講演名 2015-11-26
多波長励起発光分離法を用いたInGaN薄膜のラマン散乱分光
石戸 亮祐(京大), 石井 良太(京大), 船戸 充(京大), 川上 養一(京大),
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抄録(和) 共鳴ラマン散乱分光法は,発光素子の活性層の評価法として高いポテンシャルを有している.しかし,ラマン信号に発光スペクトルが重畳するため,正確なラマンスペクトルを得ることが難しいといった問題が顕在化していた.そこで本研究では,InGaN薄膜の共鳴ラマン散乱分光を行う際に, 励起レーザの波長を微小変化させることにより発光スペクトルを正確に取り去る手法を考案し,InGaN三元混晶からのラマン信号を抽出することに成功した. その結果,In組成の分布図を得ることに成功した.
抄録(英) Resonant Raman scattering spectroscopy is crucially useful in studying properties of light-emitting devices. However, it is difficult to measure pure Raman spectra from light emitters because Raman signals may overlap with luminescence. In this report, we propose “Multi-wavelength excited Raman scattering spectroscopy”, where Raman spectra acquired with slightly different excitation wavelengths are subtracted each other. This method can eliminate luminescence components from the experimentally obtained Raman spectra. We successfully obtain InGaN Raman signals with this method and visualize the spatial distribution of In composition.
キーワード(和) 窒化インジウムガリウム / ラマン散乱分光法
キーワード(英) Indium gallium nitride / Raman scattering
資料番号 ED2015-79,CPM2015-114,LQE2015-111
発行日 2015-11-19 (ED, CPM, LQE)

研究会情報
研究会 ED / LQE / CPM
開催期間 2015/11/26(から2日開催)
開催地(和) 大阪市立大学・学術情報センター会議室
開催地(英) Osaka City University Media Center
テーマ(和) 窒化物半導体光・電子デバイス、材料、関連技術、及び一般
テーマ(英) Nitride Semiconductor Devices, Materials, Related Technologies
委員長氏名(和) 前澤 宏一(富山大) / 小路 元(住友電工) / 野毛 悟(沼津高専)
委員長氏名(英) Koichi Maezawa(Univ. of Toyama) / Hajime Shoji(Sumitomo Electric Industries) / Satoru Noge(Numazu National College of Tech.)
副委員長氏名(和) 津田 邦男(東芝) / 野田 進(京大) / 廣瀬 文彦(山形大)
副委員長氏名(英) Kunio Tsuda(Toshiba) / Susumu Noda(Kyoto Univ.) / Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.)
幹事氏名(和) 松永 高治(NEC) / 鈴木 寿一(北陸先端大) / 梅沢 俊匡(NICT) / 藤原 直樹(NTT) / 小舘 淳一(NTT) / 岩田 展幸(日大)
幹事氏名(英) Koji Matsunaga(NEC) / Toshikazu Suzuki(JAIST) / Toshimasa Umezawa(NICT) / Naoki Fujiwara(NTT) / Junichi Kodate(NTT) / Nobuyuki Iwata(Nihon Univ.)
幹事補佐氏名(和) 新井 学(新日本無線) / 東脇 正高(NICT) / / 坂本 尊(NTT) / 中村 雄一(豊橋技科大)
幹事補佐氏名(英) Manabu Arai(New JRC) / Masataka Higashiwaki(NICT) / / Takashi Sakamoto(NTT) / Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Technical Committee on Electron Device / Technical Committee on Lasers and Quantum Electronics / Technical Committee on Component Parts and Materials
本文の言語 JPN
タイトル(和) 多波長励起発光分離法を用いたInGaN薄膜のラマン散乱分光
サブタイトル(和)
タイトル(英) Multi-wavelength excited Raman scattering spectroscopy for InGaN single layers
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 窒化インジウムガリウム / Indium gallium nitride
キーワード(2)(和/英) ラマン散乱分光法 / Raman scattering
第 1 著者 氏名(和/英) 石戸 亮祐 / Ryosuke Ishido
第 1 著者 所属(和/英) 京都大学(略称:京大)
Kyoto University(略称:Kyoto Univ.)
第 2 著者 氏名(和/英) 石井 良太 / Ryota Ishii
第 2 著者 所属(和/英) 京都大学(略称:京大)
Kyoto University(略称:Kyoto Univ.)
第 3 著者 氏名(和/英) 船戸 充 / Mitsuru Funato
第 3 著者 所属(和/英) 京都大学(略称:京大)
Kyoto University(略称:Kyoto Univ.)
第 4 著者 氏名(和/英) 川上 養一 / Yoichi Kawakami
第 4 著者 所属(和/英) 京都大学(略称:京大)
Kyoto University(略称:Kyoto Univ.)
発表年月日 2015-11-26
資料番号 ED2015-79,CPM2015-114,LQE2015-111
巻番号(vol) vol.115
号番号(no) ED-329,CPM-330,LQE-331
ページ範囲 pp.59-62(ED), pp.59-62(CPM), pp.59-62(LQE),
ページ数 4
発行日 2015-11-19 (ED, CPM, LQE)