講演名 | 2015-11-26 1.6kV大電流GaNトレンチ型ハイブリッドジャンクションダイオードの開発 梶谷 亮(パナソニック), 半田 浩之(パナソニック), 宇治田 信二(パナソニック), 柴田 大輔(パナソニック), 小川 雅弘(パナソニック), 田中 健一郎(パナソニック), 石田 秀俊(パナソニック), 田村 聡之(パナソニック), 石田 昌宏(パナソニック), 上田 哲三(パナソニック), |
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抄録(和) | 低立ち上がり電圧・大電流を有するGaNトレンチ型ハイブリッドジャンクションダイオード(THD: Trench Hybrid-junction diode)を新規に開発したので報告する。GaN THDの立ち上がり電圧は従来報告されているGaNショットキーバリアダイオード(SBD :Schottky barrier diode)と同等の0.8 Vであり、かつ順方向電流密度は印加電圧10 Vにおいて9.0 kA / cm2と、 GaN SBDの電流密度4.4 kA / cm2に対し約2倍の大電流、かつ逆方向耐圧1.6 kVを示した。 |
抄録(英) | A GaN-based trench hybrid-junction diode (THD) on a GaN substrate with a high current and low threshold voltage is presented. Turn-on voltages in the GaN THD and GaN Schottky barrier diode (SBD) are 0.8 V. A current density in the GaN THD of 9.0 kA / cm2 at 10 V is almost twice as that in the GaN SBD of 4.4 kA / cm2 10 V. A breakdown voltage of the GaN THD is 1.6 kV. |
キーワード(和) | 窒化ガリウム / GaN / JBSダイオード / MPSダイオード / ショットキーバリアダイオード |
キーワード(英) | Gallium Nitride / Schottky barrier diode / PN junction diode / JBS (Junction barrier Schottky) Diode / MPS (Merged PiN Schottky) Diode |
資料番号 | ED2015-75,CPM2015-110,LQE2015-107 |
発行日 | 2015-11-19 (ED, CPM, LQE) |
研究会情報 | |
研究会 | ED / LQE / CPM |
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開催期間 | 2015/11/26(から2日開催) |
開催地(和) | 大阪市立大学・学術情報センター会議室 |
開催地(英) | Osaka City University Media Center |
テーマ(和) | 窒化物半導体光・電子デバイス、材料、関連技術、及び一般 |
テーマ(英) | Nitride Semiconductor Devices, Materials, Related Technologies |
委員長氏名(和) | 前澤 宏一(富山大) / 小路 元(住友電工) / 野毛 悟(沼津高専) |
委員長氏名(英) | Koichi Maezawa(Univ. of Toyama) / Hajime Shoji(Sumitomo Electric Industries) / Satoru Noge(Numazu National College of Tech.) |
副委員長氏名(和) | 津田 邦男(東芝) / 野田 進(京大) / 廣瀬 文彦(山形大) |
副委員長氏名(英) | Kunio Tsuda(Toshiba) / Susumu Noda(Kyoto Univ.) / Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.) |
幹事氏名(和) | 松永 高治(NEC) / 鈴木 寿一(北陸先端大) / 梅沢 俊匡(NICT) / 藤原 直樹(NTT) / 小舘 淳一(NTT) / 岩田 展幸(日大) |
幹事氏名(英) | Koji Matsunaga(NEC) / Toshikazu Suzuki(JAIST) / Toshimasa Umezawa(NICT) / Naoki Fujiwara(NTT) / Junichi Kodate(NTT) / Nobuyuki Iwata(Nihon Univ.) |
幹事補佐氏名(和) | 新井 学(新日本無線) / 東脇 正高(NICT) / / 坂本 尊(NTT) / 中村 雄一(豊橋技科大) |
幹事補佐氏名(英) | Manabu Arai(New JRC) / Masataka Higashiwaki(NICT) / / Takashi Sakamoto(NTT) / Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Technical Committee on Electron Device / Technical Committee on Lasers and Quantum Electronics / Technical Committee on Component Parts and Materials |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | 1.6kV大電流GaNトレンチ型ハイブリッドジャンクションダイオードの開発 |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | A high current operation in a 1.6 kV GaN-based trench hybrid-junction diode (THD) |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | 窒化ガリウム / Gallium Nitride |
キーワード(2)(和/英) | GaN / Schottky barrier diode |
キーワード(3)(和/英) | JBSダイオード / PN junction diode |
キーワード(4)(和/英) | MPSダイオード / JBS (Junction barrier Schottky) Diode |
キーワード(5)(和/英) | ショットキーバリアダイオード / MPS (Merged PiN Schottky) Diode |
第 1 著者 氏名(和/英) | 梶谷 亮 / Ryo Kajitani |
第 1 著者 所属(和/英) | パナソニック株式会社(略称:パナソニック) Panasonic Corp.(略称:Panasonic) |
第 2 著者 氏名(和/英) | 半田 浩之 / Hiroyuki Handa |
第 2 著者 所属(和/英) | パナソニック株式会社(略称:パナソニック) Panasonic Corp.(略称:Panasonic) |
第 3 著者 氏名(和/英) | 宇治田 信二 / Shinji Ujita |
第 3 著者 所属(和/英) | パナソニック株式会社(略称:パナソニック) Panasonic Corp.(略称:Panasonic) |
第 4 著者 氏名(和/英) | 柴田 大輔 / Daisuke Shibata |
第 4 著者 所属(和/英) | パナソニック株式会社(略称:パナソニック) Panasonic Corp.(略称:Panasonic) |
第 5 著者 氏名(和/英) | 小川 雅弘 / Masahiro Ogawa |
第 5 著者 所属(和/英) | パナソニック株式会社(略称:パナソニック) Panasonic Corp.(略称:Panasonic) |
第 6 著者 氏名(和/英) | 田中 健一郎 / Kenichiro Tanaka |
第 6 著者 所属(和/英) | パナソニック株式会社(略称:パナソニック) Panasonic Corp.(略称:Panasonic) |
第 7 著者 氏名(和/英) | 石田 秀俊 / Hidetoshi Ishida |
第 7 著者 所属(和/英) | パナソニック株式会社(略称:パナソニック) Panasonic Corp.(略称:Panasonic) |
第 8 著者 氏名(和/英) | 田村 聡之 / Satoshi Tamura |
第 8 著者 所属(和/英) | パナソニック株式会社(略称:パナソニック) Panasonic Corp.(略称:Panasonic) |
第 9 著者 氏名(和/英) | 石田 昌宏 / Masahiro Ishida |
第 9 著者 所属(和/英) | パナソニック株式会社(略称:パナソニック) Panasonic Corp.(略称:Panasonic) |
第 10 著者 氏名(和/英) | 上田 哲三 / Tetsuzo Ueda |
第 10 著者 所属(和/英) | パナソニック株式会社(略称:パナソニック) Panasonic Corp.(略称:Panasonic) |
発表年月日 | 2015-11-26 |
資料番号 | ED2015-75,CPM2015-110,LQE2015-107 |
巻番号(vol) | vol.115 |
号番号(no) | ED-329,CPM-330,LQE-331 |
ページ範囲 | pp.39-42(ED), pp.39-42(CPM), pp.39-42(LQE), |
ページ数 | 4 |
発行日 | 2015-11-19 (ED, CPM, LQE) |