| 講演名 | 2015-11-06 ラジカル窒化による遷移金属窒化物の有用性 武山 真弓(北見工大), 佐藤 勝(北見工大), 青柳 英二(東北大), 野矢 厚(北見工大), |
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| 抄録(和) | 我々は、遷移金属窒化物を用いて、スパッタとラジカル処理を組み合わせた新たな手法の有用性と問題点を反応性スパッタによって得られた膜と比較検討した。低温成膜が求められる中、我々の提案する手法によって得られた膜は、200℃以下という厳しい制約の中で成膜が可能で有り、かつ350 ～400℃の成膜温度で反応性スパッタにて得られた膜と同等程度のバリヤ特性が得られることを実証した。さらに、反応性スパッタでは単独で得られない相の形成についても確認され、我々の提案する手法は低温成膜だけでなく、新たな可能性を秘めた成膜手法となり得る可能性を示した。 |
| 抄録(英) | We have proposed the low temperature deposition method of preparing transition metal nitride films by combination of sputtering and radical treatment at the process temperatures lower than 200 ºC. In this study, we compare the characteristics of TiNx, ZrNx, and HfNx films as a diffusion barrier between Cu and SiO2 prepared by the proposed method and reactive sputtering at 350~400 ºC. The barrier properties comparable with those by sputtering are confirmed in the film deposited by the proposed method even in a low temperature process. In particular, a stable phase that cannot be obtained by sputtering is prepared by this method. The proposed method is useful to the deposition of nitride films at low temperatures in various applications. |
| キーワード(和) | Cu配線 / シリコン貫通ビア / 遷移金属窒化物 / 低温成膜 / ラジカル処理 |
| キーワード(英) | Cu interconnects / through silicon via / transition metal nitride / low temperature deposition / radical treatment |
| 資料番号 | CPM2015-89 |
| 発行日 | 2015-10-30 (CPM) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2015/11/6(から2日開催) |
| 開催地（和） | まちなかキャンパス長岡 |
| 開催地（英） | Machinaka Campus Nagaoka |
| テーマ（和） | 薄膜プロセス・材料，一般 |
| テーマ（英） | Thin film processing, etc. |
| 委員長氏名（和） | 野毛 悟(沼津高専) |
| 委員長氏名（英） | Satoru Noge(Numazu National College of Tech.) |
| 副委員長氏名（和） | 廣瀬 文彦(山形大) |
| 副委員長氏名（英） | Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.) |
| 幹事氏名（和） | 小舘 淳一(NTT) / 岩田 展幸(日大) |
| 幹事氏名（英） | Junichi Kodate(NTT) / Nobuyuki Iwata(Nihon Univ.) |
| 幹事補佐氏名（和） | 坂本 尊(NTT) / 中村 雄一(豊橋技科大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Takashi Sakamoto(NTT) / Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Component Parts and Materials |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ラジカル窒化による遷移金属窒化物の有用性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Properties of transition metal nitride deposited by combination of sputtering and radical treatment |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | Cu配線 / Cu interconnects |
| キーワード(2)（和/英） | シリコン貫通ビア / through silicon via |
| キーワード(3)（和/英） | 遷移金属窒化物 / transition metal nitride |
| キーワード(4)（和/英） | 低温成膜 / low temperature deposition |
| キーワード(5)（和/英） | ラジカル処理 / radical treatment |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 武山 真弓 / Mayumi B. Takeyama |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 北見工業大学(略称：北見工大) Kitami Institute of Technology(略称：Kitami Inst. of Technol.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 佐藤 勝 / Masaru Sato |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 北見工業大学(略称：北見工大) Kitami Institute of Technology(略称：Kitami Inst. of Technol.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 青柳 英二 / Eiji Aoyagi |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東北大学(略称：東北大) Tohoku University(略称：Tohoku Univ.) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 野矢 厚 / Atsushi Noya |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 北見工業大学(略称：北見工大) Kitami Institute of Technology(略称：Kitami Inst. of Technol.) |
| 発表年月日 | 2015-11-06 |
| 資料番号 | CPM2015-89 |
| 巻番号（vol） | vol.115 |
| 号番号（no） | CPM-297 |
| ページ範囲 | pp.27-30(CPM), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2015-10-30 (CPM) |