講演名 2015-11-27
伝導型の違いからみたGaN中プラズマ照射誘起欠陥の挙動解明
古賀 祐介(首都大東京), 中村 成志(首都大東京), 奥村 次徳(首都大東京),
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抄録(和)
抄録(英)
キーワード(和)
キーワード(英)
資料番号
発行日

研究会情報
研究会 ED / LQE / CPM
開催期間 2015/11/26(から2日開催)
開催地(和) 大阪市立大学・学術情報センター会議室
開催地(英) Osaka City University Media Center
テーマ(和) 窒化物半導体光・電子デバイス、材料、関連技術、及び一般
テーマ(英) Nitride Semiconductor Devices, Materials, Related Technologies
委員長氏名(和) 前澤 宏一(富山大) / 小路 元(住友電工) / 野毛 悟(沼津高専)
委員長氏名(英) Koichi Maezawa(Univ. of Toyama) / Hajime Shoji(Sumitomo Electric Industries) / Satoru Noge(Numazu National College of Tech.)
副委員長氏名(和) 津田 邦男(東芝) / 野田 進(京大) / 廣瀬 文彦(山形大)
副委員長氏名(英) Kunio Tsuda(Toshiba) / Susumu Noda(Kyoto Univ.) / Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.)
幹事氏名(和) 松永 高治(NEC) / 鈴木 寿一(北陸先端大) / 梅沢 俊匡(NICT) / 藤原 直樹(NTT) / 小舘 淳一(NTT) / 岩田 展幸(日大)
幹事氏名(英) Koji Matsunaga(NEC) / Toshikazu Suzuki(JAIST) / Toshimasa Umezawa(NICT) / Naoki Fujiwara(NTT) / Junichi Kodate(NTT) / Nobuyuki Iwata(Nihon Univ.)
幹事補佐氏名(和) 新井 学(新日本無線) / 東脇 正高(NICT) / / 坂本 尊(NTT) / 中村 雄一(豊橋技科大)
幹事補佐氏名(英) Manabu Arai(New JRC) / Masataka Higashiwaki(NICT) / / Takashi Sakamoto(NTT) / Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Technical Committee on Electron Device / Technical Committee on Lasers and Quantum Electronics / Technical Committee on Component Parts and Materials
本文の言語 JPN
タイトル(和) 伝導型の違いからみたGaN中プラズマ照射誘起欠陥の挙動解明
サブタイトル(和)
タイトル(英) Behavior of Plasma-induced Defects in GaN
サブタイトル(和) Comparison between n- and p type GaN
キーワード(1)(和/英)
第 1 著者 氏名(和/英) 古賀 祐介 / Yusuke Koga
第 1 著者 所属(和/英) 首都大学東京(略称:首都大東京)
Tokyo Metropolitan University(略称:TMU)
第 2 著者 氏名(和/英) 中村 成志 / Seiji Nakamura
第 2 著者 所属(和/英) 首都大学東京(略称:首都大東京)
Tokyo Metropolitan University(略称:TMU)
第 3 著者 氏名(和/英) 奥村 次徳 / Tsugunori Okumura
第 3 著者 所属(和/英) 首都大学東京(略称:首都大東京)
Tokyo Metropolitan University(略称:TMU)
発表年月日 2015-11-27
資料番号
巻番号(vol) vol.115
号番号(no) ED-329,CPM-330,LQE-331
ページ範囲 pp.-(),
ページ数
発行日