講演名 | 2015-11-27 Temperature-controlled atomic layer deposition of GaN using plasma-excited nitrogen source パンシラ ポープンブン(山形大), 鹿又 健作(山形大), 有馬 ボシルアハマド(山形大), 久保田 繁(山形大), 廣瀬 文彦(山形大), |
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抄録(和) | |
抄録(英) | Temperature-controlled ALD of GaN on Si(100) is demonstrated with TMG and plasma-excited NH3. The TMG adsorption and its reaction with NH3 plasma are investigated by IR abosption spectroscopy and X-ray photoelectron spectroscopy. It is found that the TMG saturation has the highest adsorption density at RT and the plasma-excited NH3 is effective in nitriding adsorbed TMG at 115 °C. The temperature-controlled ALD for GaN films is performed using TMG adsorption at RT and the plasma-excited NH3 treatment at the substrate temperature of 115 °C. The deposition rate of 0.045 nm /cycle is obtained in the present method. |
キーワード(和) | |
キーワード(英) | Gallium nitrideTMGammonia plasmatemperature-controlled ALD |
資料番号 | ED2015-81,CPM2015-116,LQE2015-113 |
発行日 | 2015-11-19 (ED, CPM, LQE) |
研究会情報 | |
研究会 | ED / LQE / CPM |
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開催期間 | 2015/11/26(から2日開催) |
開催地(和) | 大阪市立大学・学術情報センター会議室 |
開催地(英) | Osaka City University Media Center |
テーマ(和) | 窒化物半導体光・電子デバイス、材料、関連技術、及び一般 |
テーマ(英) | Nitride Semiconductor Devices, Materials, Related Technologies |
委員長氏名(和) | 前澤 宏一(富山大) / 小路 元(住友電工) / 野毛 悟(沼津高専) |
委員長氏名(英) | Koichi Maezawa(Univ. of Toyama) / Hajime Shoji(Sumitomo Electric Industries) / Satoru Noge(Numazu National College of Tech.) |
副委員長氏名(和) | 津田 邦男(東芝) / 野田 進(京大) / 廣瀬 文彦(山形大) |
副委員長氏名(英) | Kunio Tsuda(Toshiba) / Susumu Noda(Kyoto Univ.) / Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.) |
幹事氏名(和) | 松永 高治(NEC) / 鈴木 寿一(北陸先端大) / 梅沢 俊匡(NICT) / 藤原 直樹(NTT) / 小舘 淳一(NTT) / 岩田 展幸(日大) |
幹事氏名(英) | Koji Matsunaga(NEC) / Toshikazu Suzuki(JAIST) / Toshimasa Umezawa(NICT) / Naoki Fujiwara(NTT) / Junichi Kodate(NTT) / Nobuyuki Iwata(Nihon Univ.) |
幹事補佐氏名(和) | 新井 学(新日本無線) / 東脇 正高(NICT) / / 坂本 尊(NTT) / 中村 雄一(豊橋技科大) |
幹事補佐氏名(英) | Manabu Arai(New JRC) / Masataka Higashiwaki(NICT) / / Takashi Sakamoto(NTT) / Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Technical Committee on Electron Device / Technical Committee on Lasers and Quantum Electronics / Technical Committee on Component Parts and Materials |
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本文の言語 | ENG |
タイトル(和) | |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | Temperature-controlled atomic layer deposition of GaN using plasma-excited nitrogen source |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | / Gallium nitrideTMGammonia plasmatemperature-controlled ALD |
第 1 著者 氏名(和/英) | パンシラ ポープンブン / P.Pungboon Pansila |
第 1 著者 所属(和/英) | 山形大学(略称:山形大) Yamagata Univ(略称:Yamagata Univ) |
第 2 著者 氏名(和/英) | 鹿又 健作 / Kensaku Kanomata |
第 2 著者 所属(和/英) | 山形大学(略称:山形大) Yamagata Univ(略称:Yamagata Univ) |
第 3 著者 氏名(和/英) | 有馬 ボシルアハマド / Bashir Ahammad |
第 3 著者 所属(和/英) | 山形大学(略称:山形大) Yamagata Univ(略称:Yamagata Univ) |
第 4 著者 氏名(和/英) | 久保田 繁 / Shigeru Kubota |
第 4 著者 所属(和/英) | 山形大学(略称:山形大) Yamagata Univ(略称:Yamagata Univ) |
第 5 著者 氏名(和/英) | 廣瀬 文彦 / Fumihiko Hirose |
第 5 著者 所属(和/英) | 山形大学(略称:山形大) Yamagata Univ(略称:Yamagata Univ) |
発表年月日 | 2015-11-27 |
資料番号 | ED2015-81,CPM2015-116,LQE2015-113 |
巻番号(vol) | vol.115 |
号番号(no) | ED-329,CPM-330,LQE-331 |
ページ範囲 | pp.69-72(ED), pp.69-72(CPM), pp.69-72(LQE), |
ページ数 | 4 |
発行日 | 2015-11-19 (ED, CPM, LQE) |