講演名 2015-12-14
薄膜poly-Geをチャネルに利用したガラス上の自己整合メタルダブルゲート低温poly-Ge TFTの特性
西村 勇哉(東北学院大), 原 明人(東北学院大),
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抄録(和)
抄録(英)
キーワード(和)
キーワード(英)
資料番号 EID2015-19,SDM2015-102
発行日 2015-12-07 (EID, SDM)

研究会情報
研究会 EID / SDM
開催期間 2015/12/14(から1日開催)
開催地(和) 龍谷大学 響都ホール 校友会館
開催地(英) Ryukoku University, Avanti Kyoto Hall
テーマ(和) シリコン関連材料の作製と評価およびディスプレイ技術
テーマ(英) Si and Si-related Materials and Devices, and Display Technology
委員長氏名(和) 志賀 智一(電通大) / 大野 裕三(筑波大)
委員長氏名(英) Tomokazu Shiga(Univ. of Electro-Comm.) / Yuzou Oono(Univ. of Tsukuba)
副委員長氏名(和) 木村 睦(龍谷大) / 小南 裕子(静岡大) / 国清 辰也(ルネサス エレクトロニクス)
副委員長氏名(英) Mutsumi Kimura(Ryukoku Univ.) / Yuko Kominami(Shizuoka Univ.) / Tatsuya Kunikiyo(Renesas)
幹事氏名(和) 伊達 宗和(NTT) / 山口 雅浩(東工大) / 黒田 理人(東北大)
幹事氏名(英) Munekazu Date(NTT) / Masahiro Yamaguchi(Tokyo Inst. of Tech.) / Rihito Kuroda(Tohoku Univ.)
幹事補佐氏名(和) 山口 留美子(秋田大) / 新田 博幸(ジャパンディスプレイ) / 中田 充(NHK) / 小尻 尚志(日本ゼオン) / 野中 亮助(東芝) / 奥野 武志(Samsung R&D Inst. Japan) / 山口 直(ルネサス エレクトロニクス)
幹事補佐氏名(英) Rumiko Yamaguchi(Akita Univ.) / Hiroyuki Nitta(Japan Display) / Mitsuru Nakata(NHK) / Takashi Kojiri(ZEON) / Ryosuke Nonaka(Toshiba) / Takeshi Okuno(Samsung) / Tadashi Yamaguchi(Renesas)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Technical Committee on Electronic Information Displays / Technical Committee on Silicon Device and Materials
本文の言語 JPN
タイトル(和) 薄膜poly-Geをチャネルに利用したガラス上の自己整合メタルダブルゲート低温poly-Ge TFTの特性
サブタイトル(和)
タイトル(英) Self-Aligned Metal Double Gate Low-Temperature Poly-Ge TFT with Thin Channel Layer on a Glass Substrate
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英)
第 1 著者 氏名(和/英) 西村 勇哉 / Yuya Nishimura
第 1 著者 所属(和/英) 東北学院大学(略称:東北学院大)
Tohoku Gakuin University(略称:Tohoku Gakuin Univ.)
第 2 著者 氏名(和/英) 原 明人 / Akito Hara
第 2 著者 所属(和/英) 東北学院大学(略称:東北学院大)
Tohoku Gakuin University(略称:Tohoku Gakuin Univ.)
発表年月日 2015-12-14
資料番号 EID2015-19,SDM2015-102
巻番号(vol) vol.115
号番号(no) EID-362,SDM-363
ページ範囲 pp.43-47(EID), pp.43-47(SDM),
ページ数 5
発行日 2015-12-07 (EID, SDM)