| 講演名 | 2015-11-27 ALDにより成膜したHfO2を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMTの界面準位とデバイス特性 西野 剛介(名工大), 久保 俊晴(名工大), 江川 孝志(名工大), |
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| 抄録(和) | AlGaN/GaN HEMTのゲートリーク電流を抑えるためには、ゲート部分を金属/絶縁膜/半導体(MIS)とした構造が有効である。MIS構造の絶縁膜として我々はこれまで酸素プリカーサーとして水及びオゾンを用いてAl2O3膜を成膜し、比較的良いI-V特性を得た。今回は絶縁膜として高誘電率材料であるHfO2に着目し、水とオゾンを用いたALD成膜によりMIS-HEMTを作製し、そのI-V特性と界面準位の評価を行った。またHfO2/AlGaN界面におけるXPS分析による評価も行った。成膜されたHfO2からは誘電率が約24と高い値が得られた。HfO2をゲート絶縁膜とすることによりゲートリーク電流は低減された。 |
| 抄録(英) | We previously reported that MIS-HEMTs with Al2O3 fabricated by ALD using both H2O and O3 as oxygen precursors showed good current-voltage(I-V) characteristics. In this paper HfO2 was focused as an insulator in AlGaN/GaN MIS structure. HfO2 was deposited by ALD using both H2O and O3 as oxygen precursors, and I-V characteristics and interface states of MIS-HEMTs were evaluated. We also evaluated X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) spectrum of HfO2/AlGaN interfaces. Dielectric constant of the HfO2 was about 24. Large suppression of gate leakage current was obtained by using HfO2 as the gate insulator. |
| キーワード(和) | GaN / MIS / ALD / insulator / HfO2 |
| キーワード(英) | GaN / MIS / ALD / insulator / HfO2 |
| 資料番号 | ED2015-82,CPM2015-117,LQE2015-114 |
| 発行日 | 2015-11-19 (ED, CPM, LQE) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED / LQE / CPM |
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| 開催期間 | 2015/11/26(から2日開催) |
| 開催地（和） | 大阪市立大学・学術情報センター会議室 |
| 開催地（英） | Osaka City University Media Center |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電子デバイス、材料、関連技術、及び一般 |
| テーマ（英） | Nitride Semiconductor Devices, Materials, Related Technologies |
| 委員長氏名（和） | 前澤 宏一(富山大) / 小路 元(住友電工) / 野毛 悟(沼津高専) |
| 委員長氏名（英） | Koichi Maezawa(Univ. of Toyama) / Hajime Shoji(Sumitomo Electric Industries) / Satoru Noge(Numazu National College of Tech.) |
| 副委員長氏名（和） | 津田 邦男(東芝) / 野田 進(京大) / 廣瀬 文彦(山形大) |
| 副委員長氏名（英） | Kunio Tsuda(Toshiba) / Susumu Noda(Kyoto Univ.) / Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.) |
| 幹事氏名（和） | 松永 高治(NEC) / 鈴木 寿一(北陸先端大) / 梅沢 俊匡(NICT) / 藤原 直樹(NTT) / 小舘 淳一(NTT) / 岩田 展幸(日大) |
| 幹事氏名（英） | Koji Matsunaga(NEC) / Toshikazu Suzuki(JAIST) / Toshimasa Umezawa(NICT) / Naoki Fujiwara(NTT) / Junichi Kodate(NTT) / Nobuyuki Iwata(Nihon Univ.) |
| 幹事補佐氏名（和） | 新井 学(新日本無線) / 東脇 正高(NICT) / / 坂本 尊(NTT) / 中村 雄一(豊橋技科大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Manabu Arai(New JRC) / Masataka Higashiwaki(NICT) / / Takashi Sakamoto(NTT) / Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Electron Device / Technical Committee on Lasers and Quantum Electronics / Technical Committee on Component Parts and Materials |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ALDにより成膜したHfO2を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMTの界面準位とデバイス特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Interface states and device characteristics of AlGaN/GaN MIS-HEMTs with HfO2 fabricated by atomic layer deposition |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | MIS / MIS |
| キーワード(3)（和/英） | ALD / ALD |
| キーワード(4)（和/英） | insulator / insulator |
| キーワード(5)（和/英） | HfO2 / HfO2 |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 西野 剛介 / Gosuke Nishino |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学(略称：名工大) Nagoya Institute of Technology(略称：NITech) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 久保 俊晴 / Toshiharu Kubo |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学(略称：名工大) Nagoya Institute of Technology(略称：NITech) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 江川 孝志 / Takashi Egawa |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学(略称：名工大) Nagoya Institute of Technology(略称：NITech) |
| 発表年月日 | 2015-11-27 |
| 資料番号 | ED2015-82,CPM2015-117,LQE2015-114 |
| 巻番号（vol） | vol.115 |
| 号番号（no） | ED-329,CPM-330,LQE-331 |
| ページ範囲 | pp.73-76(ED), pp.73-76(CPM), pp.73-76(LQE), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2015-11-19 (ED, CPM, LQE) |