| 講演名 | 2015-11-26 微傾斜角度の異なるc面サファイア基板上へのAlN成長とN2-COアニール 鈴木 周平(三重大), 林 家弘(三重大), 三宅 秀人(三重大), 平松 和政(三重大), 福山 博之(東北大), |
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| 抄録(和) | AlNはワイドギャップ半導体で，熱及び化学的特性が安定であることから，深紫外光デバイス材料として注目されている．高効率なデバイスの実現にはサファイア上への高品質なAlNエピタキシャル成長膜が必要である．サファイア上AlN成長では，サファイアの表面ステップ構造に起因して高密度な刀状転位が発生する問題があるため，サファイアとAlNの界面の制御が不可欠である．本研究では，サファイア基板の微傾斜角度やサーマルクリーニング条件を変化させて，サファイア上に形成されるAlNの結晶性やドメイン構造を制御し，AlNの高品質化を目指した．サファイア基板の微傾斜角度の増加につれて，AlNの(0002)面のXRC半値幅は悪化する傾向であったが，(10-12)面のXRC半値幅は改善するという結果となった．これらのXRC半値幅の変化は，サファイア基板の表面ステップ構造に起因することが確認された． |
| 抄録(英) | AlN is promising for applications in the deep ultraviolet region because of its wide direct band-gap and excellent thermal and chemical stabilities. High quality AlN epitaxial film on sapphire substrates is necessary for obtaining high efficiency devices. The control of interface between AlN and sapphire substrate is important， because high density of edge-type dislocation will generate in AlN films which cause by uniformity of sapphire step structure. In this work， we changed thermal cleaning temperature and misoriented c-plane sapphire to control of crystallinity and domain structure of AlN. As misoriented angle being increased， the FWHM of XRC(0002) plane tended to deteriorate， but the FWHM of XRC(10-12) plane improve. It was demonstrated that the change of these XRC FWHM was caused by surface step structure of sapphire substrates. |
| キーワード(和) | AlN / MOVPE / アニール / N2-CO / サファイア |
| キーワード(英) | AlN / MOVPE / annealing / N2-CO / sapphire |
| 資料番号 | ED2015-69,CPM2015-104,LQE2015-101 |
| 発行日 | 2015-11-19 (ED, CPM, LQE) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED / LQE / CPM |
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| 開催期間 | 2015/11/26(から2日開催) |
| 開催地（和） | 大阪市立大学・学術情報センター会議室 |
| 開催地（英） | Osaka City University Media Center |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電子デバイス、材料、関連技術、及び一般 |
| テーマ（英） | Nitride Semiconductor Devices, Materials, Related Technologies |
| 委員長氏名（和） | 前澤 宏一(富山大) / 小路 元(住友電工) / 野毛 悟(沼津高専) |
| 委員長氏名（英） | Koichi Maezawa(Univ. of Toyama) / Hajime Shoji(Sumitomo Electric Industries) / Satoru Noge(Numazu National College of Tech.) |
| 副委員長氏名（和） | 津田 邦男(東芝) / 野田 進(京大) / 廣瀬 文彦(山形大) |
| 副委員長氏名（英） | Kunio Tsuda(Toshiba) / Susumu Noda(Kyoto Univ.) / Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.) |
| 幹事氏名（和） | 松永 高治(NEC) / 鈴木 寿一(北陸先端大) / 梅沢 俊匡(NICT) / 藤原 直樹(NTT) / 小舘 淳一(NTT) / 岩田 展幸(日大) |
| 幹事氏名（英） | Koji Matsunaga(NEC) / Toshikazu Suzuki(JAIST) / Toshimasa Umezawa(NICT) / Naoki Fujiwara(NTT) / Junichi Kodate(NTT) / Nobuyuki Iwata(Nihon Univ.) |
| 幹事補佐氏名（和） | 新井 学(新日本無線) / 東脇 正高(NICT) / / 坂本 尊(NTT) / 中村 雄一(豊橋技科大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Manabu Arai(New JRC) / Masataka Higashiwaki(NICT) / / Takashi Sakamoto(NTT) / Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Electron Device / Technical Committee on Lasers and Quantum Electronics / Technical Committee on Component Parts and Materials |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 微傾斜角度の異なるc面サファイア基板上へのAlN成長とN2-COアニール |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Growth of AlN with annealing on different misoriented c-plane sapphire |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | AlN / AlN |
| キーワード(2)（和/英） | MOVPE / MOVPE |
| キーワード(3)（和/英） | アニール / annealing |
| キーワード(4)（和/英） | N2-CO / N2-CO |
| キーワード(5)（和/英） | サファイア / sapphire |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 鈴木 周平 / Shuhei Suzuki |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 三重大学(略称：三重大) Mie University(略称：Mie Univ.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 林 家弘 / Chia-Hung Lin |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 三重大学(略称：三重大) Mie University(略称：Mie Univ.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 三宅 秀人 / Hideto Miyake |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 三重大学(略称：三重大) Mie University(略称：Mie Univ.) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 平松 和政 / Kazumasa Hiramatsu |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 三重大学(略称：三重大) Mie University(略称：Mie Univ.) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 福山 博之 / Hiroyuki Fukuyama |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 東北大学(略称：東北大) Tohoku University(略称：Tohoku Univ.) |
| 発表年月日 | 2015-11-26 |
| 資料番号 | ED2015-69,CPM2015-104,LQE2015-101 |
| 巻番号（vol） | vol.115 |
| 号番号（no） | ED-329,CPM-330,LQE-331 |
| ページ範囲 | pp.5-9(ED), pp.5-9(CPM), pp.5-9(LQE), |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2015-11-19 (ED, CPM, LQE) |