| 講演名 | 2015-12-21 InP HEMTと集積化した300GHz受信用GaAsSbバックワードダイオードの検波特性 高橋 剛(富士通研), 佐藤 優(富士通研), 芝 祥一(富士通研), 牧山 剛三(富士通研), 中舍 安宏(富士通研), 原 直紀(富士通研), |
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| 抄録(和) | テラヘルツ波の高感度検出のために、InP HEMT低雑音増幅器とGaAaSb系バックワード高感度検波器を集積化したMMICを検討した。InP HEMTとの整合をとるためバックワードダイオードに整合回路を設けたところ、300GHzにおいて1,390V/Wの感度を達成した。InP HEMT増幅器と組み合わせるとで、超高感度のテラヘルツ波受信器を作製できる可能性を得た。 |
| 抄録(英) | We have developed receiver MMIC structure that was integrated with GaAsSb-based backward diodes and InP-based HEMTs to detect THz wave with high sensitivity. Sensitivity of 1,390 V/W was achieved at 300 GHz by adopting a matching network at the backward diodes to make an impedance matching with InP-based HEMTs. Highly sensitive THz receivers should be realized by integrating the backward diodes with InP-based HEMTs. |
| キーワード(和) | トンネルダイオード / バックワード / テラヘルツ / HEMT / GaAsSb / 検波 / 感度 / InP |
| キーワード(英) | tunnel diode / backward / THz / HEMT / GaAsSb / detection / sensitivity / InP |
| 資料番号 | ED2015-94 |
| 発行日 | 2015-12-14 (ED) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2015/12/21(から2日開催) |
| 開催地（和） | 東北大通研ナノ・スピン棟 |
| 開催地（英） | RIEC, Tohoku Univ |
| テーマ（和） | ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム |
| テーマ（英） | Millimeter-wave, terahertz-wave devices and systems |
| 委員長氏名（和） | 前澤 宏一(富山大) |
| 委員長氏名（英） | Koichi Maezawa(Univ. of Toyama) |
| 副委員長氏名（和） | 津田 邦男(東芝) |
| 副委員長氏名（英） | Kunio Tsuda(Toshiba) |
| 幹事氏名（和） | 松永 高治(NEC) / 鈴木 寿一(北陸先端大) |
| 幹事氏名（英） | Koji Matsunaga(NEC) / Toshikazu Suzuki(JAIST) |
| 幹事補佐氏名（和） | 新井 学(新日本無線) / 東脇 正高(NICT) |
| 幹事補佐氏名（英） | Manabu Arai(New JRC) / Masataka Higashiwaki(NICT) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Electron Device |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | InP HEMTと集積化した300GHz受信用GaAsSbバックワードダイオードの検波特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Detector Characteristics of GaAsSb-based Backward Diode Monolithically Integrated with InP-based HEMTs for 300 GHz Receiver Applications |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | トンネルダイオード / tunnel diode |
| キーワード(2)（和/英） | バックワード / backward |
| キーワード(3)（和/英） | テラヘルツ / THz |
| キーワード(4)（和/英） | HEMT / HEMT |
| キーワード(5)（和/英） | GaAsSb / GaAsSb |
| キーワード(6)（和/英） | 検波 / detection |
| キーワード(7)（和/英） | 感度 / sensitivity |
| キーワード(8)（和/英） | InP / InP |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 高橋 剛 / Tsuyoshi Takahashi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 株式会社富士通研究所(略称：富士通研) Fujitsu Laboratories Ltd.(略称：Fujitsu Labs.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 佐藤 優 / Masaru Sato |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 株式会社富士通研究所(略称：富士通研) Fujitsu Laboratories Ltd.(略称：Fujitsu Labs.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 芝 祥一 / Shoichi Shiba |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 株式会社富士通研究所(略称：富士通研) Fujitsu Laboratories Ltd.(略称：Fujitsu Labs.) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 牧山 剛三 / Kozo Makiyama |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 株式会社富士通研究所(略称：富士通研) Fujitsu Laboratories Ltd.(略称：Fujitsu Labs.) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 中舍 安宏 / Yasuhiro Nakasha |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 株式会社富士通研究所(略称：富士通研) Fujitsu Laboratories Ltd.(略称：Fujitsu Labs.) |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 原 直紀 / Naoki Hara |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 株式会社富士通研究所(略称：富士通研) Fujitsu Laboratories Ltd.(略称：Fujitsu Labs.) |
| 発表年月日 | 2015-12-21 |
| 資料番号 | ED2015-94 |
| 巻番号（vol） | vol.115 |
| 号番号（no） | ED-387 |
| ページ範囲 | pp.19-23(ED), |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2015-12-14 (ED) |