講演名 | 2015-11-27 無極性a面AlGaN/AlNの高温成長と深紫外発光特性 定 昌史(理研), 平山 秀樹(理研), |
---|---|
PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
抄録(和) | |
抄録(英) | |
キーワード(和) | |
キーワード(英) | |
資料番号 | ED2015-85,CPM2015-120,LQE2015-117 |
発行日 | 2015-11-19 (ED, CPM, LQE) |
研究会情報 | |
研究会 | ED / LQE / CPM |
---|---|
開催期間 | 2015/11/26(から2日開催) |
開催地(和) | 大阪市立大学・学術情報センター会議室 |
開催地(英) | Osaka City University Media Center |
テーマ(和) | 窒化物半導体光・電子デバイス、材料、関連技術、及び一般 |
テーマ(英) | Nitride Semiconductor Devices, Materials, Related Technologies |
委員長氏名(和) | 前澤 宏一(富山大) / 小路 元(住友電工) / 野毛 悟(沼津高専) |
委員長氏名(英) | Koichi Maezawa(Univ. of Toyama) / Hajime Shoji(Sumitomo Electric Industries) / Satoru Noge(Numazu National College of Tech.) |
副委員長氏名(和) | 津田 邦男(東芝) / 野田 進(京大) / 廣瀬 文彦(山形大) |
副委員長氏名(英) | Kunio Tsuda(Toshiba) / Susumu Noda(Kyoto Univ.) / Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.) |
幹事氏名(和) | 松永 高治(NEC) / 鈴木 寿一(北陸先端大) / 梅沢 俊匡(NICT) / 藤原 直樹(NTT) / 小舘 淳一(NTT) / 岩田 展幸(日大) |
幹事氏名(英) | Koji Matsunaga(NEC) / Toshikazu Suzuki(JAIST) / Toshimasa Umezawa(NICT) / Naoki Fujiwara(NTT) / Junichi Kodate(NTT) / Nobuyuki Iwata(Nihon Univ.) |
幹事補佐氏名(和) | 新井 学(新日本無線) / 東脇 正高(NICT) / / 坂本 尊(NTT) / 中村 雄一(豊橋技科大) |
幹事補佐氏名(英) | Manabu Arai(New JRC) / Masataka Higashiwaki(NICT) / / Takashi Sakamoto(NTT) / Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Technical Committee on Electron Device / Technical Committee on Lasers and Quantum Electronics / Technical Committee on Component Parts and Materials |
---|---|
本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | 無極性a面AlGaN/AlNの高温成長と深紫外発光特性 |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | High-temperature growth of a-AlGaN/AlN and its optical properties |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | |
第 1 著者 氏名(和/英) | 定 昌史 / Masafumi Jo |
第 1 著者 所属(和/英) | 国立研究開発法人理化学研究所(略称:理研) RIKEN(略称:RIKEN) |
第 2 著者 氏名(和/英) | 平山 秀樹 / Hideki Hirayama |
第 2 著者 所属(和/英) | 国立研究開発法人理化学研究所(略称:理研) RIKEN(略称:RIKEN) |
発表年月日 | 2015-11-27 |
資料番号 | ED2015-85,CPM2015-120,LQE2015-117 |
巻番号(vol) | vol.115 |
号番号(no) | ED-329,CPM-330,LQE-331 |
ページ範囲 | pp.85-88(ED), pp.85-88(CPM), pp.85-88(LQE), |
ページ数 | 4 |
発行日 | 2015-11-19 (ED, CPM, LQE) |