| 講演名 | 2015-11-26 1.6kV大電流GaNトレンチ型ハイブリッドジャンクションダイオードの開発 梶谷 亮(パナソニック), 半田 浩之(パナソニック), 宇治田 信二(パナソニック), 柴田 大輔(パナソニック), 小川 雅弘(パナソニック), 田中 健一郎(パナソニック), 石田 秀俊(パナソニック), 田村 聡之(パナソニック), 石田 昌宏(パナソニック), 上田 哲三(パナソニック), |
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| 抄録(和) | 低立ち上がり電圧・大電流を有するGaNトレンチ型ハイブリッドジャンクションダイオード（THD: Trench Hybrid-junction diode）を新規に開発したので報告する。GaN THDの立ち上がり電圧は従来報告されているGaNショットキーバリアダイオード（SBD :Schottky barrier diode）と同等の0.8 Vであり、かつ順方向電流密度は印加電圧10 Vにおいて9.0 kA / cm2と、 GaN SBDの電流密度4.4 kA / cm2に対し約2倍の大電流、かつ逆方向耐圧1.6 kVを示した。 |
| 抄録(英) | A GaN-based trench hybrid-junction diode (THD) on a GaN substrate with a high current and low threshold voltage is presented. Turn-on voltages in the GaN THD and GaN Schottky barrier diode (SBD) are 0.8 V. A current density in the GaN THD of 9.0 kA / cm2 at 10 V is almost twice as that in the GaN SBD of 4.4 kA / cm2 10 V. A breakdown voltage of the GaN THD is 1.6 kV. |
| キーワード(和) | 窒化ガリウム / GaN / JBSダイオード / MPSダイオード / ショットキーバリアダイオード |
| キーワード(英) | Gallium Nitride / Schottky barrier diode / PN junction diode / JBS (Junction barrier Schottky) Diode / MPS (Merged PiN Schottky) Diode |
| 資料番号 | ED2015-75,CPM2015-110,LQE2015-107 |
| 発行日 | 2015-11-19 (ED, CPM, LQE) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED / LQE / CPM |
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| 開催期間 | 2015/11/26(から2日開催) |
| 開催地（和） | 大阪市立大学・学術情報センター会議室 |
| 開催地（英） | Osaka City University Media Center |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電子デバイス、材料、関連技術、及び一般 |
| テーマ（英） | Nitride Semiconductor Devices, Materials, Related Technologies |
| 委員長氏名（和） | 前澤 宏一(富山大) / 小路 元(住友電工) / 野毛 悟(沼津高専) |
| 委員長氏名（英） | Koichi Maezawa(Univ. of Toyama) / Hajime Shoji(Sumitomo Electric Industries) / Satoru Noge(Numazu National College of Tech.) |
| 副委員長氏名（和） | 津田 邦男(東芝) / 野田 進(京大) / 廣瀬 文彦(山形大) |
| 副委員長氏名（英） | Kunio Tsuda(Toshiba) / Susumu Noda(Kyoto Univ.) / Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.) |
| 幹事氏名（和） | 松永 高治(NEC) / 鈴木 寿一(北陸先端大) / 梅沢 俊匡(NICT) / 藤原 直樹(NTT) / 小舘 淳一(NTT) / 岩田 展幸(日大) |
| 幹事氏名（英） | Koji Matsunaga(NEC) / Toshikazu Suzuki(JAIST) / Toshimasa Umezawa(NICT) / Naoki Fujiwara(NTT) / Junichi Kodate(NTT) / Nobuyuki Iwata(Nihon Univ.) |
| 幹事補佐氏名（和） | 新井 学(新日本無線) / 東脇 正高(NICT) / / 坂本 尊(NTT) / 中村 雄一(豊橋技科大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Manabu Arai(New JRC) / Masataka Higashiwaki(NICT) / / Takashi Sakamoto(NTT) / Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Electron Device / Technical Committee on Lasers and Quantum Electronics / Technical Committee on Component Parts and Materials |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 1.6kV大電流GaNトレンチ型ハイブリッドジャンクションダイオードの開発 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A high current operation in a 1.6 kV GaN-based trench hybrid-junction diode (THD) |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 窒化ガリウム / Gallium Nitride |
| キーワード(2)（和/英） | GaN / Schottky barrier diode |
| キーワード(3)（和/英） | JBSダイオード / PN junction diode |
| キーワード(4)（和/英） | MPSダイオード / JBS (Junction barrier Schottky) Diode |
| キーワード(5)（和/英） | ショットキーバリアダイオード / MPS (Merged PiN Schottky) Diode |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 梶谷 亮 / Ryo Kajitani |
| 第 1 著者 所属（和/英） | パナソニック株式会社(略称：パナソニック) Panasonic Corp.(略称：Panasonic) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 半田 浩之 / Hiroyuki Handa |
| 第 2 著者 所属（和/英） | パナソニック株式会社(略称：パナソニック) Panasonic Corp.(略称：Panasonic) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 宇治田 信二 / Shinji Ujita |
| 第 3 著者 所属（和/英） | パナソニック株式会社(略称：パナソニック) Panasonic Corp.(略称：Panasonic) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 柴田 大輔 / Daisuke Shibata |
| 第 4 著者 所属（和/英） | パナソニック株式会社(略称：パナソニック) Panasonic Corp.(略称：Panasonic) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 小川 雅弘 / Masahiro Ogawa |
| 第 5 著者 所属（和/英） | パナソニック株式会社(略称：パナソニック) Panasonic Corp.(略称：Panasonic) |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 田中 健一郎 / Kenichiro Tanaka |
| 第 6 著者 所属（和/英） | パナソニック株式会社(略称：パナソニック) Panasonic Corp.(略称：Panasonic) |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 石田 秀俊 / Hidetoshi Ishida |
| 第 7 著者 所属（和/英） | パナソニック株式会社(略称：パナソニック) Panasonic Corp.(略称：Panasonic) |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 田村 聡之 / Satoshi Tamura |
| 第 8 著者 所属（和/英） | パナソニック株式会社(略称：パナソニック) Panasonic Corp.(略称：Panasonic) |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 石田 昌宏 / Masahiro Ishida |
| 第 9 著者 所属（和/英） | パナソニック株式会社(略称：パナソニック) Panasonic Corp.(略称：Panasonic) |
| 第 10 著者 氏名（和/英） | 上田 哲三 / Tetsuzo Ueda |
| 第 10 著者 所属（和/英） | パナソニック株式会社(略称：パナソニック) Panasonic Corp.(略称：Panasonic) |
| 発表年月日 | 2015-11-26 |
| 資料番号 | ED2015-75,CPM2015-110,LQE2015-107 |
| 巻番号（vol） | vol.115 |
| 号番号（no） | ED-329,CPM-330,LQE-331 |
| ページ範囲 | pp.39-42(ED), pp.39-42(CPM), pp.39-42(LQE), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2015-11-19 (ED, CPM, LQE) |