| 講演名 | 2015-12-22 レーザー誘起テラヘルツ波放射を用いたGaNの評価 酒井 裕司(阪大), 川山 巌(阪大), 中西 英俊(SCREEN), 斗内 政吉(阪大), |
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| 抄録(和) | 次世代デバイス材料として注目を集めているワイドギャップ半導体GaNに対してレーザー誘起テラヘルツ(THz)波放射を用いて測定を行った．面内に放射THz波の強度分布があることがわかり，フォトルミネッセンスの測定と比較した結果，GaNの欠陥，および不純物に由来するイエロールミネッセンスの強度とTHz波の強度に強い相関があることがわかった．THz波強度の励起波長依存性を測定したところ，GaNのバンドギャップエネルギーよりも小さいフォトンエネルギーではTHz波が発生しなくなることから，欠陥/不純物準位を介しての励起は寄与していないことがわかった．考察の結果，欠陥/不純物密度により表面ポテンシャルが大きくなり，THz波が強く放射されたと結論付けた． |
| 抄録(英) | Wide-gap semiconductors have received significant attention for their advantages over existing semiconductors. Here, We report studies on laser-induced terahertz (THz) emission from GaN. We found that the THz emission is enhanced by defects related to yellow luminescence, and this phenomenon is explained through the modification of band structures in the surface depletion layer owing to trapped electrons at defect sites. Our results demonstrate that the surface potential in a GaN surface could be detected by laser-induced THz emission. |
| キーワード(和) | テラヘルツ / 窒化ガリウム / 表面ポテンシャル |
| キーワード(英) | Terahertz / GaN / Surface Potential |
| 資料番号 | ED2015-106 |
| 発行日 | 2015-12-14 (ED) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2015/12/21(から2日開催) |
| 開催地（和） | 東北大通研ナノ・スピン棟 |
| 開催地（英） | RIEC, Tohoku Univ |
| テーマ（和） | ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム |
| テーマ（英） | Millimeter-wave, terahertz-wave devices and systems |
| 委員長氏名（和） | 前澤 宏一(富山大) |
| 委員長氏名（英） | Koichi Maezawa(Univ. of Toyama) |
| 副委員長氏名（和） | 津田 邦男(東芝) |
| 副委員長氏名（英） | Kunio Tsuda(Toshiba) |
| 幹事氏名（和） | 松永 高治(NEC) / 鈴木 寿一(北陸先端大) |
| 幹事氏名（英） | Koji Matsunaga(NEC) / Toshikazu Suzuki(JAIST) |
| 幹事補佐氏名（和） | 新井 学(新日本無線) / 東脇 正高(NICT) |
| 幹事補佐氏名（英） | Manabu Arai(New JRC) / Masataka Higashiwaki(NICT) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Electron Device |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | レーザー誘起テラヘルツ波放射を用いたGaNの評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Evaluation of GaN by using Laser-induced THz emission |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | テラヘルツ / Terahertz |
| キーワード(2)（和/英） | 窒化ガリウム / GaN |
| キーワード(3)（和/英） | 表面ポテンシャル / Surface Potential |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 酒井 裕司 / Yuji Sakai |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 大阪大学(略称：阪大) Osaka University(略称：Osaka Univ.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 川山 巌 / Iwao Kawayama |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 大阪大学(略称：阪大) Osaka University(略称：Osaka Univ.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 中西 英俊 / Hidetoshi Nakanishi |
| 第 3 著者 所属（和/英） | SCREEN Holdings(略称：SCREEN) SCREEN Holdings(略称：SCREEN) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 斗内 政吉 / Masayoshi Tonouchi |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 大阪大学(略称：阪大) Osaka University(略称：Osaka Univ.) |
| 発表年月日 | 2015-12-22 |
| 資料番号 | ED2015-106 |
| 巻番号（vol） | vol.115 |
| 号番号（no） | ED-387 |
| ページ範囲 | pp.89-92(ED), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2015-12-14 (ED) |