| 講演名 | 2015-11-26 AlN/Sapphire基板を用いたRF加熱式HVPEによるAlN成長 安井 大貴(三重大), 三宅 秀人(三重大), 平松 和政(三重大), 岩谷 素顕(名城大), 赤崎 勇(名城大), 天野 浩(名大), |
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| 抄録(和) | AlN（窒化アルミニウム）はワイドバンドギャップ半導体であり，熱及び化学的特性が安定であることから，深紫外域の発光・受光デバイスの基板として注目されている．高性能なデバイス作製のためにはAlNの高品質化が必要であり，近年では結晶成長技術に伴い高品質なAlN基板が昇華法等で作製されているが，高価で基板サイズに課題である．一方，SapphireはAlN成長用の基板として用いた場合には，高密度の貫通転位が形成される課題があるが，比較的大口径の基板が作製可能且つ，安価であることから実用化に適している．本研究では，装置コストが安価で大口径なテンプレート作製が可能であるスパッタ法に着目し，Sapphire上にAlNをスパッタ法で堆積し，これを基板に用いてHVPE法によりAlNの厚膜成長やアニールを行いAlNの高品質化を目指した． |
| 抄録(英) | AlN (Aluminum nitride) is promising for deep ultraviolet optoelectronic devices. High crystal quality free-standing AlN substrates are obtained in recent year by PVT (physical vapor transport). Nevertheless, it is difficult to fabricate low cost of AlN substrates with large diameter by PVT. Large diameter with reasonable price for commercial of AlN templates can achieve by using sapphire substrates. However, high density of threading dislocations exists in AlN templates and will lower the performance of devices. In this research, we focus on sputtering growth method, which can easily fabricate AlN films on sapphire substrate as templates, and high crystal quality of AlN films are obtained to grow AlN on sputtering AlN templates by HVPE (hydride vapor phase epitaxy). |
| キーワード(和) | HVPE / AlN / AlN/Sapphire / スパッタ |
| キーワード(英) | HVPE / AlN / AlN/Sapphire / Sputtering |
| 資料番号 | ED2015-70,CPM2015-105,LQE2015-102 |
| 発行日 | 2015-11-19 (ED, CPM, LQE) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED / LQE / CPM |
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| 開催期間 | 2015/11/26(から2日開催) |
| 開催地（和） | 大阪市立大学・学術情報センター会議室 |
| 開催地（英） | Osaka City University Media Center |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電子デバイス、材料、関連技術、及び一般 |
| テーマ（英） | Nitride Semiconductor Devices, Materials, Related Technologies |
| 委員長氏名（和） | 前澤 宏一(富山大) / 小路 元(住友電工) / 野毛 悟(沼津高専) |
| 委員長氏名（英） | Koichi Maezawa(Univ. of Toyama) / Hajime Shoji(Sumitomo Electric Industries) / Satoru Noge(Numazu National College of Tech.) |
| 副委員長氏名（和） | 津田 邦男(東芝) / 野田 進(京大) / 廣瀬 文彦(山形大) |
| 副委員長氏名（英） | Kunio Tsuda(Toshiba) / Susumu Noda(Kyoto Univ.) / Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.) |
| 幹事氏名（和） | 松永 高治(NEC) / 鈴木 寿一(北陸先端大) / 梅沢 俊匡(NICT) / 藤原 直樹(NTT) / 小舘 淳一(NTT) / 岩田 展幸(日大) |
| 幹事氏名（英） | Koji Matsunaga(NEC) / Toshikazu Suzuki(JAIST) / Toshimasa Umezawa(NICT) / Naoki Fujiwara(NTT) / Junichi Kodate(NTT) / Nobuyuki Iwata(Nihon Univ.) |
| 幹事補佐氏名（和） | 新井 学(新日本無線) / 東脇 正高(NICT) / / 坂本 尊(NTT) / 中村 雄一(豊橋技科大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Manabu Arai(New JRC) / Masataka Higashiwaki(NICT) / / Takashi Sakamoto(NTT) / Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Electron Device / Technical Committee on Lasers and Quantum Electronics / Technical Committee on Component Parts and Materials |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | AlN/Sapphire基板を用いたRF加熱式HVPEによるAlN成長 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | AlN growth on AlN/Sapphire substrate by RF-HVPE |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | HVPE / HVPE |
| キーワード(2)（和/英） | AlN / AlN |
| キーワード(3)（和/英） | AlN/Sapphire / AlN/Sapphire |
| キーワード(4)（和/英） | スパッタ / Sputtering |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 安井 大貴 / Daiki Yasui |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 三重大学(略称：三重大) Mie University(略称：Mie Univ.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 三宅 秀人 / Hideto Miyake |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 三重大学(略称：三重大) Mie University(略称：Mie Univ.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 平松 和政 / Kazumasa Hiramatsu |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 三重大学(略称：三重大) Mie University(略称：Mie Univ.) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 岩谷 素顕 / Motoaki Iwaya |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名城大学(略称：名城大) Meijo University(略称：Meijo Univ.) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 赤崎 勇 / Isamu Akasaki |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 名城大学(略称：名城大) Meijo University(略称：Meijo Univ.) |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 天野 浩 / Hiroshi Amano |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 名古屋大学(略称：名大) Nagoya University(略称：Nagoya Univ.) |
| 発表年月日 | 2015-11-26 |
| 資料番号 | ED2015-70,CPM2015-105,LQE2015-102 |
| 巻番号（vol） | vol.115 |
| 号番号（no） | ED-329,CPM-330,LQE-331 |
| ページ範囲 | pp.11-14(ED), pp.11-14(CPM), pp.11-14(LQE), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2015-11-19 (ED, CPM, LQE) |