| 講演名 | 2015-12-21 InP HEMTの低温DC・RF特性に関する温度依存性 遠藤 聡(NICT/富士通研), 渡邊 一世(NICT), 笠松 章史(NICT), 高橋 剛(富士通研), 芝 祥一(富士通研), 中舍 安宏(富士通研), 岩井 大介(富士通研), 三村 高志(富士通研/NICT), |
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| 抄録(和) | 75 nmゲートInP系In0.52Al0.48As/In0.63Ga0.37As HEMTのDC・RF特性を，温度300，220，150，100，77，16 Kにおいて評価し，特性の温度依存性について明らかにした．温度を下げるにつれて，ドレイン電流－電圧（Ids-Vds）特性にキンク領域が明瞭になっていく．特に16 Kにおいては，明瞭な凹部がIds-Vds特性に見られた．最大相互コンダクタンスgmは，300 Kと77 Kの間で冷却につれて増大し，100 Kと77 Kではほぼ同じになる．そして16 Kでは，gmは減少に転じる．このgmの減少はキンク領域に起因していると思われる．遮断周波数fTと最大発振周波数fmaxは温度を下げるにつれて増大する．冷却による増大の程度はfmaxの方がfTよりも大きい．また，fmaxは150 Kと100 Kの間で大きく増大する．一方，77 Kと16 Kの間では，fTとfmaxの増大は非常に小さい．従って，fTとfmaxを高めるためには77 Kまでの冷却で十分であることになる． |
| 抄録(英) | We measured the DC and RF characteristics of InP-based 75-nm-gate In0.52Al0.48As/In0.63Ga0.37As HEMTs at 300, 220, 150, 100, 77 and 16 K and clarified the effect of temperature on improvement of DC and RF performance. The obvious kink phenomenon is seen in the drain-source current vs. drain-source voltage (Ids-Vds) characteristics with decreasingtemperature. The maximum transconductance gm increases with decreasing temperature between 300 and 77 K and shows the almost same value at 100 and 77 K. At 16 K, the decrease in gm is seen. The decrease in gm at 16 K may result from the kink phenomenon. Cutoff frequency fT and maximum oscillation frequency fmax increase with decreasing temperature. The increase of fmax with decreasing temperature is more than that of fT. The fmax largely increases between 150 and 100 K. Furthermore, the increase of fT and fmax values is very small between 77 and 16 K. This suggests that operating InP HEMTs at 77 K is sufficient to increase fT and fmax values. |
| キーワード(和) | HEMT / InP / InAlAs/InGaAs / 低温特性 / 相互コンダクタンス / 遮断周波数 / 最大発振周波数 |
| キーワード(英) | HEMTs / InP / InAlAs/InGaAs / Cryogenic characteristics / Transconductance / Cutoff frequency / Maximum oscillation frequency |
| 資料番号 | ED2015-92 |
| 発行日 | 2015-12-14 (ED) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2015/12/21(から2日開催) |
| 開催地（和） | 東北大通研ナノ・スピン棟 |
| 開催地（英） | RIEC, Tohoku Univ |
| テーマ（和） | ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム |
| テーマ（英） | Millimeter-wave, terahertz-wave devices and systems |
| 委員長氏名（和） | 前澤 宏一(富山大) |
| 委員長氏名（英） | Koichi Maezawa(Univ. of Toyama) |
| 副委員長氏名（和） | 津田 邦男(東芝) |
| 副委員長氏名（英） | Kunio Tsuda(Toshiba) |
| 幹事氏名（和） | 松永 高治(NEC) / 鈴木 寿一(北陸先端大) |
| 幹事氏名（英） | Koji Matsunaga(NEC) / Toshikazu Suzuki(JAIST) |
| 幹事補佐氏名（和） | 新井 学(新日本無線) / 東脇 正高(NICT) |
| 幹事補佐氏名（英） | Manabu Arai(New JRC) / Masataka Higashiwaki(NICT) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Electron Device |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | InP HEMTの低温DC・RF特性に関する温度依存性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Effect of Temperature on DC and RF Characteristics of Cryogenic InP HEMTs |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | HEMT / HEMTs |
| キーワード(2)（和/英） | InP / InP |
| キーワード(3)（和/英） | InAlAs/InGaAs / InAlAs/InGaAs |
| キーワード(4)（和/英） | 低温特性 / Cryogenic characteristics |
| キーワード(5)（和/英） | 相互コンダクタンス / Transconductance |
| キーワード(6)（和/英） | 遮断周波数 / Cutoff frequency |
| キーワード(7)（和/英） | 最大発振周波数 / Maximum oscillation frequency |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 遠藤 聡 / Akira Endoh |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 情報通信研究機構/富士通研究所(略称：NICT/富士通研) National Institute of Information and Communications Technology/Fujitsu Laboratories Ltd.(略称：NICT/Fujitsu Labs.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 渡邊 一世 / Issei Watanabe |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 情報通信研究機構(略称：NICT) National Institute of Information and Communications Technology(略称：NICT) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 笠松 章史 / Akifumi Kasamatsu |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 情報通信研究機構(略称：NICT) National Institute of Information and Communications Technology(略称：NICT) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 高橋 剛 / Tsuyoshi Takahashi |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 株式会社富士通研究所(略称：富士通研) Fujitsu Laboratories Ltd.(略称：Fujitsu Labs.) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 芝 祥一 / Shoichi Shiba |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 株式会社富士通研究所(略称：富士通研) Fujitsu Laboratories Ltd.(略称：Fujitsu Labs.) |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 中舍 安宏 / Yasuhiro Nakasha |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 株式会社富士通研究所(略称：富士通研) Fujitsu Laboratories Ltd.(略称：Fujitsu Labs.) |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 岩井 大介 / Taisuke Iwai |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 株式会社富士通研究所(略称：富士通研) Fujitsu Laboratories Ltd.(略称：Fujitsu Labs.) |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 三村 高志 / Takashi Mimura |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 株式会社富士通研究所/情報通信研究機構(略称：富士通研/NICT) Fujitsu Laboratories Ltd./National Institute of Information and Communications Technology(略称：Fujitsu Labs./NICT) |
| 発表年月日 | 2015-12-21 |
| 資料番号 | ED2015-92 |
| 巻番号（vol） | vol.115 |
| 号番号（no） | ED-387 |
| ページ範囲 | pp.7-11(ED), |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2015-12-14 (ED) |