非平衡量子輸送モデル / a non-equilibrium quantum transport model
キーワード(3)(和/英) 緩和時間 / relaxation time
第 1 著者 氏名(和/英) 藤田 尚成 / Hisanari Fujita
第 1 著者 所属(和/英) 首都大学東京(略称:首都大東京)
Tokyo Metropolitan University(略称:TMU)
第 2 著者 氏名(和/英) 小野 孝介 / Kosuke ono
第 2 著者 所属(和/英) 首都大学東京(略称:首都大東京)
Tokyo Metropolitan University(略称:TMU)
第 3 著者 氏名(和/英) 須原 理彦 / Michihiko Suhara
第 3 著者 所属(和/英) 首都大学東京(略称:首都大東京)
Tokyo Metropolitan University(略称:TMU)
第 4 著者 氏名(和/英) 高橋 剛 / Tsuyoshi Takahashi
第 4 著者 所属(和/英) 株式会社富士通研究所(略称:富士通研)
Fujitsu Laboratories Ltd.(略称:Fujitsu Lab.)
発表年月日 2015-12-21
資料番号 ED2015-93
巻番号(vol) vol.115
号番号(no) ED-387
ページ範囲 pp.13-18(ED),
ページ数 6
発行日 2015-12-14 (ED)