講演名 2015-12-21
[招待講演]小面積D帯CMOS差動増幅器の設計
原 紳介(NICT), 片山 光亮(広島大), 高野 恭弥(広島大), 渡邊 一世(NICT), 関根 徳彦(NICT), 笠松 章史(NICT), 吉田 毅(広島大), 天川 修平(広島大), 藤島 実(広島大),
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抄録(和) 最新CMOSプロセス利用によるコスト向上を抑制するため、要素回路の小型化技術が求められる。本発表では、D帯(110 ~ 170 GHz)の周波数領域で動作する小面積の広帯域CMOS差動増幅器を報告する。段間マッチング回路を最小寸法に抑つつ最適化した5段差動増幅器は、コアサイズ201×284 μmの小面積を実現し、中心周波数141 GHz、最大利得20 dB、3-dB帯域22 GHzの特性が得られた。
抄録(英) This paper presents a wideband differential amplifier operating at 138 GHz in 40-nm CMOS. It is composed of five differential common source stages with cross-coupled capacitors. A small-signal gain of 20 dB and a 3-dB bandwidth of 22 GHz are achieved. It consumes 75 mW from a 0.94-V voltage supply. The die area with balun and pads is 945 × 842 µm2 and the core size not including input/output matching networks is 201 × 284 µm2. The small core area is realized by using a refined “fishbone” layout technique.
キーワード(和) ミリ波回路 / CMOSプロセス / 増幅器
キーワード(英) Millimeter wave circuits / CMOS process / Amplifiers
資料番号 ED2015-91
発行日 2015-12-14 (ED)

研究会情報
研究会 ED
開催期間 2015/12/21(から2日開催)
開催地(和) 東北大通研ナノ・スピン棟
開催地(英) RIEC, Tohoku Univ
テーマ(和) ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム
テーマ(英) Millimeter-wave, terahertz-wave devices and systems
委員長氏名(和) 前澤 宏一(富山大)
委員長氏名(英) Koichi Maezawa(Univ. of Toyama)
副委員長氏名(和) 津田 邦男(東芝)
副委員長氏名(英) Kunio Tsuda(Toshiba)
幹事氏名(和) 松永 高治(NEC) / 鈴木 寿一(北陸先端大)
幹事氏名(英) Koji Matsunaga(NEC) / Toshikazu Suzuki(JAIST)
幹事補佐氏名(和) 新井 学(新日本無線) / 東脇 正高(NICT)
幹事補佐氏名(英) Manabu Arai(New JRC) / Masataka Higashiwaki(NICT)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Technical Committee on Electron Device
本文の言語 JPN
タイトル(和) [招待講演]小面積D帯CMOS差動増幅器の設計
サブタイトル(和)
タイトル(英) [Invited Talk] Compact 141-GHz Differential Amplifier with 20-dB Peak Gain and 22-GHz 3-dB Bandwidth
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) ミリ波回路 / Millimeter wave circuits
キーワード(2)(和/英) CMOSプロセス / CMOS process
キーワード(3)(和/英) 増幅器 / Amplifiers
第 1 著者 氏名(和/英) 原 紳介 / Shinsuke Hara
第 1 著者 所属(和/英) 情報通信研究機構(略称:NICT)
National Institute of Communications and Technology(略称:NICT)
第 2 著者 氏名(和/英) 片山 光亮 / Kousuke Katayama
第 2 著者 所属(和/英) 広島大学(略称:広島大)
Hiroshima University(略称:Hiroshima Univ.)
第 3 著者 氏名(和/英) 高野 恭弥 / Kyoya Takano
第 3 著者 所属(和/英) 広島大学(略称:広島大)
Hiroshima University(略称:Hiroshima Univ.)
第 4 著者 氏名(和/英) 渡邊 一世 / Issei Watanabe
第 4 著者 所属(和/英) 情報通信研究機構(略称:NICT)
National Institute of Communications and Technology(略称:NICT)
第 5 著者 氏名(和/英) 関根 徳彦 / Norihiko Sekine
第 5 著者 所属(和/英) 情報通信研究機構(略称:NICT)
National Institute of Communications and Technology(略称:NICT)
第 6 著者 氏名(和/英) 笠松 章史 / Akifumi Kasamatsu
第 6 著者 所属(和/英) 情報通信研究機構(略称:NICT)
National Institute of Communications and Technology(略称:NICT)
第 7 著者 氏名(和/英) 吉田 毅 / Takeshi Yoshida
第 7 著者 所属(和/英) 広島大学(略称:広島大)
Hiroshima University(略称:Hiroshima Univ.)
第 8 著者 氏名(和/英) 天川 修平 / Shuhei Amakawa
第 8 著者 所属(和/英) 広島大学(略称:広島大)
Hiroshima University(略称:Hiroshima Univ.)
第 9 著者 氏名(和/英) 藤島 実 / Minoru Fujishima
第 9 著者 所属(和/英) 広島大学(略称:広島大)
Hiroshima University(略称:Hiroshima Univ.)
発表年月日 2015-12-21
資料番号 ED2015-91
巻番号(vol) vol.115
号番号(no) ED-387
ページ範囲 pp.1-6(ED),
ページ数 6
発行日 2015-12-14 (ED)