| 講演名 | 2015-12-21 グラフェンチャネルFETにおける真性パラメータの抽出 玉虫 元(東北大), 菅原 健太(東北大), 佐藤 昭(東北大), 田島 圭一郎(東北大), 吹留 博一(東北大), 末光 眞希(東北大), 尾辻 泰一(東北大), |
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| 抄録(和) | 半絶縁性4H-SiC(0001 ̅)面基板の熱分解法により得られたエピタキシャルグラフェン(EG)を用いてグラフェンチャネルFET (G-FETs)を試作し，その電気的特性の評価を行う．従来のG-FET真性パラメータ抽出法における問題点を解消するため，チャネル内n-iおよびn-p接合におけるトンネル抵抗および熱電子放出抵抗を加味したモデルを新たに構築する．測定により得られた入出力電圧電流特性に対しカーブフィッティングを適用して真性パラメータの抽出を行う． |
| 抄録(英) | We fabricate and characterize the graphene-channel FETs (G-FETs) made of high-quality epitaxial graphene (EG) grown by thermal decomposition of a semi-insulating 4H-SiC(0001 ̅) substrate. To resolve the problems of a conventional method for extracting the intrinsic G-FET parameters, we develop a new model accounting for the tunneling and thermionic-emission resistances at n-i and n-p junctions in the G-FET channel. We then extract the intrinsic parameters by curve-fitting the measured current-voltage transfer characteristics. |
| キーワード(和) | グラフェン / FET / トンネル抵抗 / 熱電子放出抵抗 / フィッティング / 移動度 |
| キーワード(英) | Graphene / FET / tunneling resistance / thermionic-emission resistance / fitting / mobility |
| 資料番号 | ED2015-95 |
| 発行日 | 2015-12-14 (ED) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2015/12/21(から2日開催) |
| 開催地（和） | 東北大通研ナノ・スピン棟 |
| 開催地（英） | RIEC, Tohoku Univ |
| テーマ（和） | ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム |
| テーマ（英） | Millimeter-wave, terahertz-wave devices and systems |
| 委員長氏名（和） | 前澤 宏一(富山大) |
| 委員長氏名（英） | Koichi Maezawa(Univ. of Toyama) |
| 副委員長氏名（和） | 津田 邦男(東芝) |
| 副委員長氏名（英） | Kunio Tsuda(Toshiba) |
| 幹事氏名（和） | 松永 高治(NEC) / 鈴木 寿一(北陸先端大) |
| 幹事氏名（英） | Koji Matsunaga(NEC) / Toshikazu Suzuki(JAIST) |
| 幹事補佐氏名（和） | 新井 学(新日本無線) / 東脇 正高(NICT) |
| 幹事補佐氏名（英） | Manabu Arai(New JRC) / Masataka Higashiwaki(NICT) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Electron Device |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | グラフェンチャネルFETにおける真性パラメータの抽出 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Extraction of intrinsic parameters in graphene-channel FET |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | グラフェン / Graphene |
| キーワード(2)（和/英） | FET / FET |
| キーワード(3)（和/英） | トンネル抵抗 / tunneling resistance |
| キーワード(4)（和/英） | 熱電子放出抵抗 / thermionic-emission resistance |
| キーワード(5)（和/英） | フィッティング / fitting |
| キーワード(6)（和/英） | 移動度 / mobility |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 玉虫 元 / Gen Tamamushi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東北大学(略称：東北大) Tohoku University(略称：Tohoku Univ.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 菅原 健太 / Kenta Sugawara |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東北大学(略称：東北大) Tohoku University(略称：Tohoku Univ.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 佐藤 昭 / Akira Sato |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東北大学(略称：東北大) Tohoku University(略称：Tohoku Univ.) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 田島 圭一郎 / Keiichiro Tashima |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東北大学(略称：東北大) Tohoku University(略称：Tohoku Univ.) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 吹留 博一 / Hirokazu Fukidome |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 東北大学(略称：東北大) Tohoku University(略称：Tohoku Univ.) |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 末光 眞希 / Maki Suemitsu |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 東北大学(略称：東北大) Tohoku University(略称：Tohoku Univ.) |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 尾辻 泰一 / Taiichi Otsuji |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 東北大学(略称：東北大) Tohoku University(略称：Tohoku Univ.) |
| 発表年月日 | 2015-12-21 |
| 資料番号 | ED2015-95 |
| 巻番号（vol） | vol.115 |
| 号番号（no） | ED-387 |
| ページ範囲 | pp.25-30(ED), |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2015-12-14 (ED) |