| 講演名 | 2015-12-14 SnO2/Al2O3薄膜の特性評価と薄膜トランジスタの評価 小川 淳史(龍谷大), 弓削 政博(龍谷大), 吉岡 敏博(龍谷大), 松田 時宜(龍谷大), 木村 睦(龍谷大), |
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| 抄録(和) | 酸化物半導体であるSnO2とAl2O3をSn : Al= 9 : 1で混合した材料の焼結セラミックをターゲットとしてRFマグネトロンスパッタ装置を用いてガラス基板に成膜し, その電気的特性, 光透過率などを評価した.電気的特性はSnO2/Al2O3薄膜のシート抵抗を評価し, 温度依存性がある事が明らかになった. SnO2 / Al2O3薄膜の透過率は可視光領域で全ての条件で80 [%]以上を超えており, 透明である事が明らかになった. Siウェハー上にSnO2/Al2O3薄膜トランジスタ(TFT)を形成し, 動作させる事に成功した. |
| 抄録(英) | Oxide semiconductor with mixture of SnO2 and Al2O3at ratio Sn : Al = 9 : 1 was examined for active layer of thin film transistor (TFT). Thin films of SnO2 / Al2O3 were deposited by RF magnetron sputtering, and those sheet resistance and optical transmittance were evaluated. Optical transmittances with SnO2 / Al2O3 thin film were higher than 80% in visible range, therefore SnO2 / Al2O3 thin film were transparent. SnO2 / Al2O3 thin film transistor were fabricated on Si wafer. We found the operation of SnO2 / Al2O3 thin film transistor. |
| キーワード(和) | RFマグネトロンスパッタ / SnO2 / Al2O3 / 酸化物半導体 |
| キーワード(英) | RF magnetron sputtering / SnO2 / Al2O3(ATO) thin film / oxide semiconductor |
| 資料番号 | EID2015-20,SDM2015-103 |
| 発行日 | 2015-12-07 (EID, SDM) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | EID / SDM |
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| 開催期間 | 2015/12/14(から1日開催) |
| 開催地（和） | 龍谷大学 響都ホール 校友会館 |
| 開催地（英） | Ryukoku University, Avanti Kyoto Hall |
| テーマ（和） | シリコン関連材料の作製と評価およびディスプレイ技術 |
| テーマ（英） | Si and Si-related Materials and Devices, and Display Technology |
| 委員長氏名（和） | 志賀 智一(電通大) / 大野 裕三(筑波大) |
| 委員長氏名（英） | Tomokazu Shiga(Univ. of Electro-Comm.) / Yuzou Oono(Univ. of Tsukuba) |
| 副委員長氏名（和） | 木村 睦(龍谷大) / 小南 裕子(静岡大) / 国清 辰也(ルネサス エレクトロニクス) |
| 副委員長氏名（英） | Mutsumi Kimura(Ryukoku Univ.) / Yuko Kominami(Shizuoka Univ.) / Tatsuya Kunikiyo(Renesas) |
| 幹事氏名（和） | 伊達 宗和(NTT) / 山口 雅浩(東工大) / 黒田 理人(東北大) |
| 幹事氏名（英） | Munekazu Date(NTT) / Masahiro Yamaguchi(Tokyo Inst. of Tech.) / Rihito Kuroda(Tohoku Univ.) |
| 幹事補佐氏名（和） | 山口 留美子(秋田大) / 新田 博幸(ジャパンディスプレイ) / 中田 充(NHK) / 小尻 尚志(日本ゼオン) / 野中 亮助(東芝) / 奥野 武志(Samsung R&D Inst. Japan) / 山口 直(ルネサス エレクトロニクス) |
| 幹事補佐氏名（英） | Rumiko Yamaguchi(Akita Univ.) / Hiroyuki Nitta(Japan Display) / Mitsuru Nakata(NHK) / Takashi Kojiri(ZEON) / Ryosuke Nonaka(Toshiba) / Takeshi Okuno(Samsung) / Tadashi Yamaguchi(Renesas) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Electronic Information Displays / Technical Committee on Silicon Device and Materials |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | SnO2/Al2O3薄膜の特性評価と薄膜トランジスタの評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Characterization of SnO2/Al2O3 thin film and evaluation of thin film transistor |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | RFマグネトロンスパッタ / RF magnetron sputtering |
| キーワード(2)（和/英） | SnO2 / Al2O3 / SnO2 / Al2O3(ATO) thin film |
| キーワード(3)（和/英） | 酸化物半導体 / oxide semiconductor |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 小川 淳史 / Junji Ogawa |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 龍谷大学(略称：龍谷大) Ryukoku University(略称：Ryukoku Univ) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 弓削 政博 / Masahiro Yuge |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 龍谷大学(略称：龍谷大) Ryukoku University(略称：Ryukoku Univ) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 吉岡 敏博 / Tosihiro Yosioka |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 龍谷大学(略称：龍谷大) Ryukoku University(略称：Ryukoku Univ) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 松田 時宜 / Tokiyosi Matsuda |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 龍谷大学(略称：龍谷大) Ryukoku University(略称：Ryukoku Univ) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 木村 睦 / Mutsumi Kimura |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 龍谷大学(略称：龍谷大) Ryukoku University(略称：Ryukoku Univ) |
| 発表年月日 | 2015-12-14 |
| 資料番号 | EID2015-20,SDM2015-103 |
| 巻番号（vol） | vol.115 |
| 号番号（no） | EID-362,SDM-363 |
| ページ範囲 | pp.49-52(EID), pp.49-52(SDM), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2015-12-07 (EID, SDM) |