講演名 | 2015-12-14 薄膜poly-Geをチャネルに利用したガラス上の自己整合メタルダブルゲート低温poly-Ge TFTの特性 西村 勇哉(東北学院大), 原 明人(東北学院大), |
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資料番号 | EID2015-19,SDM2015-102 |
発行日 | 2015-12-07 (EID, SDM) |
研究会情報 | |
研究会 | EID / SDM |
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開催期間 | 2015/12/14(から1日開催) |
開催地(和) | 龍谷大学 響都ホール 校友会館 |
開催地(英) | Ryukoku University, Avanti Kyoto Hall |
テーマ(和) | シリコン関連材料の作製と評価およびディスプレイ技術 |
テーマ(英) | Si and Si-related Materials and Devices, and Display Technology |
委員長氏名(和) | 志賀 智一(電通大) / 大野 裕三(筑波大) |
委員長氏名(英) | Tomokazu Shiga(Univ. of Electro-Comm.) / Yuzou Oono(Univ. of Tsukuba) |
副委員長氏名(和) | 木村 睦(龍谷大) / 小南 裕子(静岡大) / 国清 辰也(ルネサス エレクトロニクス) |
副委員長氏名(英) | Mutsumi Kimura(Ryukoku Univ.) / Yuko Kominami(Shizuoka Univ.) / Tatsuya Kunikiyo(Renesas) |
幹事氏名(和) | 伊達 宗和(NTT) / 山口 雅浩(東工大) / 黒田 理人(東北大) |
幹事氏名(英) | Munekazu Date(NTT) / Masahiro Yamaguchi(Tokyo Inst. of Tech.) / Rihito Kuroda(Tohoku Univ.) |
幹事補佐氏名(和) | 山口 留美子(秋田大) / 新田 博幸(ジャパンディスプレイ) / 中田 充(NHK) / 小尻 尚志(日本ゼオン) / 野中 亮助(東芝) / 奥野 武志(Samsung R&D Inst. Japan) / 山口 直(ルネサス エレクトロニクス) |
幹事補佐氏名(英) | Rumiko Yamaguchi(Akita Univ.) / Hiroyuki Nitta(Japan Display) / Mitsuru Nakata(NHK) / Takashi Kojiri(ZEON) / Ryosuke Nonaka(Toshiba) / Takeshi Okuno(Samsung) / Tadashi Yamaguchi(Renesas) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Technical Committee on Electronic Information Displays / Technical Committee on Silicon Device and Materials |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | 薄膜poly-Geをチャネルに利用したガラス上の自己整合メタルダブルゲート低温poly-Ge TFTの特性 |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | Self-Aligned Metal Double Gate Low-Temperature Poly-Ge TFT with Thin Channel Layer on a Glass Substrate |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | |
第 1 著者 氏名(和/英) | 西村 勇哉 / Yuya Nishimura |
第 1 著者 所属(和/英) | 東北学院大学(略称:東北学院大) Tohoku Gakuin University(略称:Tohoku Gakuin Univ.) |
第 2 著者 氏名(和/英) | 原 明人 / Akito Hara |
第 2 著者 所属(和/英) | 東北学院大学(略称:東北学院大) Tohoku Gakuin University(略称:Tohoku Gakuin Univ.) |
発表年月日 | 2015-12-14 |
資料番号 | EID2015-19,SDM2015-102 |
巻番号(vol) | vol.115 |
号番号(no) | EID-362,SDM-363 |
ページ範囲 | pp.43-47(EID), pp.43-47(SDM), |
ページ数 | 5 |
発行日 | 2015-12-07 (EID, SDM) |