| 講演名 | 2015-10-29 Xe/H2プラズマを用いたシリコン基板表面の低温平坦化技術 諏訪 智之(東北大), 寺本 章伸(東北大), 後藤 哲也(東北大), 平山 昌樹(東北大), 須川 成利(東北大), 大見 忠弘(東北大), |
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| 抄録(和) | MOSデバイスにおいてゲート絶縁膜とシリコンの界面の平坦性は，デイバス性能および動作信頼性に大きく影響する．近年開発が盛んなフィン構造のような微細で複数の面方位を有するシリコン表面の平坦化や，最新のLSI製造プロセスにおけるゲート絶縁膜形成直前にシリコン表面の平坦化プロセスを導入するためには，低温で平坦化可能なプロセスが要求される．ゲート酸化膜形成直前に400℃のXe/H2プラズマによる平坦化を導入することにより，シリコン表面が平坦化され，絶縁破壊電界強度が向上し，そのばらつきも低減されることを明らかにした． |
| 抄録(英) | In order to flatten any crystal orientation of Si surface including Si-fin-structure and to introduce the flattening process just before the gate oxide formation in the latest LSI manufacturing process, it is strongly required that the flattening process is carried out at lower temperature. By introducing Xe/H2 plasma flattening at 400 oC just before the gate oxide formation, the breakdown field (Ebd) was improved and Ebd fluctuation became much smaller than that of conventional. |
| キーワード(和) | MOSデバイス / シリコン表面 / 表面平坦化 / プラズマプロセス |
| キーワード(英) | MOS device / Si surface / Surface flattening / Plasma process |
| 資料番号 | SDM2015-73 |
| 発行日 | 2015-10-22 (SDM) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2015/10/29(から2日開催) |
| 開催地（和） | 東北大学未来研 |
| 開催地（英） | Niche, Tohoku Univ. |
| テーマ（和） | プロセス科学と新プロセス技術 |
| テーマ（英） | Process Science and New Process Technology |
| 委員長氏名（和） | 大野 裕三(筑波大) |
| 委員長氏名（英） | Yuzou Oono(Univ. of Tsukuba) |
| 副委員長氏名（和） | 国清 辰也(ルネサス エレクトロニクス) |
| 副委員長氏名（英） | Tatsuya Kunikiyo(Renesas) |
| 幹事氏名（和） | 黒田 理人(東北大) |
| 幹事氏名（英） | Rihito Kuroda(Tohoku Univ.) |
| 幹事補佐氏名（和） | 山口 直(ルネサス エレクトロニクス) |
| 幹事補佐氏名（英） | Tadashi Yamaguchi(Renesas) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Silicon Device and Materials |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Xe/H2プラズマを用いたシリコン基板表面の低温平坦化技術 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Ultra-Low Temperature Flattening Technique of Silicon Surface Using Xe/H2 Plasma |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | MOSデバイス / MOS device |
| キーワード(2)（和/英） | シリコン表面 / Si surface |
| キーワード(3)（和/英） | 表面平坦化 / Surface flattening |
| キーワード(4)（和/英） | プラズマプロセス / Plasma process |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 諏訪 智之 / Tomoyuki Suwa |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東北大学(略称：東北大) Tohoku University(略称：Tohoku Univ.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 寺本 章伸 / Akinobu Teramoto |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東北大学(略称：東北大) Tohoku University(略称：Tohoku Univ.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 後藤 哲也 / Tetsuya Goto |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東北大学(略称：東北大) Tohoku University(略称：Tohoku Univ.) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 平山 昌樹 / Masaki Hirayama |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東北大学(略称：東北大) Tohoku University(略称：Tohoku Univ.) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 須川 成利 / Shigetoshi Sugawa |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 東北大学(略称：東北大) Tohoku University(略称：Tohoku Univ.) |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 大見 忠弘 / Tadahiro Ohmi |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 東北大学(略称：東北大) Tohoku University(略称：Tohoku Univ.) |
| 発表年月日 | 2015-10-29 |
| 資料番号 | SDM2015-73 |
| 巻番号（vol） | vol.115 |
| 号番号（no） | SDM-280 |
| ページ範囲 | pp.13-16(SDM), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2015-10-22 (SDM) |