| 講演名 | 2015-11-27 スマートスタック技術による多接合太陽電池の接合界面評価 野中 翔一郎(東京理科大), 古川 昭雄(東京理科大), 牧田 紀久夫(産総研), 水野 英範(産総研), 菅谷 武芳(産総研), 仁木 栄(産総研), |
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| 抄録(和) | 多接合太陽光電池は、バンドギャップの異なるセルを多重に重ね、太陽光スペクトルを有効活用することにより高効率を得る太陽電池である。我々は、これまでその製法としてPdナノ粒子を接合界面に導入したスマートスタック技術を開発[1]、GaAs/InP系4接合太陽電池で効率31.6％[2]、GaAs/CIGS系3接合太陽電池で効率24.2%[3]を実証してきた。本誌では、スマートスタックによる接合界面の知見を得るため、セル間の接合抵抗に注視し、接合過程におけるプラズマ時間の変化による抵抗依存性や低抵抗化のメカニズムを評価・検討したので報告する。 |
| 抄録(英) | Multi-junction solar cell have high efficiency with the combination of different cells. We developed new fabrication method, “Smart Stacking Technology”, which integrates Pd nanoparticles at the bonding interfaces. Using this technology, a GaAs/InP 4-junction solar cell with 31.6% efficiency and a GaAs/CuInGaSe 3-junction solar cell with 24.2% efficiency have been reported. In this paper, we focus on bonding resistance to gain knowledge of “Smart Stacking Technology” and examine the mechanism of reducing bonding resistance. |
| キーワード(和) | 多接合太陽電池 / 接合抵抗 / 接合技術 / ナノ粒子 / GaAs / Pd |
| キーワード(英) | Multi-junction solar cells / Junction resistance / Bonding technology / Nanoparticle / GaAs / Pd |
| 資料番号 | ED2015-88,CPM2015-123,LQE2015-120 |
| 発行日 | 2015-11-19 (ED, CPM, LQE) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED / LQE / CPM |
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| 開催期間 | 2015/11/26(から2日開催) |
| 開催地（和） | 大阪市立大学・学術情報センター会議室 |
| 開催地（英） | Osaka City University Media Center |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電子デバイス、材料、関連技術、及び一般 |
| テーマ（英） | Nitride Semiconductor Devices, Materials, Related Technologies |
| 委員長氏名（和） | 前澤 宏一(富山大) / 小路 元(住友電工) / 野毛 悟(沼津高専) |
| 委員長氏名（英） | Koichi Maezawa(Univ. of Toyama) / Hajime Shoji(Sumitomo Electric Industries) / Satoru Noge(Numazu National College of Tech.) |
| 副委員長氏名（和） | 津田 邦男(東芝) / 野田 進(京大) / 廣瀬 文彦(山形大) |
| 副委員長氏名（英） | Kunio Tsuda(Toshiba) / Susumu Noda(Kyoto Univ.) / Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.) |
| 幹事氏名（和） | 松永 高治(NEC) / 鈴木 寿一(北陸先端大) / 梅沢 俊匡(NICT) / 藤原 直樹(NTT) / 小舘 淳一(NTT) / 岩田 展幸(日大) |
| 幹事氏名（英） | Koji Matsunaga(NEC) / Toshikazu Suzuki(JAIST) / Toshimasa Umezawa(NICT) / Naoki Fujiwara(NTT) / Junichi Kodate(NTT) / Nobuyuki Iwata(Nihon Univ.) |
| 幹事補佐氏名（和） | 新井 学(新日本無線) / 東脇 正高(NICT) / / 坂本 尊(NTT) / 中村 雄一(豊橋技科大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Manabu Arai(New JRC) / Masataka Higashiwaki(NICT) / / Takashi Sakamoto(NTT) / Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Electron Device / Technical Committee on Lasers and Quantum Electronics / Technical Committee on Component Parts and Materials |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | スマートスタック技術による多接合太陽電池の接合界面評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Evaluation of the bonding interface of multi-junction solar cell according to smart stack technology |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 多接合太陽電池 / Multi-junction solar cells |
| キーワード(2)（和/英） | 接合抵抗 / Junction resistance |
| キーワード(3)（和/英） | 接合技術 / Bonding technology |
| キーワード(4)（和/英） | ナノ粒子 / Nanoparticle |
| キーワード(5)（和/英） | GaAs / GaAs |
| キーワード(6)（和/英） | Pd / Pd |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 野中 翔一郎 / Shoichiro Nonaka |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京理科大学(略称：東京理科大) Tokyo University of Science(略称：Tokyo Univ. of Science) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 古川 昭雄 / Akio Furukawa |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京理科大学(略称：東京理科大) Tokyo University of Science(略称：Tokyo Univ. of Science) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 牧田 紀久夫 / Kikuo Makita |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 国立研究開発法人産業技術総合研究所(略称：産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology(略称：AIST) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 水野 英範 / Hidenori Mizuno |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 国立研究開発法人産業技術総合研究所(略称：産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology(略称：AIST) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 菅谷 武芳 / Takeyoshi Sugaya |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 国立研究開発法人産業技術総合研究所(略称：産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology(略称：AIST) |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 仁木 栄 / Shigeru Niki |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 国立研究開発法人産業技術総合研究所(略称：産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology(略称：AIST) |
| 発表年月日 | 2015-11-27 |
| 資料番号 | ED2015-88,CPM2015-123,LQE2015-120 |
| 巻番号（vol） | vol.115 |
| 号番号（no） | ED-329,CPM-330,LQE-331 |
| ページ範囲 | pp.101-104(ED), pp.101-104(CPM), pp.101-104(LQE), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2015-11-19 (ED, CPM, LQE) |