| 講演名 | 2015-10-30 Investigation of stacked HfN gate insulator formed by ECR plasma sputtering ニティ アッティ(東工大), 大見 俊一郎(東工大), |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | In this paper, the effects of HfN1.0 interfacial layer (IL) on the electrical characteristics of HfN1.3 layer formed by electron-cyclotron-resonance (ECR) plasma sputtering were investigated. The metallic-phase HfN0.5 (10 nm) with Al capping layer (40 nm) was used as a gate electrode. The stacked layers of HfN1.3 (1.7 nm)/HfN1.0 (0.9 nm)/Si(100) showed the EOT of 0.58 nm with leakage current density (@VFB -1V) of 1.0x10^-5 A/cm2. After PMA of 500°C/10 min in N2/4.9%H2 ambient, thedensity of interface states (Dit) of 2.5x10^11 cm-2eV-1 was obtained. It was found that by using HfN IL with low nitrogen concentration, the interface properties of HfNx gate stack structures were significantly improved comparing to other oxide-based IL such as HfO2 or chemical oxide. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | Electron-cyclotron-resonancesputteringin-situhigh-κ gate insulatorhafnium nitride |
| 資料番号 | SDM2015-82 |
| 発行日 | 2015-10-22 (SDM) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2015/10/29(から2日開催) |
| 開催地（和） | 東北大学未来研 |
| 開催地（英） | Niche, Tohoku Univ. |
| テーマ（和） | プロセス科学と新プロセス技術 |
| テーマ（英） | Process Science and New Process Technology |
| 委員長氏名（和） | 大野 裕三(筑波大) |
| 委員長氏名（英） | Yuzou Oono(Univ. of Tsukuba) |
| 副委員長氏名（和） | 国清 辰也(ルネサス エレクトロニクス) |
| 副委員長氏名（英） | Tatsuya Kunikiyo(Renesas) |
| 幹事氏名（和） | 黒田 理人(東北大) |
| 幹事氏名（英） | Rihito Kuroda(Tohoku Univ.) |
| 幹事補佐氏名（和） | 山口 直(ルネサス エレクトロニクス) |
| 幹事補佐氏名（英） | Tadashi Yamaguchi(Renesas) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Silicon Device and Materials |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Investigation of stacked HfN gate insulator formed by ECR plasma sputtering |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / Electron-cyclotron-resonancesputteringin-situhigh-κ gate insulatorhafnium nitride |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | ニティ アッティ / Nithi Atthi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京工業大学(略称：東工大) Tokyo Institute of Technology(略称：Tokyo Tech) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 大見 俊一郎 / Shun-ichiro Ohmi |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京工業大学(略称：東工大) Tokyo Institute of Technology(略称：Tokyo Tech) |
| 発表年月日 | 2015-10-30 |
| 資料番号 | SDM2015-82 |
| 巻番号（vol） | vol.115 |
| 号番号（no） | SDM-280 |
| ページ範囲 | pp.57-62(SDM), |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2015-10-22 (SDM) |