講演名 2015-10-23
混合溶媒による塗布型有機トランジスタの高移動度化および低閾値電圧化
中道 諒介(阪府大), 永瀬 隆(阪府大), 小林 隆史(阪府大), 貞光 雄一(日本化薬), 内藤 裕義(阪府大),
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抄録(和) 有機電界効果トランジスタ(OFET)の電気的特性(移動度、閾値電圧)の制御はOFETの実用化に向け重要である。OFETの特徴の一つに溶液プロセスによって半導体層を成膜できることがあり、成膜した半導体層の構造によって特性が大きく変化する。本研究では、半導体材料の溶媒にトルエンとp-キシレンの混合溶媒を用い、その混合比率を変化させることでOFETの特性を制御、向上させ、塗布型多結晶OFETとしては高い移動度(9.7 $rm{cm^2}$$rm{V^{-1}}$$rm{s^{-1}}$)と理想的な閾値電圧(-0.18 V)を有するデバイスを作製することに成功した。
抄録(英) It is important to develop methods of controlling electrical characteristics of organic field-effect transistor (OFET). An advantage of OFET is solution-processability of semiconductor films. Characteristics of OFETs fabricated by using the solution-process are affected by the structures of coated films. In this work, mixed solvents of toluene and p-xylene as solvents of organic semiconductor materials were used. The electrical characteristics of OFETs fabricated by using the mixed solvents could be controlled by changing the ratio of the mixed solvents, and the fabrication of high-performance OFETs having high mobility (9.7 $rm{cm^2}$$rm{V^{-1}}$$rm{s^{-1}}$) and threshold voltage (-0.18 V) was demonstrated.
キーワード(和) 有機電界効果トランジスタ / OFET / C8-BTBT / C12-BTBT / トップゲート
キーワード(英) Organic field-effect transistor / OFET / C8-BTBT / C12-BTBT / Top-gate
資料番号 OME2015-58
発行日 2015-10-16 (OME)

研究会情報
研究会 OME
開催期間 2015/10/23(から1日開催)
開催地(和) 大阪大学中之島センター
開催地(英) Osaka Univ. Nakanoshima Center
テーマ(和) 有機デバイス・センサー,一般
テーマ(英) Organic devices and sensors, etc.
委員長氏名(和) 松田 直樹(産総研)
委員長氏名(英) Naoki Matsuda(AIST)
副委員長氏名(和) 森 竜雄(愛知工大)
副委員長氏名(英) Tatsuo Mori(Aichi Inst. of Tech.)
幹事氏名(和) 鴻野 晃洋(NTT) / 染谷 隆夫(東大)
幹事氏名(英) Akihiro Kohno(NTT) / Takao Someya(Univ. of Tokyo)
幹事補佐氏名(和) 梶井 博武(阪大) / 田口 大(東工大)
幹事補佐氏名(英) Hirotake Kajii(Osaka Univ.) / Dai Taguchi(Tokyo Inst. of Tech.)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Technical Committee on Organic Molecular Electronics
本文の言語 JPN
タイトル(和) 混合溶媒による塗布型有機トランジスタの高移動度化および低閾値電圧化
サブタイトル(和)
タイトル(英) Fabrication of OFETs using mixed solvent for high mobility and low threshold voltage
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 有機電界効果トランジスタ / Organic field-effect transistor
キーワード(2)(和/英) OFET / OFET
キーワード(3)(和/英) C8-BTBT / C8-BTBT
キーワード(4)(和/英) C12-BTBT / C12-BTBT
キーワード(5)(和/英) トップゲート / Top-gate
第 1 著者 氏名(和/英) 中道 諒介 / Ryosuke Nakamichi
第 1 著者 所属(和/英) 大阪府立大学(略称:阪府大)
Osaka Prefecture University(略称:Osaka Pref. Univ.)
第 2 著者 氏名(和/英) 永瀬 隆 / Takashi Nagase
第 2 著者 所属(和/英) 大阪府立大学(略称:阪府大)
Osaka Prefecture University(略称:Osaka Pref. Univ.)
第 3 著者 氏名(和/英) 小林 隆史 / Takashi Kobayashi
第 3 著者 所属(和/英) 大阪府立大学(略称:阪府大)
Osaka Prefecture University(略称:Osaka Pref. Univ.)
第 4 著者 氏名(和/英) 貞光 雄一 / Yuichi Sadamitsu
第 4 著者 所属(和/英) 日本化薬株式会社(略称:日本化薬)
Nippon Kayaku Co., Ltd.(略称:Nippon Kayaku Co., Ltd.)
第 5 著者 氏名(和/英) 内藤 裕義 / Hiroyoshi Naito
第 5 著者 所属(和/英) 大阪府立大学(略称:阪府大)
Osaka Prefecture University(略称:Osaka Pref. Univ.)
発表年月日 2015-10-23
資料番号 OME2015-58
巻番号(vol) vol.115
号番号(no) OME-265
ページ範囲 pp.43-46(OME),
ページ数 4
発行日 2015-10-16 (OME)