| 講演名 | 2015-11-26 ホール効果測定による低濃度Mgドープp型GaNの正孔キャリア密度および移動度の解析 堀田 昌宏(京大), 高島 信也(富士電機), 田中 亮(富士電機), 松山 秀昭(富士電機), 上野 勝典(富士電機), 江戸 雅晴(富士電機), 須田 淳(京大), |
|---|---|
| PDFダウンロードページ |  PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | 低濃度Mgドープp型GaN (Mg濃度$6.5times 10^{16}~mbox{cm}^{-3}$)に対してホール効果測定を行い, 正孔密度および移動度の解析を行った. p型GaN(膜厚$1~mumbox{m}$)は, 自立GaN基板上へ有機金属気相成長法によるホモエピタキシャル成長で形成した. カソードルミネセンスマッピング測定より計測した貫通転位密度は$4times 10^{6}~mbox{cm}^{-2}$であった. 測定温度$160sim 450mbox{K}$の範囲でホール効果測定および解析を行ったところ, ドナー補償率は1%未満であり, 正孔移動度は, 室温で$33~mbox{cm}^2mbox{/Vs}$を示した. |
| 抄録(英) | Lightly-Mg-doped p-type gallium nitride (GaN) with the Mg concentration of $6.5times 10^{16}~mbox{cm}^{-3}$ was characterized by Hall-effect measurements for analysis of the hole concentration and mobility. The Mg-doped p-GaN with the thickness of $1~mumbox{m}$ was grown on free-standing GaN substrate by metal-organic vapor-phase epitaxy, the threading dislocation density of which was $4times 10^{6}~mbox{cm}^{-2}$ measured by cathodoluminescence mapping. Hall-effect measurements of the p-GaN were carried out at a temperature in the range from 160 to 450K. It was revealed a low compensation ratio of less than 1% and the hole mobility of $33~mbox{cm}^2mbox{/Vs}$ at room temperature. |
| キーワード(和) | 窒化ガリウム / 有機金属気相成長法 / 低濃度Mgドープ / ホール効果 / 正孔密度 / 正孔移動度 |
| キーワード(英) | Gallium nitride / metal-organic vapor-phase epitaxy / lightly-Mg doped / Hall effect / hole density / hole mobility |
| 資料番号 | ED2015-72,CPM2015-107,LQE2015-104 |
| 発行日 | 2015-11-19 (ED, CPM, LQE) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED / LQE / CPM |
|---|---|
| 開催期間 | 2015/11/26(から2日開催) |
| 開催地（和） | 大阪市立大学・学術情報センター会議室 |
| 開催地（英） | Osaka City University Media Center |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電子デバイス、材料、関連技術、及び一般 |
| テーマ（英） | Nitride Semiconductor Devices, Materials, Related Technologies |
| 委員長氏名（和） | 前澤 宏一(富山大) / 小路 元(住友電工) / 野毛 悟(沼津高専) |
| 委員長氏名（英） | Koichi Maezawa(Univ. of Toyama) / Hajime Shoji(Sumitomo Electric Industries) / Satoru Noge(Numazu National College of Tech.) |
| 副委員長氏名（和） | 津田 邦男(東芝) / 野田 進(京大) / 廣瀬 文彦(山形大) |
| 副委員長氏名（英） | Kunio Tsuda(Toshiba) / Susumu Noda(Kyoto Univ.) / Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.) |
| 幹事氏名（和） | 松永 高治(NEC) / 鈴木 寿一(北陸先端大) / 梅沢 俊匡(NICT) / 藤原 直樹(NTT) / 小舘 淳一(NTT) / 岩田 展幸(日大) |
| 幹事氏名（英） | Koji Matsunaga(NEC) / Toshikazu Suzuki(JAIST) / Toshimasa Umezawa(NICT) / Naoki Fujiwara(NTT) / Junichi Kodate(NTT) / Nobuyuki Iwata(Nihon Univ.) |
| 幹事補佐氏名（和） | 新井 学(新日本無線) / 東脇 正高(NICT) / / 坂本 尊(NTT) / 中村 雄一(豊橋技科大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Manabu Arai(New JRC) / Masataka Higashiwaki(NICT) / / Takashi Sakamoto(NTT) / Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Electron Device / Technical Committee on Lasers and Quantum Electronics / Technical Committee on Component Parts and Materials |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ホール効果測定による低濃度Mgドープp型GaNの正孔キャリア密度および移動度の解析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Analysis of hole concentration and mobility of lightly Mg-doped p-type GaN by Hall-effect measurements |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 窒化ガリウム / Gallium nitride |
| キーワード(2)（和/英） | 有機金属気相成長法 / metal-organic vapor-phase epitaxy |
| キーワード(3)（和/英） | 低濃度Mgドープ / lightly-Mg doped |
| キーワード(4)（和/英） | ホール効果 / Hall effect |
| キーワード(5)（和/英） | 正孔密度 / hole density |
| キーワード(6)（和/英） | 正孔移動度 / hole mobility |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 堀田 昌宏 / Masahiro Horita |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 京都大学(略称：京大) Kyoto University(略称：Kyoto Univ.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 高島 信也 / Shinya Takashima |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 富士電機株式会社(略称：富士電機) Fuji Electric Co., Ltd.(略称：Fuji Electric) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 田中 亮 / Ryo Tanaka |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 富士電機株式会社(略称：富士電機) Fuji Electric Co., Ltd.(略称：Fuji Electric) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 松山 秀昭 / Hideaki Matsuyama |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 富士電機株式会社(略称：富士電機) Fuji Electric Co., Ltd.(略称：Fuji Electric) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 上野 勝典 / Katsunori Ueno |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 富士電機株式会社(略称：富士電機) Fuji Electric Co., Ltd.(略称：Fuji Electric) |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 江戸 雅晴 / Masaharu Edo |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 富士電機株式会社(略称：富士電機) Fuji Electric Co., Ltd.(略称：Fuji Electric) |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 須田 淳 / Jun Suda |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 京都大学(略称：京大) Kyoto University(略称：Kyoto Univ.) |
| 発表年月日 | 2015-11-26 |
| 資料番号 | ED2015-72,CPM2015-107,LQE2015-104 |
| 巻番号（vol） | vol.115 |
| 号番号（no） | ED-329,CPM-330,LQE-331 |
| ページ範囲 | pp.21-25(ED), pp.21-25(CPM), pp.21-25(LQE), |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2015-11-19 (ED, CPM, LQE) |