| 講演名 | 2015-11-26 光音響・発光同時計測法及び時間分解発光計測によるGaNの輻射・非輻射再結合寿命の測定 河上 航平(金沢工大), 中納 隆(金沢工大), 山口 敦史(金沢工大), |
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| 抄録(和) | 半導体の輻射・非輻射再結合寿命は、発光(PL)寿命とPL強度の温度変化から、極低温での内部量子効率(IQE)を100％と仮定することによって、見積もられることが多い。しかし、欠陥の多い窒化物半導体において、この仮定は必ずしも正しくない。そこで本研究では、光音響・発光同時計測から求めた正しいIQEを基にPL寿命を解析し、正しい再結合寿命を見積もった。その結果、輻射再結合寿命は温度の1.5乗に比例して増加するのに対し、非輻射再結合寿命はほぼ変化せず、その絶対値は測定試料の品質に依存することがわかった。 |
| 抄録(英) | Radiative and non-radiative recombination lifetimes in III-nitride semiconductors are usually estimated from time-resolved and temperature-dependent photoluminescence (PL) measurements by assuming that internal quantum efficiency (IQE) at cryogenic temperature is unity. In our recent study, we found that the assumption is not necessarily valid, from simultaneous measurements of PL and photo-acoustic (PA) signals. In this study, we estimate accurate lifetimes from the reliable IQE values estimated by the simultaneous PL/PA measurements, and it is found that radiative lifetime in GaN increases in proportion to the 1.5th power of temperature and that non-radiative lifetime shows little temperature dependence although the non-radiative lifetime itself largely depends on sample quality. |
| キーワード(和) | 窒化物半導体 / GaN / 内部量子効率 / 再結合寿命 |
| キーワード(英) | Nitride Semiconductor / GaN / IQE / Recombination lifetime |
| 資料番号 | ED2015-77,CPM2015-112,LQE2015-109 |
| 発行日 | 2015-11-19 (ED, CPM, LQE) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED / LQE / CPM |
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| 開催期間 | 2015/11/26(から2日開催) |
| 開催地（和） | 大阪市立大学・学術情報センター会議室 |
| 開催地（英） | Osaka City University Media Center |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電子デバイス、材料、関連技術、及び一般 |
| テーマ（英） | Nitride Semiconductor Devices, Materials, Related Technologies |
| 委員長氏名（和） | 前澤 宏一(富山大) / 小路 元(住友電工) / 野毛 悟(沼津高専) |
| 委員長氏名（英） | Koichi Maezawa(Univ. of Toyama) / Hajime Shoji(Sumitomo Electric Industries) / Satoru Noge(Numazu National College of Tech.) |
| 副委員長氏名（和） | 津田 邦男(東芝) / 野田 進(京大) / 廣瀬 文彦(山形大) |
| 副委員長氏名（英） | Kunio Tsuda(Toshiba) / Susumu Noda(Kyoto Univ.) / Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.) |
| 幹事氏名（和） | 松永 高治(NEC) / 鈴木 寿一(北陸先端大) / 梅沢 俊匡(NICT) / 藤原 直樹(NTT) / 小舘 淳一(NTT) / 岩田 展幸(日大) |
| 幹事氏名（英） | Koji Matsunaga(NEC) / Toshikazu Suzuki(JAIST) / Toshimasa Umezawa(NICT) / Naoki Fujiwara(NTT) / Junichi Kodate(NTT) / Nobuyuki Iwata(Nihon Univ.) |
| 幹事補佐氏名（和） | 新井 学(新日本無線) / 東脇 正高(NICT) / / 坂本 尊(NTT) / 中村 雄一(豊橋技科大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Manabu Arai(New JRC) / Masataka Higashiwaki(NICT) / / Takashi Sakamoto(NTT) / Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Electron Device / Technical Committee on Lasers and Quantum Electronics / Technical Committee on Component Parts and Materials |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 光音響・発光同時計測法及び時間分解発光計測によるGaNの輻射・非輻射再結合寿命の測定 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Analysis of radiative and non-radiative lifetimes in GaN using accurate internal-quantum-efficiency values estimated by simultaneous photoluminescence and photo-acoustic measurements |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 窒化物半導体 / Nitride Semiconductor |
| キーワード(2)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(3)（和/英） | 内部量子効率 / IQE |
| キーワード(4)（和/英） | 再結合寿命 / Recombination lifetime |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 河上 航平 / Kohei Kawakami |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 金沢工業大学(略称：金沢工大) Kanazawa Institute of Technology(略称：KIT) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 中納 隆 / Takashi Nakano |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 金沢工業大学(略称：金沢工大) Kanazawa Institute of Technology(略称：KIT) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 山口 敦史 / Atsushi A Yamaguchi |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 金沢工業大学(略称：金沢工大) Kanazawa Institute of Technology(略称：KIT) |
| 発表年月日 | 2015-11-26 |
| 資料番号 | ED2015-77,CPM2015-112,LQE2015-109 |
| 巻番号（vol） | vol.115 |
| 号番号（no） | ED-329,CPM-330,LQE-331 |
| ページ範囲 | pp.49-52(ED), pp.49-52(CPM), pp.49-52(LQE), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2015-11-19 (ED, CPM, LQE) |